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冶金法制备太阳能硅过程的湿法提纯研究 被引量：9
1
作者 汤培平 徐敏 +4 位作者 王宝璐 李竟菲 陈云霞 朱丽 刘宏宇 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期733-737,共5页
湿法提纯作为冶金法路线制备太阳能级硅的前处理工序,可以去除大部分金属杂质,提高最终产品收率。考察了硅粉粒径、浸出剂浓度、温度、时间、搅拌等因素的影响,采用ICP、SEM等对产品进行了表征。当工艺条件为:硅粉平均粒径44μm、w(HCl)... 湿法提纯作为冶金法路线制备太阳能级硅的前处理工序,可以去除大部分金属杂质,提高最终产品收率。考察了硅粉粒径、浸出剂浓度、温度、时间、搅拌等因素的影响,采用ICP、SEM等对产品进行了表征。当工艺条件为:硅粉平均粒径44μm、w(HCl)=5%、温度80℃、时间6h,处理后产品中杂质w(Fe)=2.4×10-5,去除率为99.2%,杂质w(Al)=6.4×10-5,去除率为80%。描述了酸浸过程在前后不同阶段分别为受反应速度和内扩散控制历程。为太阳能级硅制备工业化开发,大幅度降低成本提供了参考。 展开更多
关键词 太阳能硅 冶金级硅 湿法冶金 提纯 功能材料
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冶金法制备太阳能硅过程的湿法除硼研究 被引量：10
2
作者 汤培平 陈云霞 +3 位作者 徐敏 朱丽 刘宏宇 王文宾 《化学工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期68-71,76,共5页
湿法提纯作为冶金法路线制备太阳能级硅前处理工序,可去除大部分铁铝等碱金属及硼杂质,提高最终产品收率。实验考察了湿法除硼过程主要工艺因素:浸出剂浓度、温度、时间、搅拌等对产品纯度的影响,采用SEM对产品进行表征。当工艺条件为c(... 湿法提纯作为冶金法路线制备太阳能级硅前处理工序,可去除大部分铁铝等碱金属及硼杂质,提高最终产品收率。实验考察了湿法除硼过程主要工艺因素:浸出剂浓度、温度、时间、搅拌等对产品纯度的影响,采用SEM对产品进行表征。当工艺条件为c(HNO3)=6.5 mol/L,c(H2SO4)=6 mol/L,温度120℃、时间4 h,处理后产品中杂质质量分数为3.574×10-6,湿法过程单元的去除率为44.58%。实验结果为高等级太阳能级硅制备工业化开发大幅度降低成本提供了技术基础。 展开更多
关键词 太阳能硅 冶金级硅 湿法冶金 除硼
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太阳能级硅的电磁约束感应熔炼 被引量：4
3
作者 温宏权 毛协民 +1 位作者 张军 傅恒志 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期344-347,共4页
报道了太阳能级硅的电磁约束感应熔炼技术（ＥＩＭ）。依据电磁悬浮熔炼原理，在磁悬浮技术的基础上，把电磁悬浮熔炼技术和冷坩埚熔炼技术相结合，通过感应线圈、石墨预热环、Ａｌ２Ｏ３隔热环及水冷铜支架等的设计，成功地熔化了重为... 报道了太阳能级硅的电磁约束感应熔炼技术（ＥＩＭ）。依据电磁悬浮熔炼原理，在磁悬浮技术的基础上，把电磁悬浮熔炼技术和冷坩埚熔炼技术相结合，通过感应线圈、石墨预热环、Ａｌ２Ｏ３隔热环及水冷铜支架等的设计，成功地熔化了重为１０ｇ的硅试样，熔化过热度高达２００℃。该技术具有熔化能力大、过热度高、二次污染少、定量浇注及节约硅材料等优点，基本满足了离心铸造法制硅片对熔化的要求。 展开更多
关键词 太阳能级硅 电磁悬浮 冷坩埚 EIM 太阳能电池
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湿法提纯制备太阳能级硅过程的研究 被引量：5
4
