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HgS/CdS/HgS球状纳米系统电子的能量与寿命以及概率分布 被引量:8
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作者 郑瑞伦 陈志谦 +1 位作者 张翠玲 刘俊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期2284-2289,共6页
建立了HgS CdS HgS球状纳米系统物理模型和电子状态满足的方程 .应用S矩阵理论 ,探讨了s态电子的能量和寿命以及概率分布随势垒和势阱宽度的变化规律 .结果表明 :电子能量和寿命随垒势宽度增大而增大 ;电子能量随阱宽增大而减小 ,而寿... 建立了HgS CdS HgS球状纳米系统物理模型和电子状态满足的方程 .应用S矩阵理论 ,探讨了s态电子的能量和寿命以及概率分布随势垒和势阱宽度的变化规律 .结果表明 :电子能量和寿命随垒势宽度增大而增大 ;电子能量随阱宽增大而减小 ,而寿命随阱宽增大而增大 ; 展开更多
关键词 球状纳米系统 电子状态 能量 寿命 电子概率分布 势垒宽度 势阱宽度 HgS/CdS/HgS系统 硫化汞 硫化镉
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线度和势垒宽度对球状纳米系统电子散射截面的影响 被引量:2
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作者 吴强 郑瑞伦 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期497-502,共6页
在有效质量近似和球形方形势模型下,计算了开放型球状纳米系统电子散射截面及电子按能量的概率分布,探讨了线度、势垒宽度对电子散射截面和共振能量以及共振宽度的影响.结果表明:电子的散射截面随能量的分布曲线有一极大值和极小值,而... 在有效质量近似和球形方形势模型下,计算了开放型球状纳米系统电子散射截面及电子按能量的概率分布,探讨了线度、势垒宽度对电子散射截面和共振能量以及共振宽度的影响.结果表明:电子的散射截面随能量的分布曲线有一极大值和极小值,而且电子能量的概率分布曲线的极大值位置总是介于散射截面分布曲线的极大值与极小值的能量位置之间;散射截面随内核半径r0的增大而增大,而且散射截面分布曲线随r0的增大由较平滑变得较尖锐;散射截面随势垒宽度Δ的增大而增大,但在Δ=1.4aCdS—1.7aCdS的范围内,变化出现异常,在Δ=1.6aCdS时散射截面出现极小;电子共振能量El随Δ的变化与电子所处状态有关,而电子共振宽度Γl随Δ的增大而减小;不论Δ取何值,El和Γl都满足能量和时间的测不准关系. 展开更多
关键词 球状纳米系统 势垒宽度 电子散射截面 电子概率分布
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CdS/HgS/CdS球状纳米系统斯塔克线度效应 被引量:6
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作者 郑瑞伦 文国知 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期791-796,共6页
求出均匀外电场作用下三层球状纳米系统电子的能量和波函数,讨论了外电场和样品线度对斯塔克能级移动的影响.
关键词 CdS/HgS/CdS球状纳米系统 斯塔克效应 能量和波函数
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电场对球状纳米系统高能级分裂和谱线的影响 被引量:1
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作者 张浩波 《西南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期32-38,共7页
探讨了电场作用下球状纳米系统电子的能级分裂规律和谱线分布,以CdS/HgS/CdS球状纳米系统为例,讨论了电场对高能级分裂和谱线的影响.结果表明:①电场作用下球状纳米系统发生的斯塔克效应,能级按1,3,…,2n-1进行分裂,与氢原子情况相同.... 探讨了电场作用下球状纳米系统电子的能级分裂规律和谱线分布,以CdS/HgS/CdS球状纳米系统为例,讨论了电场对高能级分裂和谱线的影响.结果表明:①电场作用下球状纳米系统发生的斯塔克效应,能级按1,3,…,2n-1进行分裂,与氢原子情况相同.但各能级会发生能级位移;②电场引起的电子能级移动量与电场E的平方成正比;它随线度的变化情况与能级有关,有的能级的能级位移量随线度增大而减小,而有的则相反;③电场不仅使纳米系统的谱线条数增多,而且谱线频率发生改变,频率变化量随样品线度增大而减小,但减小程度与能级有关. 展开更多
关键词 电场 CdS/HgS/CdS球状纳米系统 斯塔克线度效应 谱线频率
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CdS/HgS/CdS球状纳米系统高能级斯塔克线度效应
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作者 郑瑞伦 吴强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期7841-7847,共7页
研究了在层间作用和电场作用下球状纳米系统的电子能量和波函数.以CdS/HgS/CdS球状纳米系统为例,讨论了层间作用、电场和样品线度对高能级斯塔克效应以及谱线频率和强度的影响.结果表明:CdS/HgS/CdS球状纳米系统在外电场作用下发生斯塔... 研究了在层间作用和电场作用下球状纳米系统的电子能量和波函数.以CdS/HgS/CdS球状纳米系统为例,讨论了层间作用、电场和样品线度对高能级斯塔克效应以及谱线频率和强度的影响.结果表明:CdS/HgS/CdS球状纳米系统在外电场作用下发生斯塔克效应的能级分裂规律与氢原子类似,但能级位移量不同.谱线频移与电场强度的平方成正比,多数谱线的频移随线度增大而减小,少数谱线的频移则相反;而层间作用引起谱线的频移随线度增大而减小.除少数谱线外,多数谱线的相对强度随线度增大而减小,层间作用不会改变相对强度随线度的变化趋势,但要改变谱线的强度值,线度较小时层间作用对谱线强度的影响才显著. 展开更多
关键词 CdS/HgS/CdS球状纳米系统 斯塔克效应 谱线频率 谱线强度
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