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基于二元偶极子阵的边射端射可重构RFID阅读器天线设计
被引量：
3
1
作者
李丹华
曹文权
+1 位作者
马文宇
王闯
《微波学报》
CSCD
北大核心
2023年第3期12-16,22,共6页
基于射频识别应用场景中存在的一些T型结构,如楼内、地下矿井等存在的一些T型通道,为做好这些场景中的信号覆盖,本文提出了一种新颖的边射端射可重构的RFID阅读器天线。天线由可重构的馈电网络和两个相距半波长的偶极子组成,天线边射和...
基于射频识别应用场景中存在的一些T型结构,如楼内、地下矿井等存在的一些T型通道,为做好这些场景中的信号覆盖,本文提出了一种新颖的边射端射可重构的RFID阅读器天线。天线由可重构的馈电网络和两个相距半波长的偶极子组成,天线边射和双向端射的可重构特性通过控制馈电网络中的开关状态实现。为了验证天线性能,对其进行了加工测试。测试结果表明,天线在边射和端射状态下的阻抗带宽和增益分别为2.7%(900~925 MHz),4.15 dBi和1.9%(905~923 MHz),2.10 dBi,与仿真结果基本一致。该天线具有结构简单、小型化、低剖面等优势,在射频识别系统中有一定的应用价值。
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关键词
边射
双向端射
半波偶极子
方向图可重构
射频识别
开关二极管
下载PDF
职称材料
碳化硅MPS:新一代功率开关二极管
被引量：
3
2
作者
苗永斌
张玉明
张义门
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期116-121,共6页
碳化硅MPS(MergedPiNSchottkydiode)具有很好的开关特性,并具有PiN二极管高阻断电压、低漏电流和SBD小开启电压,大导通电流以及高开关速度的优点,是最有希望的新一代功率开关二极管。文章系统地介绍了碳化硅MPS的结构和性能。理论和...
碳化硅MPS(MergedPiNSchottkydiode)具有很好的开关特性,并具有PiN二极管高阻断电压、低漏电流和SBD小开启电压,大导通电流以及高开关速度的优点,是最有希望的新一代功率开关二极管。文章系统地介绍了碳化硅MPS的结构和性能。理论和实验分析表明,碳化硅材料的优异性能与MPS结构的优势相结合,是当今功率开关管发展的趋势。
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关键词
功率开关二极管
碳化硅
MPS
PIN二极管
肖特基势垒二极管
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职称材料
温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文)
被引量：
1
3
作者
马丽
谢加强
+1 位作者
陈琳楠
高勇
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期514-521,共8页
在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管的各种温度依赖特性。对Si和SiGe/Si功率二极管而言,温度对器件的正向压降VF、反向击穿电压VB以及反向漏电...
在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管的各种温度依赖特性。对Si和SiGe/Si功率二极管而言,温度对器件的正向压降VF、反向击穿电压VB以及反向漏电流JR的影响规律基本相似,即随着温度的升高,正向压降降低,击穿电压增加,反向漏电流迅速提高。然而在相同的温度下,与Si功率开关二极管相比,SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的正向压降降低了近0.1V(在正向电流密度10A/cm2的情况下),反向恢复时间缩短了一半以上,反向峰值电流密度也下降了约三分之一,软度因子S提高了2倍多。SiGe二极管的另外一个重要优点是其反向恢复特性受温度影响很小。当温度从300K增加到400K时,Si功率二极管的反向恢复时间增加了近1倍,而SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的反向恢复时间基本保持不变。SiGe/Si功率开关二极管的一个缺点是在高温下产生较大的漏电流,但这可以通过适当降低Ge含量来改善。Ge的引入为器件设计提供了更大的自由度,其含量对器件特性有重要影响。为了获得低的正向压降和短的反向恢复时间,应该提高Ge的含量,但Ge含量增加将导致大的漏电流,因此Ge含量的大小应该优化折衷考虑。
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关键词
功率开关二极管
硅锗/硅异质结
温度特性
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职称材料
半导体芯片银凸点微电极生长技术
4
作者
刘剑虹
赵家林
+1 位作者
姜世杭
毛根生
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期32-33,36,共3页
银点微电极生长技术主要用于ISS181系列高压超高速开关二极管的电极成型,是一项制约ISS181封装国产化的瓶颈技术。该项目研究采用了自主开发的流动独立供液、独立供电,整体控制工艺,用于100 mm芯片电极成型,保证银凸点微电极高度40 靘,...