作者 刘瑞聪 汤培平 +3 位作者 林康英 刘碧华 游淳毅 王泉 《化学工程》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期15-18,共4页
采用盐酸和氢氟酸两步法湿法提纯制备太阳能级多晶硅,当工艺条件为w(HCl)=8%,w(HF)=6%,可使铁中杂质质量分数降到26×10-6,去除率达到99.1%;铝中杂质质量分数降低到60×10-6,去除率为82.3%。分析和讨论了酸浸过程中硅晶体的形... 采用盐酸和氢氟酸两步法湿法提纯制备太阳能级多晶硅,当工艺条件为w(HCl)=8%,w(HF)=6%,可使铁中杂质质量分数降到26×10-6,去除率达到99.1%;铝中杂质质量分数降低到60×10-6,去除率为82.3%。分析和讨论了酸浸过程中硅晶体的形貌和结构的变化。FESEM图像表明杂质在硅的表面呈现集中链状分布,晶粒沿着高应力和缺陷区直线式分裂;XRD数据显示,在反应过程中,杂质的析出对硅晶格结构的影响有限,晶格因温度增加、应力不平衡等因素反而呈现膨胀的趋势。研究和分析湿法冶金中硅晶体结构和形貌的变化,对于了解酸浸过程反应机理,提高湿法提纯的除杂效率,优化太阳能级硅生产工艺具有重要意义。 展开更多
关键词 太阳能硅 冶金级硅 湿法冶金
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高灵敏度光伏硅杂质元素分析仪的研制 被引量：4
5
作者 宁方敏 邬旭然 +1 位作者 田宇纮 徐惠忠 《烟台大学学报（自然科学与工程版）》 CAS 北大核心 2011年第2期136-140,共5页
光伏硅杂质元素分析仪是基于能量色散谱仪的工作原理,研制开发的由硅漂移探测器和数字脉冲处理器以及双靶激发系统组成的X荧光类分析仪.仪器的性能测试中:能量线性偏差为0.23%,相对极差为0.06%,相对标准偏差为0.59%,同时探测器的能量分... 光伏硅杂质元素分析仪是基于能量色散谱仪的工作原理,研制开发的由硅漂移探测器和数字脉冲处理器以及双靶激发系统组成的X荧光类分析仪.仪器的性能测试中:能量线性偏差为0.23%,相对极差为0.06%,相对标准偏差为0.59%,同时探测器的能量分辨率为130 eV,均可证明满足光伏硅中Cr、V、Mn、Co、Ni、Fe等杂质元素的定量分析要求.同时,用该系统对某公司生产的光伏硅材料进行测试,结果与ICP-AES测试结果相吻合. 展开更多
关键词 元素分析仪 X荧光分析仪 光伏硅 硅漂移探测器 数字脉冲处理器
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太阳能硅制备过程湿法提纯SiO_2的工艺优化 被引量：5
6
作者 林康英 洪金庆 +5 位作者 汤培平 刘宏宇 王文宾 游淳毅 刘碧华 刘瑞聪 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1194-1198,共5页
考察了HF质量分数、H2C2O4质量分数、HNO3质量分数、酸浸时间、粒径、液体质量与固体质量的比值(简称液固比,下同)等因素对混酸法提纯SiO2工艺过程的影响,利用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、场发射扫描电子显微镜(SEM)进行表征... 考察了HF质量分数、H2C2O4质量分数、HNO3质量分数、酸浸时间、粒径、液体质量与固体质量的比值(简称液固比,下同)等因素对混酸法提纯SiO2工艺过程的影响,利用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、场发射扫描电子显微镜(SEM)进行表征。结果表明,最佳工艺条件为:w(HF)=2%、w(H2C2O4)=3%、w(HNO3)=30%、酸浸时间4 h、粒径100～120目、液固比4∶1、酸浸温度30℃。Fe、Al、Ca、P杂质的去除率分别达到99.99%、14.02%、73.27%、60.00%,经混酸法处理后SiO2中杂质总量的质量分数降至1.465×10-4。 展开更多
