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SiC基材料自身及其与金属的连接 被引量：14
1
作者 李树杰 张利 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期91-97,共7页
iC及SiC基复合材料作为先进高温结构陶瓷材料的典型代表 ,具有广阔的航空航天应用前景 ,研究SiC及SiC基复合材料的连接以及这些材料与金属的连接问题不仅具有重要的科学意义 ,而且具有极大的工程应用价值。本文综述了有关SiC及SiC基复... iC及SiC基复合材料作为先进高温结构陶瓷材料的典型代表 ,具有广阔的航空航天应用前景 ,研究SiC及SiC基复合材料的连接以及这些材料与金属的连接问题不仅具有重要的科学意义 ,而且具有极大的工程应用价值。本文综述了有关SiC及SiC基复合材料自身连接及其与金属连接的基本问题———陶瓷与金属连接的热错配应力、陶瓷与金属的润湿行为及陶瓷与金属接头界面问题 ,并介绍了几种主要的连接工艺———固相压力扩散焊、活性金属钎焊、局部过渡液相连接法、反应成形法、自蔓延高温合成焊接法及热压反应烧结连接法。 展开更多
关键词 复合材料 高温结构陶瓷 连接技术 固相压力扩散焊 活性金属钎焊 局部过渡液相连接法 反应成形法 自蔓延高温合成
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采用钛基活性钎料高温钎焊高强石墨 被引量：13
2
作者 王艳艳 李树杰 闫联生 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期970-973,共4页
采用Ti基活性钎料对高强石墨进行了高温钎焊试验。研究了焊接温度、保温时间、焊料量、降温速率对试样连接强度的影响。通过正交实验优选工艺,确定最佳工艺为:焊接温度1420℃,保温时间20rain,焊料量280mg,降温速率10℃/min。所得连接件... 采用Ti基活性钎料对高强石墨进行了高温钎焊试验。研究了焊接温度、保温时间、焊料量、降温速率对试样连接强度的影响。通过正交实验优选工艺,确定最佳工艺为:焊接温度1420℃,保温时间20rain,焊料量280mg,降温速率10℃/min。所得连接件的最高相对抗弯强度为62.55%。微观结构研究表明,在石墨/焊料界面处C元素和Ti元素发生了显著的互扩散,生成了厚度约15μm的反应层,实现了良好的界面结合。接头区域XRD分析表明,在石墨/焊料界面上几乎全部为TiC,在焊料内部距此界面200μm处仍有部分TiC存在,但主相是纯Ti,还有部分Ti2Ni。在焊料内部距此界面400μm处主相是纯Ti,次相是Ti2Ni,无TiC存在。 展开更多
关键词 高温钎焊 钛基活性钎料 特种连接
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用Ti_3SiC_2粉料连接反应烧结SiC陶瓷 被引量：6
3
作者 董红英 李树杰 贺跃辉 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1051-1056,共6页
用Ti3SiC2粉末作为焊料,采用热压反应烧结连接法连接SiC,通过正交实验,研究了连接温度、高温保温时间、连接压力和连接层厚度对试样连接强度的影响,优选出的最佳工艺参数分别为:1500℃,30min,30MPa,150μm。所得到的接头最大剪切强度为3... 用Ti3SiC2粉末作为焊料,采用热压反应烧结连接法连接SiC,通过正交实验,研究了连接温度、高温保温时间、连接压力和连接层厚度对试样连接强度的影响,优选出的最佳工艺参数分别为:1500℃,30min,30MPa,150μm。所得到的接头最大剪切强度为39.49MPa。微观结构研究和成分分析表明:在界面处,发生了元素的扩散,促进了界面结合,有明显的反应扩散层。物相分析显示在高温、高压、氩气气氛以及使用石墨模具的条件下,Ti3SiC2与母材发生界面反应,实现界面结合。 展开更多
关键词 陶瓷连接 特种连接 TI3SIC2 SIC陶瓷
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聚硅氧烷连接RBSiC陶瓷 被引量：9
4
作者 刘洪丽 李树杰 陈志军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期134-137,共4页
