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一种XeF_2对硅的脉冲自发刻蚀 被引量：1
1
作者 尉伟 王勇 +3 位作者 吴晓伟 范乐 付绍军 王建平 《真空》 CAS 北大核心 2008年第4期93-95,共3页
XeF2不需要任何电离作用,与硅可发生自发反应,可用作对硅各向同性干法刻蚀。研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,利用该系统实现了高SiO2/Si、光刻胶/Si刻蚀选择比之硅刻蚀,并对刻蚀速率与刻蚀压强、刻蚀表面粗... XeF2不需要任何电离作用,与硅可发生自发反应,可用作对硅各向同性干法刻蚀。研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,利用该系统实现了高SiO2/Si、光刻胶/Si刻蚀选择比之硅刻蚀,并对刻蚀速率与刻蚀压强、刻蚀表面粗糙度与刻蚀深度之间的关系进行实验研究。 展开更多
关键词 XEF2 各向同性干法刻蚀 自发硅刻蚀 脉冲刻蚀
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