关键词 太阳能硅 二氧化硅 湿法冶金 酸浸 提纯
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电子束熔炼制备太阳能级多晶硅的研究现状与发展趋势 被引量：5
7
作者 谭毅 石爽 姜大川 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期785-792,共8页
电子束熔炼具有高能量密度、高真空度等优点,能够有效地去除硅中的挥发性杂质,使其在制备太阳能级多晶硅材料方面具有巨大的优势和广阔的应用前景,目前已经实现了产业化应用,成为冶金法制备太阳能级硅材料的关键环节之一。本文在阐述挥... 电子束熔炼具有高能量密度、高真空度等优点,能够有效地去除硅中的挥发性杂质,使其在制备太阳能级多晶硅材料方面具有巨大的优势和广阔的应用前景,目前已经实现了产业化应用,成为冶金法制备太阳能级硅材料的关键环节之一。本文在阐述挥发性杂质去除的热力学原理的基础上,对其去除效果和去除机制进行了总结。同时,针对电子束熔炼技术目前存在的问题,结合作者在这些方面的探索,从数值模拟、节能型熔炼方式以及与定向凝固技术的耦合等角度对现阶段的研究重点进行了综述,并对其未来的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 电子束熔炼 多晶硅 挥发性杂质 综述
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极性相反杂质在硅锭中的抵偿效应研究
8
作者 刘振东 李志涛 +1 位作者 高倩倩 刘瑞柱 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期414-419,共6页
采用Scheil方程和四探针法、霍尔效应技术、紫外-可见光吸收光谱以及XRD技术分别模拟和测试太阳能硅锭的杂质分布、电阻率、载流子浓度、带隙以及晶体结构,结果表明:若硅料中施主杂质原子浓度小于受主杂质的0.39倍,铸造的p型硅锭不会出... 采用Scheil方程和四探针法、霍尔效应技术、紫外-可见光吸收光谱以及XRD技术分别模拟和测试太阳能硅锭的杂质分布、电阻率、载流子浓度、带隙以及晶体结构,结果表明:若硅料中施主杂质原子浓度小于受主杂质的0.39倍,铸造的p型硅锭不会出现极性反转。由于极性相反杂质间的抵偿效应,在硅锭极性反转处形成p-n结区,少子寿命和体电阻率均达到最大值,且硅锭的晶体结构未发生改变,带隙比特征硅锭的带隙降低25.89%,对此段硅锭切片,可省略后续硅片的“磷扩散”过程。利用掺杂剂抵偿技术可制备高效率和低成本的晶硅太阳电池。 展开更多
关键词 太阳电池 载流子迁移率 少子寿命 抵偿效应 Scheil方程 太阳能级硅
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湿法冶金去除太阳能级硅中硼的研究 被引量：4
9
作者 汤培平 刘瑞聪 +5 位作者 陈晓敏 陈云霞 朱丽 刘宏宇 王文宾 金燕红 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2011年第3期27-30,共4页
湿法提纯作为冶金法制备太阳能级硅的前处理工序,可以去除大部分金属和硼杂质。研究了以氢氟酸-硫酸混合酸为浸出剂,有机溶剂甲醇作为后处理剂,去除硅粉中硼杂质的方法。采用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP)等对产品进行表征。酸浸过... 湿法提纯作为冶金法制备太阳能级硅的前处理工序,可以去除大部分金属和硼杂质。研究了以氢氟酸-硫酸混合酸为浸出剂,有机溶剂甲醇作为后处理剂,去除硅粉中硼杂质的方法。采用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP)等对产品进行表征。酸浸过程优化工艺条件:硫酸质量分数为55%,氢氟酸质量分数为7%,酸浸温度为70℃、酸浸时间为4 h、液固质量比为8∶1。酸浸后可使硅粉中的硼杂质质量分数由6.893×10-6降至3.867×10-6,去除率为41.9%。在酸浸基础上采用有机溶剂甲醇作为后处理剂,杂质硼质量分数降至3.84×10-6,去除率为44.29%。从硼酸浸后形成的产物入手探索提高硼去除率的方法,实验验证了该方法的可行性,为研究湿法冶金预处理太阳能级硅提供了新的参考。 展开更多
