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分频段数字音频动态范围处理器的设计、仿真与测试
1
作者 桑晓君 陈晓光 《信号处理》 CSCD 北大核心 2010年第7期1027-1032,共6页
本文提出一种分频段数字音频动态范围处理器的设计方法。传统的分频段方法主要采用滤波器组,而本文则利用扬声系统中的LR分割器来分割频段。传统的动态范围处理器通常利用前馈包络法和低通滤波器来平滑增益曲线。但面对快速变化的信号... 本文提出一种分频段数字音频动态范围处理器的设计方法。传统的分频段方法主要采用滤波器组,而本文则利用扬声系统中的LR分割器来分割频段。传统的动态范围处理器通常利用前馈包络法和低通滤波器来平滑增益曲线。但面对快速变化的信号或噪声,此类方法得到的结果可能会有较大的失真。针对此问题,本文提出了一种创新的时间幅度并行控制法,在时间和幅度域内同时对信号进行控制,能很好地降低噪声并改善输出信号的失真度。最后,本文给出了MATLAB仿真和基于ADSP21364的实测结果,验证了本方法的性能。 展开更多
关键词 分频段 时幅并行控制 动态范围 扩张器 失真度
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基于单片机的滚动加密电台设计
2
作者 田伟 周新力 张剑 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2005年第7期1944-1946,共3页
基于MCS-51系列单片机和FX224语音加密芯片,介绍了滚动加密电台的设计、解密同步原理及m序列加密密钥的生成,并在软、硬件上实现了电台的滚动加密。同时,加密、解密硬件部分可设计成芯片形式,应用于各种通信系统,方便地实现通信系统的... 基于MCS-51系列单片机和FX224语音加密芯片,介绍了滚动加密电台的设计、解密同步原理及m序列加密密钥的生成,并在软、硬件上实现了电台的滚动加密。同时,加密、解密硬件部分可设计成芯片形式,应用于各种通信系统,方便地实现通信系统的语音通路加密。 展开更多
关键词 滚动加密 M序列 可变分离频带(VSB) 虚警
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基于高斯模型的语音增强算法及MATLAB仿真
3
作者 刘梅 《中山大学研究生学刊（自然科学与医学版）》 2014年第3期61-72,共12页
语音增强的目的就是要尽可能地消除语音信号中的噪声干扰以获得纯净的语音信号。但噪声都是随机产生的,其特性非常复杂,不利于研究总结,所以,要完全消除噪声是不可能的,我们只能尽可能地提高语音质量,而实际上语音增强的目标就是要提高... 语音增强的目的就是要尽可能地消除语音信号中的噪声干扰以获得纯净的语音信号。但噪声都是随机产生的,其特性非常复杂,不利于研究总结,所以,要完全消除噪声是不可能的,我们只能尽可能地提高语音质量,而实际上语音增强的目标就是要提高语音质量。本文在高斯模型的基础上,给出了一种比较新的方法来对其实现语音增强——WDCT算法。WDCT的性能要比传统的DCT更优,但是会多一些计算的复杂度。最后,我们利用Matlab实现了基于WDCT算法的仿真,用结果验证了它的增强效果。 展开更多
关键词 语音增强 离散余弦变换 分带全局软性判决 变形的离散余弦变换
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基于子带干涉技术监测大型桥梁形变 被引量：3
4
作者 吴文豪 李陶 +2 位作者 陈志国 徐侃 张校志 《武汉大学学报（信息科学版）》 EI CSCD 北大核心 2017年第3期334-340,420,共8页
大跨度桥梁,其变形受风力、温度、车辆等因素的影响,其变化往往达到数十厘米或者更高。这使得利用雷达干涉技术监测其变形存在相位模糊度的问题。子带干涉技术可将距离向宽带频谱分解成两个甚至多个频带,然后进行干涉处理。该技术可以... 大跨度桥梁,其变形受风力、温度、车辆等因素的影响,其变化往往达到数十厘米或者更高。这使得利用雷达干涉技术监测其变形存在相位模糊度的问题。子带干涉技术可将距离向宽带频谱分解成两个甚至多个频带,然后进行干涉处理。该技术可以使雷达波长放大10~100倍,从而为m级的变形监测成为可能。详细介绍了子带干涉技术原理和处理方法,通过分别对风力和温度影响下的青马大桥子带干涉结果进行分析,验证子带干涉技术无需进行相位解缠处理在监测大型人工建筑物形变方面的可靠性和优势。 展开更多
关键词 子带干涉 子带分解 相位模糊 大型桥梁 雷达干涉测量
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显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+Δ_0光学性质 被引量：1
5
作者 包志华 景为平 +1 位作者 罗向东 谭平恒 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期4213-4217,共5页
通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通... 通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0+Δ0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0+Δ0能级与带边E0共享了共同的导带位置Γ6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0+Δ0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0+Δ0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具. 展开更多
关键词 半绝缘GAAS 显微光致发光 自旋轨道分裂
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