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完全自旋极化电子器件TiCl3/RhCl3/TiCl3的量子输运性质的第一性原理研究 被引量:1
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作者 张珍 黄强 +1 位作者 胜献雷 郑庆荣 《中国科学院大学学报(中英文)》 CSCD 北大核心 2020年第4期458-464,共7页
基于非平衡格林函数结合密度泛函理论的第一性原理量子输运方法,预言一种完全自旋极化的电子器件。该器件是由半金属TiCl3做电极,半导体RhCl3做中心区搭建的磁性隧道结。分别计算小偏压范围(0~20 mV)和大偏压范围(0~0.6 V)下的自旋极化... 基于非平衡格林函数结合密度泛函理论的第一性原理量子输运方法,预言一种完全自旋极化的电子器件。该器件是由半金属TiCl3做电极,半导体RhCl3做中心区搭建的磁性隧道结。分别计算小偏压范围(0~20 mV)和大偏压范围(0~0.6 V)下的自旋极化电流曲线。发现在小偏压范围内,器件的隧穿磁电阻(tunneling magnetoresistance,TMR)高达100%,并在这一偏压范围内维持稳定;在电极极化方向平行构型(parallel configuration,PC)下的自旋注入效率也高达100%,具有很强的稳定性。在大偏压范围内,随着偏压的增加TMR逐渐减小,PC构型下的自旋注入效率一直保持100%不变。最后,通过对器件投影态密度图的分析,解释上述物理现象。 展开更多
关键词 隧穿磁电阻 自旋过滤 I-V曲线 自旋注入效率(sie)
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