关键词 太阳能硅 湿法冶金 有机溶剂 提纯
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紫外光照射下冶金级硅湿法提纯工艺研究 被引量：2
10
作者 李阳 张倩 +2 位作者 赵杰 汤培平 徐敏 《江苏理工学院学报》 2009年第2期14-17,共4页
实验研究了40W紫外光照射下湿法酸洗提纯冶金级硅后,Al、Fe两种主要金属杂质的含量变化,并与普通无光照实验进行了对比分析。采用EMPA、ICP对纯化产品进行表征。实验结果表明,在相同反应时间下,以非氧化性酸和HF酸作为酸洗液,紫外光照射... 实验研究了40W紫外光照射下湿法酸洗提纯冶金级硅后,Al、Fe两种主要金属杂质的含量变化,并与普通无光照实验进行了对比分析。采用EMPA、ICP对纯化产品进行表征。实验结果表明,在相同反应时间下,以非氧化性酸和HF酸作为酸洗液,紫外光照射下Fe和Al的残留量比无光照条件下分别减少了41%和16.4%,纯度已接近无紫外光照下利用氧化性酸和HF酸酸洗的结果。同时发现以氧化性酸和HF酸作为酸洗液,紫外光照射下Fe和Al的残留量比无光照条件下也有明显下降,所降程度根据不同氧化性酸酸洗液而不同。 展开更多
关键词 太阳能硅 紫外光 湿法提纯 冶金级硅
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低碳高效的太阳能级硅制备新技术 被引量：3
11
作者 汪新 肖巍 +3 位作者 尹华意 毛旭辉 朱华 汪的华 《武汉大学学报（工学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期804-808,共5页
对固态二氧化硅在850℃氯化钙熔盐中的伏安行为分析的基础上,通过系统研究了二氧化硅粉末压片在850℃氯化钙熔盐中恒电位电解产物的物相和纯度,确定了通过熔盐电解法制备单质硅的电位范围.实验结果表明,熔盐电解二氧化硅制备单质硅合适... 对固态二氧化硅在850℃氯化钙熔盐中的伏安行为分析的基础上,通过系统研究了二氧化硅粉末压片在850℃氯化钙熔盐中恒电位电解产物的物相和纯度,确定了通过熔盐电解法制备单质硅的电位范围.实验结果表明,熔盐电解二氧化硅制备单质硅合适的电解电位范围为0.65V(vs.Ca/Ca2+)至1.15V.通过在此电位范围内恒电位电解产物纯度和能量效率分析,明确了熔盐电解制备单质硅最优化的电解电位为0.85V,此时电解产物纯度高达99.41%,电流效率为79.3%,电解能耗为11.5kWh/kg Si.上述结果表明,熔盐电解法制备单质硅与传统碳热还原法相比在能量效率和产物纯度上具有优势.通过电解产物杂质来源的分析,提出进一步提高产物纯度以达到太阳能级硅要求的措施,为通过熔盐电解法直接制备太阳能级硅提供了科学基础. 展开更多
关键词 熔盐电解 太阳能硅 二氧化硅 恒电位电解 高纯硅
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太阳能级硅激光刻槽埋栅电池的研究
12
作者 励旭东 姬成周 +3 位作者 何少琪 王玉亭 赵玉文 于元 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期472-474,共3页
探讨了廉价太阳能级硅材料对电池性能可能的影响，据此对激光刻槽埋栅电池的工艺加以优化．在此基础上制作的大面积太阳电池的转换效率达到１６．５９％．
关键词 太阳能级硅 太阳能电池 激光刻槽电池 BCSC
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太阳能级硅的电磁悬浮熔炼 被引量：1
13
