该文基于IBM 0.18μm Si Ge Bi CMOS工艺,采用混合结构设计了一种可用于X波段相控阵的5位数控衰减器.通过电路分析和计算,确定了电路中的元件参数,通过对NMOS开关进行仿真分析,得到了最优尺寸.阐述了一种插损补偿技术,即在输入输出端引...该文基于IBM 0.18μm Si Ge Bi CMOS工艺,采用混合结构设计了一种可用于X波段相控阵的5位数控衰减器.通过电路分析和计算,确定了电路中的元件参数,通过对NMOS开关进行仿真分析,得到了最优尺寸.阐述了一种插损补偿技术,即在输入输出端引入串联电感来降低电路的插损并且优化端口匹配.仿真结果显示,该衰减器的插损小于5.0 d B;所有状态的相移小于7°;输入端口回波损耗小于-15.7 d B,输出端口回波损耗小于-16.65 d B.展开更多
装设故障限流装置是解决日益严重电网短路电流超标问题的有效技术措施之一,利用智能快速开关技术、短路电流过零点快速预测及精确相控开断技术研制一套330 k V开关型零损耗电网故障限流装置。该装置采用模块化设计方法,使正常运行时损...装设故障限流装置是解决日益严重电网短路电流超标问题的有效技术措施之一,利用智能快速开关技术、短路电流过零点快速预测及精确相控开断技术研制一套330 k V开关型零损耗电网故障限流装置。该装置采用模块化设计方法,使正常运行时损耗为零,且短路故障发生20 ms内,则可将80 k A及以下的短路电流限制在系统断路器的安全开断水平,从而实现任意深度的故障限流;装置成功用在330 k V线路上,通过带电、挂网运行和2次人工单相瞬时短路试验,验证装置满足安全性、有效性和可靠性的要求,同时结构简单合理,成本低廉且占地面积小。展开更多
为了解决相控阵雷达小型化和低损耗的问题,设计了一个工作频率为2.2 GHz的射频微机电系统(MEMS)四位开关线型移相器。首先分析了直接接触式MEMS串联开关的插入损耗和隔离度,并得到仿真结果。在此基础上设计了基于该开关的移相范围为0~1...为了解决相控阵雷达小型化和低损耗的问题,设计了一个工作频率为2.2 GHz的射频微机电系统(MEMS)四位开关线型移相器。首先分析了直接接触式MEMS串联开关的插入损耗和隔离度,并得到仿真结果。在此基础上设计了基于该开关的移相范围为0~180o的四位移相器电路,相移量为12o每步。采用HFSS软件对其进行仿真,得到移相精确度、插入损耗和隔离度等关键结果,移相器工作在2.2 GHz时,隔离度大于20 d B,插入损耗小于1 d B。该设计与传统移相器相比体积更小,且具有更小的插入损耗和更大的隔离度。展开更多
文摘该文基于IBM 0.18μm Si Ge Bi CMOS工艺,采用混合结构设计了一种可用于X波段相控阵的5位数控衰减器.通过电路分析和计算,确定了电路中的元件参数,通过对NMOS开关进行仿真分析,得到了最优尺寸.阐述了一种插损补偿技术,即在输入输出端引入串联电感来降低电路的插损并且优化端口匹配.仿真结果显示,该衰减器的插损小于5.0 d B;所有状态的相移小于7°;输入端口回波损耗小于-15.7 d B,输出端口回波损耗小于-16.65 d B.
文摘装设故障限流装置是解决日益严重电网短路电流超标问题的有效技术措施之一,利用智能快速开关技术、短路电流过零点快速预测及精确相控开断技术研制一套330 k V开关型零损耗电网故障限流装置。该装置采用模块化设计方法,使正常运行时损耗为零,且短路故障发生20 ms内,则可将80 k A及以下的短路电流限制在系统断路器的安全开断水平,从而实现任意深度的故障限流;装置成功用在330 k V线路上,通过带电、挂网运行和2次人工单相瞬时短路试验,验证装置满足安全性、有效性和可靠性的要求,同时结构简单合理,成本低廉且占地面积小。
文摘为了解决相控阵雷达小型化和低损耗的问题,设计了一个工作频率为2.2 GHz的射频微机电系统(MEMS)四位开关线型移相器。首先分析了直接接触式MEMS串联开关的插入损耗和隔离度,并得到仿真结果。在此基础上设计了基于该开关的移相范围为0~180o的四位移相器电路,相移量为12o每步。采用HFSS软件对其进行仿真,得到移相精确度、插入损耗和隔离度等关键结果,移相器工作在2.2 GHz时,隔离度大于20 d B,插入损耗小于1 d B。该设计与传统移相器相比体积更小,且具有更小的插入损耗和更大的隔离度。