采用陶瓷先驱体有机聚合物聚硅氧烷连接反应烧结碳化硅（RBSiC）陶瓷。研究了连接温度、连接压力、保温时间对连接强度的影响。通过正交优选实验，确定了最佳工艺参数：连接温度为1300℃，连接压力为25kPa，保温时间为120min。在此工艺... 采用陶瓷先驱体有机聚合物聚硅氧烷连接反应烧结碳化硅（RBSiC）陶瓷。研究了连接温度、连接压力、保温时间对连接强度的影响。通过正交优选实验，确定了最佳工艺参数：连接温度为1300℃，连接压力为25kPa，保温时间为120min。在此工艺条件下制备的连接件经3次浸渍／裂解增强处理，其抗弯强度达132．6MPa，连接件断口表面粘有大量从母材剥离下来的SiC。XRD研究表明，在1100℃～1400℃的试验范围之内，随着连接温度的逐步升高，聚硅氧烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。这种转变对连接强度有显著影响。扫描电镜（SEM）及能谱（EDX）分析显示，连接层厚度为3μm左右，结构较为均匀致密，且与母材间界面结合良好。 展开更多
关键词 特种连接 陶瓷连接 陶瓷先驱体 聚硅氧烷 反应烧结碳化硅(RBSiC)
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用有机硅树脂YR3370连接RBSiC陶瓷与高强石墨 被引量：1
5
作者 原效坤 李树杰 张听 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期44-48,共5页
以一种聚硅氧烷类有机硅树脂YR3370(GE Toshiba Silicones)为连接剂,连接了反应烧结SiC(RBSiC)陶瓷和高强石墨。连接件在1100～1400℃的99.99%N_2气流中进行热处理。用X射线衍射仪和红外光谱仪分析有机硅树脂YR3370裂解产物的结构和变化... 以一种聚硅氧烷类有机硅树脂YR3370(GE Toshiba Silicones)为连接剂,连接了反应烧结SiC(RBSiC)陶瓷和高强石墨。连接件在1100～1400℃的99.99%N_2气流中进行热处理。用X射线衍射仪和红外光谱仪分析有机硅树脂YR3370裂解产物的结构和变化,用扫描电镜观察连接件的显微结构,用材料试验机测定连接件的三点弯曲强度。连接温度为1300℃时,连接件的三点弯曲强度达最大值18.3 MPa,为石墨母材强度的45.8%。连接层是有机硅树脂YR3370裂解生成的无定形Si_xO_yC_z陶瓷,其结构连续均匀致密,厚度在2～5μm之间。连接机理是无定形Si_xO_yC_z陶瓷对RBSiC和石墨基体的无机粘接作用。 展开更多
关键词 特种连接 有机硅树脂 SIC陶瓷 石墨
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纳米Ni粉填料对聚硅氮烷连接SiC陶瓷接头性能的影响 被引量：1
6
作者 刘洪丽 李树杰 李星国 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1905-1908,共4页
研究了活性填料纳米Ni粉对陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结SiC陶瓷接头性能的影响,同时与惰性填料纳米SiC粉及活性填料微米Ni粉进行了对比,指出填料的种类及颗粒度对连接强度均有较大影响。活性填料纳米Ni粉的加入可减少连接层内的孔隙... 研究了活性填料纳米Ni粉对陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结SiC陶瓷接头性能的影响,同时与惰性填料纳米SiC粉及活性填料微米Ni粉进行了对比,指出填料的种类及颗粒度对连接强度均有较大影响。活性填料纳米Ni粉的加入可减少连接层内的孔隙和裂纹,同时还可以与聚硅氮烷的裂解产物及母材发生反应,促进聚硅氮烷的裂解,从而降低连接温度,提高连接强度。当连接温度为1200℃时,其最大抗弯强度达到251.6MPa。微观研究表明,连接层结构较为均匀致密,且与母材间界面结合良好。惰性填料纳米SiC粉对连接强度没有明显改善。微米Ni粉因不能与先驱体形成均匀的连接层而导致连接强度降低。 展开更多
关键词 特种连接 陶瓷连接 纳米Ni粉 陶瓷先驱体 反应烧结碳化硅(RBSiC)
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