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自旋电子学研究的最新进展 被引量:2
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作者 鲁楠 刘之景 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第1期10-13,24,共5页
自旋极化电子的高效注入、自旋霍尔效应和自旋流的产生与探测都是目前自旋电子学中热门研究专题,世界一些著名学术刊物屡见报道。对这些重要内容的理论和实验的最新研究成果进行了介绍。通过自旋极化电子高效注入方法和材料的研究,人们... 自旋极化电子的高效注入、自旋霍尔效应和自旋流的产生与探测都是目前自旋电子学中热门研究专题,世界一些著名学术刊物屡见报道。对这些重要内容的理论和实验的最新研究成果进行了介绍。通过自旋极化电子高效注入方法和材料的研究,人们期望研制出新一代自旋电子器件,进而实现应用电子自旋传输、记录和存储信息的目标。近期实验给出,自旋极化电子从铁磁金属注入半导体和金属都获得较高的极化率。各种注入方法中,自旋流直接注入法目前备受关注,因为自旋霍尔效应为自旋流的产生与探测提供了新的途径,即自旋霍尔效应可以产生自旋流,但因无霍尔电压故不容易测量;而逆自旋霍尔效应又将自旋流转化为电流,使得难以测量的自旋流又可以直接用电学方法测量。 展开更多
关键词 自旋电子学 自旋霍尔效应 自旋流 自旋极化电子 自旋注入 自旋电子器件
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过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体铁磁特性研究进展 被引量:5
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作者 王爱华 张丽伟 +1 位作者 张兵临 姚宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期114-123,共10页
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,关于3d过渡金属掺杂(transition-m etal-doped)ZnO的室温铁磁性有很多报道。本文对不同方法和不同条件制备的过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了综述。
关键词 自旋电子学 稀磁半导体 ZNO 过渡金属掺杂 室温铁磁性
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自旋场效应晶体管的原理和研究进展 被引量:2
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作者 杨军 蒋开明 +1 位作者 葛传楠 张俊男 《物理与工程》 2009年第4期8-11,7,共5页
基于电子具有自旋的特性,介绍了自旋场效应晶体管的基本原理和研究进展;通过研究发现自旋场效应晶体管具有良好的电导开关效应,外加磁场后则呈现出磁开关效应.
关键词 自旋电子学 极化 自旋场效应晶体管 自旋输运 开关效应
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21世纪初电子学新进展——评介与展望 被引量:1
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作者 曹黄强 《中国电子科学研究院学报》 2013年第4期358-362,共5页
近年来,电子学领域出现了引人注目的重要进展。新的研究成果将会进一步促进电子信息技术的发展。介绍了电子学在这些领域,包括自旋电子学、聚合物电子学、BEC凝聚态激光和巨磁致电阻存储器(MRAM)的研究情况,并对其可能的应用前景进行了... 近年来,电子学领域出现了引人注目的重要进展。新的研究成果将会进一步促进电子信息技术的发展。介绍了电子学在这些领域,包括自旋电子学、聚合物电子学、BEC凝聚态激光和巨磁致电阻存储器(MRAM)的研究情况,并对其可能的应用前景进行了讨论。 展开更多
关键词 电子学新进展 自旋电子学 聚合物电子学 BEC凝聚态激光 MRAM磁存储器
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自旋晶体管的最新研究进展
5
作者 钟智勇 刘爽 +3 位作者 唐晓莉 石玉 刘颖力 张怀武 《微纳电子技术》 CAS 2005年第12期546-553,共8页
自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件。对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、基于热电子输运的自旋晶体管和基于Rashba效应的自旋晶体管的最新研究动态进行了评述,并对其发展前景做... 自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件。对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、基于热电子输运的自旋晶体管和基于Rashba效应的自旋晶体管的最新研究动态进行了评述,并对其发展前景做了展望。 展开更多
关键词 自旋电子学 自旋晶体管 自旋劈裂 热电子 Rashba效应
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Room Temperature Ferromagnetismin Co-doped ZnO Bulks
6
作者 Long Peng Huai-Wu Zhang +1 位作者 Qi-Ye Wen John Q- Xiao 《Journal of Electronic Science and Technology of China》 2007年第4期293-295,共3页
Pure single phase of Zn0.95Co0.05O bulks were successfully prepared by solid-state reaction method. The effects of annealing atmosphere and temperature on the room temperature ferromagnetic behavior were investigated.... Pure single phase of Zn0.95Co0.05O bulks were successfully prepared by solid-state reaction method. The effects of annealing atmosphere and temperature on the room temperature ferromagnetic behavior were investigated. The results show that the air-annealed samples has similar weak ferromagnetic behavior with the as-sintered samples, but the obvious ferromagnetic behavior is observed for the samples annealed in vacuum or Ar/H2 gas, indicating that the strong ferromagnetism is associated with high oxygen vacancies density. High saturation magnetization Ms=0.73 μB/Co and coercivity Hc=233.8Oe are obtained for the Ar/H2 annealed samples with pure single phase structure when annealing temperature is 600℃. 展开更多
关键词 Co-doped ZnO diluted magnetic semiconductors FERROMAGNETISM spin electronics.
