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用于半导体器件模拟的高精度三次样线法
1
作者
刘战
沈静静
+3 位作者
顾晓峰
于宗光
胡西多
臧佳锋
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期483-487,544,共6页
采用三次样线方法(SADI)与高阶紧致差分相结合的方法计算用于半导体器件模拟的漂移扩散模型(DD)模型,并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约35%,并明显减少方程的求解时间。
关键词
三次样线方法
高阶紧致差分
器件模拟
下载PDF
职称材料
题名
用于半导体器件模拟的高精度三次样线法
1
作者
刘战
沈静静
顾晓峰
于宗光
胡西多
臧佳锋
机构
五邑大学信息学院
江南大学信息工程学院
东莞理工学院电子工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期483-487,544,共6页
文摘
采用三次样线方法(SADI)与高阶紧致差分相结合的方法计算用于半导体器件模拟的漂移扩散模型(DD)模型,并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约35%,并明显减少方程的求解时间。
关键词
三次样线方法
高阶紧致差分
器件模拟
Keywords
spline
aplerration
direction
implicit
sadi
high-order
compact
finite
difference
device
simulation
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于半导体器件模拟的高精度三次样线法
刘战
沈静静
顾晓峰
于宗光
胡西多
臧佳锋
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008
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