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InGaAsP/InP多薄层异质结构材料的晶格驰豫和晶体质量蜕化研究
1
作者 丁国庆 《光通信研究》 北大核心 1999年第4期55-59,共5页
介绍应变量子阱材料的稳定性理论——能量平衡模型；报告几个典型的与晶体质量蜕化有关的光荧光谱；计算几种常用应变多量子阱结构材料的临界弹性应变量；指出非应变盖层可提高阱层临界应变量；
关键词 应变量子阱材料 能量平衡模型 晶格驰豫 异质结构材料 INGAASP 磷化铟薄膜
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光抽运垂直外腔面发射激光器的增益特性数值模拟 被引量：1
2
作者 华玲玲 杨阳 +1 位作者 宋晏蓉 张鹏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第B06期20-26,共7页
为了深入研究光抽运垂直外腔面发射激光器的增益特性，以InGaAs／OaAs应变量子阱系统为例，建立了将带隙、带边不连续性计算和带结构计算系统结合起来的完整体系，考虑在应变影响下能带及波函数的混合效应。利用有限差分法对含6×6L... 为了深入研究光抽运垂直外腔面发射激光器的增益特性，以InGaAs／OaAs应变量子阱系统为例，建立了将带隙、带边不连续性计算和带结构计算系统结合起来的完整体系，考虑在应变影响下能带及波函数的混合效应。利用有限差分法对含6×6Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程精确求解，得到了InGaAs／GaAs应变量子阱导带、价带的能带结构和包络函数，然后选用Lorentzian线形函数，数值模拟了量子阱的材料增益谱和自发辐射谱。最后讨论了阱宽、载流子浓度、温度等因素对量子阱材料增益的影响，为光抽运垂直外腔面发射激光器的优化设计提供了理论依据。 展开更多
关键词 激光器 应变量子阱 能带结构 材料增益 自发辐射谱
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