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量子计算机与自旋电子学
7
作者 张兰 马会中 《光盘技术》 2007年第3期10-11,共2页
纳米技术的发展促进了自旋电子学的诞生和发展。对于自旋电子学的研究必然会对电子器件的发展带来一次飞跃,从而为新一代计算机的发展奠定基础。本文就自旋电子学的研究现状作了简要介绍,并展望了未来发展前景。
关键词 半导体芯片 自旋电子学 量子
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CoFeB/MgO磁隧道结的低电流密度磁矩翻转特性
8
作者 郭园园 蒿建龙 +1 位作者 薛海斌 刘喆颉 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期571-576,共6页
基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程,研究平面型Co Fe B/Mg O磁隧道结的磁矩翻转特性.数值计算结果表明,Co Fe B与Mg O间的界面各向异性,可降低磁矩翻转的阈值电流密度,达到106A/cm2量级.固定层磁矩方向和类场自旋转移... 基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程,研究平面型Co Fe B/Mg O磁隧道结的磁矩翻转特性.数值计算结果表明,Co Fe B与Mg O间的界面各向异性,可降低磁矩翻转的阈值电流密度,达到106A/cm2量级.固定层磁矩方向和类场自旋转移力矩对自由层磁矩的翻转时间有重要影响.当固定层磁矩与自由层磁矩之间有一个小角度时,可显著加快自由层磁矩翻转.当类场自旋转移力矩与自旋转移力矩之比为负值时,类场自旋转移力矩与自旋转移力矩将促进自由层磁矩翻转;当相应的类场自旋转移力矩与自旋转移力矩之比为正值时,类场自旋转移力矩将阻碍自由层磁矩翻转.该研究可供自旋转移力矩驱动的磁性随机存储器件设计借鉴. 展开更多
关键词 表面与界面物理学 磁隧道结 自旋转移力矩 磁随机存储器 磁动力学方程 自旋电子学 电流藏应磁化翻转
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锰氧化物La_(0.5)Sr_(0.5)MnO_3掺杂Y的改性研究
9
作者 朱永文 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2014年第1期200-202,共3页
锰氧化物LaSrMnO系列材料是一类有用的自旋电子学材料。La0.5Sr0.5MnO3是一种铁磁金属性材料。利用了在La位掺杂Y的方法来改变La0.5Sr0.5MnO3的金属性而保持它的铁磁性。通过样品输运和磁化强度等的测量对La0.45Y0.05Sr0.5MnO3样品的物... 锰氧化物LaSrMnO系列材料是一类有用的自旋电子学材料。La0.5Sr0.5MnO3是一种铁磁金属性材料。利用了在La位掺杂Y的方法来改变La0.5Sr0.5MnO3的金属性而保持它的铁磁性。通过样品输运和磁化强度等的测量对La0.45Y0.05Sr0.5MnO3样品的物性进行了研究,获得了居里温度Tc=292K的亚铁磁半导体样品。 展开更多
关键词 自旋电子学 锰氧化物 亚铁磁半导体
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巨磁电阻效应的非接触光学表征方法研究
10
作者 钟智勇 刘爽 +2 位作者 唐晓莉 石玉 张怀武 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期657-659,共3页
根据自平均极限模型推导了在巨磁电阻薄膜中折射系数与自旋非对称因子的关系。用傅立叶变换红外光谱仪组建了磁折射效应测试装置,并测试了自旋阀多层薄膜(Si/PtMn/CoFe/Ru/CoFe/Cu/Co/NiFe)的磁折射效应。结果表明:在红外波段,可以用磁... 根据自平均极限模型推导了在巨磁电阻薄膜中折射系数与自旋非对称因子的关系。用傅立叶变换红外光谱仪组建了磁折射效应测试装置,并测试了自旋阀多层薄膜(Si/PtMn/CoFe/Ru/CoFe/Cu/Co/NiFe)的磁折射效应。结果表明:在红外波段,可以用磁折射效应表征巨磁电阻效应。 展开更多
