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温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响 被引量：2
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作者 蔡莉 刘建成 +9 位作者 覃英参 李丽丽 郭刚 史淑廷 吴振宇 池雅庆 惠宁 范辉 沈东军 何安林 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期750-755,共6页
本文研究了215~353K温度范围内商用4M0.15μm薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化。实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上升区,SEU截面随温度的升高而增加。使用Space Radiation 7.0软... 本文研究了215~353K温度范围内商用4M0.15μm薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化。实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上升区,SEU截面随温度的升高而增加。使用Space Radiation 7.0软件研究了温度对其空间错误率预估的影响,模拟结果显示,SEU截面随温度的变化改变了SRAM SEU截面-LET值曲线形状,导致其LET阈值漂移,从而影响空间错误率预估结果。 展开更多
关键词 重离子 单粒子效应 单粒子翻转 温度效应 空间错误率预估 静态随机存储器
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