银点微电极生长技术主要用于ISS181系列高压超高速开关二极管的电极成型,是一项制约ISS181封装国产化的瓶颈技术。该项目研究采用了自主开发的流动独立供液、独立供电,整体控制工艺,用于100 mm芯片电极成型,保证银凸点微电极高度40 靘,误差?5%。做到微区银点生长有效控制,大面积一致性好。在流量8 L/min,电压6.5 V,占空比10%的条件下,得到了最佳结果。
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关键词
高速开关二极管
微电极
电化学沉积
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职称材料
题名
基于二元偶极子阵的边射端射可重构RFID阅读器天线设计
被引量：
3
1
作者
李丹华
曹文权
马文宇
王闯
机构
陆军工程大学通信与工程学院
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2023年第3期12-16,22,共6页
基金
国家自然科学基金(61871399)。
文摘
基于射频识别应用场景中存在的一些T型结构,如楼内、地下矿井等存在的一些T型通道,为做好这些场景中的信号覆盖,本文提出了一种新颖的边射端射可重构的RFID阅读器天线。天线由可重构的馈电网络和两个相距半波长的偶极子组成,天线边射和双向端射的可重构特性通过控制馈电网络中的开关状态实现。为了验证天线性能,对其进行了加工测试。测试结果表明,天线在边射和端射状态下的阻抗带宽和增益分别为2.7%(900~925 MHz),4.15 dBi和1.9%(905~923 MHz),2.10 dBi,与仿真结果基本一致。该天线具有结构简单、小型化、低剖面等优势,在射频识别系统中有一定的应用价值。
关键词
边射
双向端射
半波偶极子
方向图可重构
射频识别
开关二极管
Keywords
broadside
pattern
bidirectional
endfire
pattern
half-wave
dipole
pattern
reconfigurable
radio
frequency
identification(RFID)
switching
diodes
分类号
TP391.44 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
TN820 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
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职称材料
题名
碳化硅MPS:新一代功率开关二极管
被引量：
3
2
作者
苗永斌
张玉明
张义门
机构
西安电子科技大学微电子所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期116-121,共6页
文摘
碳化硅MPS(MergedPiNSchottkydiode)具有很好的开关特性,并具有PiN二极管高阻断电压、低漏电流和SBD小开启电压,大导通电流以及高开关速度的优点,是最有希望的新一代功率开关二极管。文章系统地介绍了碳化硅MPS的结构和性能。理论和实验分析表明,碳化硅材料的优异性能与MPS结构的优势相结合,是当今功率开关管发展的趋势。
关键词
功率开关二极管
碳化硅
MPS
PIN二极管
肖特基势垒二极管
Keywords
Merged
PiN
Schottky
diod
e
Silicon
carbide
Power
switching
diodes
分类号
TN313.4 [电子电信—物理电子学]
TN304.24
下载PDF
职称材料
题名
温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文)
被引量：
1
3
作者
马丽
谢加强
陈琳楠
高勇
机构
西安理工大学应用物理系
西安理工大学电子工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期514-521,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(51177133)
陕西省教育厅科学研究计划项目(2013JK1105)
西安理工大学博士启动金项目
文摘
在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管的各种温度依赖特性。对Si和SiGe/Si功率二极管而言,温度对器件的正向压降VF、反向击穿电压VB以及反向漏电流JR的影响规律基本相似,即随着温度的升高,正向压降降低,击穿电压增加,反向漏电流迅速提高。然而在相同的温度下,与Si功率开关二极管相比,SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的正向压降降低了近0.1V(在正向电流密度10A/cm2的情况下),反向恢复时间缩短了一半以上,反向峰值电流密度也下降了约三分之一,软度因子S提高了2倍多。SiGe二极管的另外一个重要优点是其反向恢复特性受温度影响很小。当温度从300K增加到400K时,Si功率二极管的反向恢复时间增加了近1倍,而SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的反向恢复时间基本保持不变。SiGe/Si功率开关二极管的一个缺点是在高温下产生较大的漏电流,但这可以通过适当降低Ge含量来改善。Ge的引入为器件设计提供了更大的自由度,其含量对器件特性有重要影响。为了获得低的正向压降和短的反向恢复时间,应该提高Ge的含量,但Ge含量增加将导致大的漏电流,因此Ge含量的大小应该优化折衷考虑。
关键词
功率开关二极管
硅锗/硅异质结
温度特性
Keywords
power
switching
diodes
SiGe/Si
heterojunction
temperature
characteristics
分类号
TN313.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
半导体芯片银凸点微电极生长技术
4
作者
刘剑虹
赵家林
姜世杭
毛根生
机构
齐齐哈尔大学材料系
扬州大学机械学院
扬州亲亲首饰公司
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期32-33,36,共3页
文摘
银点微电极生长技术主要用于ISS181系列高压超高速开关二极管的电极成型,是一项制约ISS181封装国产化的瓶颈技术。该项目研究采用了自主开发的流动独立供液、独立供电,整体控制工艺,用于100 mm芯片电极成型,保证银凸点微电极高度40 靘,误差?5%。做到微区银点生长有效控制,大面积一致性好。在流量8 L/min,电压6.5 V,占空比10%的条件下,得到了最佳结果。
关键词
高速开关二极管
微电极
电化学沉积
Keywords
cache
switching
diodes
microelectrodes
electrochemical
deposit
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于二元偶极子阵的边射端射可重构RFID阅读器天线设计
李丹华
曹文权
马文宇
王闯
《微波学报》
CSCD
北大核心
2023
3
下载PDF
职称材料
2
碳化硅MPS:新一代功率开关二极管
苗永斌
张玉明
张义门
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
下载PDF
职称材料
3
温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文)
马丽
谢加强
陈琳楠
高勇
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
下载PDF
职称材料
4
半导体芯片银凸点微电极生长技术
刘剑虹
赵家林
姜世杭
毛根生
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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职称材料
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