关键词 巨磁电阻效应 磁折射效应 磁性材料 自旋电子学
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Half-Heusler半金属NiMnSb的制备和结构稳定性
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作者 任尚坤 《金陵科技学院学报》 2004年第1期10-13,33,共5页
本文研究了烧结温度对Half Heusler半金属的结构和物性的影响。结果表明600℃—800℃烧结4h为较佳的烧结条件;磁化强度和电阻率随温度的变化关系符合经典铁磁理论的预言结果,没有发现明显的有序态间的跃迁和原子无序现象。说明用该方法... 本文研究了烧结温度对Half Heusler半金属的结构和物性的影响。结果表明600℃—800℃烧结4h为较佳的烧结条件;磁化强度和电阻率随温度的变化关系符合经典铁磁理论的预言结果,没有发现明显的有序态间的跃迁和原子无序现象。说明用该方法制备的NiMnSb材料具有很好的热稳定性和原子有序稳定性。 展开更多
关键词 Half-Heusler 半金属磁性材料 NIMNSB 制备 结构稳定性 自旋电子学
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半金属磁性材料 被引量:22
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作者 任尚坤 张凤鸣 都有为 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2004年第4期381-397,共17页
 半金属材料的一个重要特征为具有高达100%的传导电子自旋极化率。半金属磁性材料是一种具有极大的应用潜能的自旋电子学材料。本文从半金属性的来源、材料的晶体结构、半金属的电子态和电磁特性等不同角度对半金属材料进行了系统分类...  半金属材料的一个重要特征为具有高达100%的传导电子自旋极化率。半金属磁性材料是一种具有极大的应用潜能的自旋电子学材料。本文从半金属性的来源、材料的晶体结构、半金属的电子态和电磁特性等不同角度对半金属材料进行了系统分类。对现已发现的几种半金属材料的基本性质和原子结构特征进行了综述。分别对5种传导电子自旋极化率的测量方法进行了分析和讨论。 展开更多
关键词 电子自旋 极化率 电子态 原子结构 自旋电子学 晶体结构 电磁特性 半金属材料 角度
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自旋电子学简介及其研究进展 被引量:1
13
作者 徐明 纪红萱 《大学物理》 北大核心 2006年第11期12-17,共6页
自旋电子学主要研究电子自旋在固体物理中的作用,是一门结合磁学与微电子学的交叉学科,其研究对象包括电子的自旋极化、自旋相关散射、自旋弛豫以及与此相关的性质及其应用等.基于电子自旋的自旋电子器件能够大大提高信息处理速度和存... 自旋电子学主要研究电子自旋在固体物理中的作用,是一门结合磁学与微电子学的交叉学科,其研究对象包括电子的自旋极化、自旋相关散射、自旋弛豫以及与此相关的性质及其应用等.基于电子自旋的自旋电子器件能够大大提高信息处理速度和存储密度,而且具有非易失性、低能耗等优点.简单介绍了自旋电子学的概念及其研究内容,综述了自旋电子学目前的研究及应用进展. 展开更多
关键词 自旋电子学 自旋阀 磁隧道结 半导体自旋电子学
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自旋电子学及其器件应用 被引量:1
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作者 张吉英 冯秋菊 +2 位作者 吕有明 范希武 申德振 《光机电信息》 2004年第9期26-28,共3页
介绍了近年来自旋电子学研究概况及器件应用,并展望了半导体自旋新器件的研究和发展。
关键词 自旋电子学 半导体 电荷 集成电路 芯片 传感器 GMR磁头 存储器 半导体复合材料
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