设计了一种具有铲形终端微带馈电椭圆缝隙及枝节调节和接地板阶梯凹槽的超宽带（UWB）天线。利用仿真软件HFSS分析了铲形半椭圆、椭圆缝隙及枝节、半圆切槽、接地板与辐射体间隙、接地板三角形切角和阶梯凹槽等结构对天线性能的影响,对...设计了一种具有铲形终端微带馈电椭圆缝隙及枝节调节和接地板阶梯凹槽的超宽带（UWB）天线。利用仿真软件HFSS分析了铲形半椭圆、椭圆缝隙及枝节、半圆切槽、接地板与辐射体间隙、接地板三角形切角和阶梯凹槽等结构对天线性能的影响,对天线结构参数进行了优化。实测天线的阻抗带宽为2.8~12.0 GHz,在3.1~10.6GHz范围内基本呈全向性,并且具有较稳定的增益,约为2.5~4.6 d Bi。该天线可广泛用于无线通信领域。展开更多
用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在...用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在保持高击穿电压的情况下 ,可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导 .多台阶介质槽隔离Si COI展开更多
文摘设计了一种具有铲形终端微带馈电椭圆缝隙及枝节调节和接地板阶梯凹槽的超宽带（UWB）天线。利用仿真软件HFSS分析了铲形半椭圆、椭圆缝隙及枝节、半圆切槽、接地板与辐射体间隙、接地板三角形切角和阶梯凹槽等结构对天线性能的影响,对天线结构参数进行了优化。实测天线的阻抗带宽为2.8~12.0 GHz,在3.1~10.6GHz范围内基本呈全向性,并且具有较稳定的增益,约为2.5~4.6 d Bi。该天线可广泛用于无线通信领域。
文摘用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在保持高击穿电压的情况下 ,可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导 .多台阶介质槽隔离Si COI
