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题名集成电路老炼试验条件分析及优化
被引量：2
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作者
高会壮
王长鑫
陈波
张虹
徐志阳
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机构
航天科工防御技术研究试验中心
中国航天科工集团第二研究院发展计划部军用产业发展处
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出处
《现代电子技术》
2023年第18期57-60,共4页
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文摘
主要从元器件老炼试验入手,依据寿命分布和反应速率理论,分析元器件老炼试验的原理和目的,并重点基于目前相关标准及研究成果,分析老炼试验条件的设置要素。结合目前国内外元器件整体质量水平及激活能的现状,分析各自标准条件下老炼试验时间的优化途径及参考结果。从理论依据和实际操作方法出发,对典型国内外集成电路老炼试验条件进行分析。以元器件稳态寿命试验结果为特征寿命值参考,论证确定老炼试验条件的方法。分析得出:在125℃条件下,激活能为0.6 eV的器件老炼时间可控制在96 h之内;激活能取0.55 eV,则老炼时间在149 h之内。另外,对目前国内相关标准规范进行研究,针对现行试验条件提出优化方法。
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关键词
老炼试验
集成电路
元器件
稳态寿命试验
激活能
老炼时间
特征寿命
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Keywords
aging test
integrated circuit
component
steady-state life test
activation energy
aging time
characteristic life
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分类号
TN406-34
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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