作者 李德林 毛协民 傅恒志 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期222-225,共4页
电磁悬浮与离心铸造技术(ELCC)开辟了低成本制备太阳电池用硅片材料的新途径。硅材料的无污染熔炼是进行ELCC硅片成形的重要前提。采用电阻与高频感应相结合的两级加热方法,成功地实现了太阳能级硅的电磁悬浮熔炼,为低成本太阳电池的研... 电磁悬浮与离心铸造技术(ELCC)开辟了低成本制备太阳电池用硅片材料的新途径。硅材料的无污染熔炼是进行ELCC硅片成形的重要前提。采用电阻与高频感应相结合的两级加热方法,成功地实现了太阳能级硅的电磁悬浮熔炼,为低成本太阳电池的研制奠定了基础。实验还发现,与传统的理论计算不同,悬浮力随电源频率的不断下降而提高。 展开更多
关键词 太阳能级硅 电磁悬浮 两级加热 电源频率 离心铸造技术 太阳电池
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太阳能级硅中轻质元素(C,N,O)研究进展 被引量：2
14
作者 谭毅 秦世强 +3 位作者 石爽 姜大川 李鹏廷 李佳艳 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期112-118,共7页
C,N,O等轻质元素的存在对太阳能级晶体硅材料的性能有着广泛影响,而硅材料作为太阳能电池的主要原材料,其纯度对电池的电学性能有着决定性作用。本文总结了晶体硅中C,N,O元素的存在形态、分布规律、形成机制及工艺控制等的研究进展,并... C,N,O等轻质元素的存在对太阳能级晶体硅材料的性能有着广泛影响,而硅材料作为太阳能电池的主要原材料,其纯度对电池的电学性能有着决定性作用。本文总结了晶体硅中C,N,O元素的存在形态、分布规律、形成机制及工艺控制等的研究进展,并对未来硅中轻质元素的研究进行了展望,使用各种提纯工艺的优势交叉互补来控制及去除硅中的杂质值得研究及关注,对硅中C,N,O元素的交互作用的深入研究也将会对硅材料质量的提高有着积极作用。 展开更多
关键词 轻质元素 太阳能级硅 杂质
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太阳能级硅切割废料的回收技术 被引量：2
15
作者 李吉超 黄凯 +1 位作者 储少军 朱鸿民 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第19期123-126,共4页
太阳能级硅棒在切割生产硅晶片过程中会产生大量的切割废料。概述了废料中切割液和碳化硅回收技术的进展,重点介绍和分析了价值更高的硅与碳化硅微粉分离回收技术的特点及现状,并比较各种方法的优缺点,同时结合自身的课题研究,提出了新... 太阳能级硅棒在切割生产硅晶片过程中会产生大量的切割废料。概述了废料中切割液和碳化硅回收技术的进展,重点介绍和分析了价值更高的硅与碳化硅微粉分离回收技术的特点及现状,并比较各种方法的优缺点,同时结合自身的课题研究,提出了新的解决思路。分析认为先通过离心、浮选等方法对切割废料初步提纯后再经高温热处理或合金化等方法将其进一步分离,是较有前景的回收技术。 展开更多
关键词 太阳能级硅 切割废料 回收利用 碳化硅
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太阳级硅制备技术研究进展 被引量：2
16
作者 李劼 闫剑锋 +4 位作者 田忠良 赖延清 贾明 伊继光 刘业翔 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第17期41-45,共5页
最近光伏产业发展迅速,对太阳级硅的需求急剧增长,制备太阳级硅的技术成为现在各国的一个研究热点。综述了太阳级硅制备技术的现状,指出了其中存在的能耗高、流程复杂等问题。总结了近几年研究较多的几种太阳级硅制备新方法的技术特点... 最近光伏产业发展迅速,对太阳级硅的需求急剧增长,制备太阳级硅的技术成为现在各国的一个研究热点。综述了太阳级硅制备技术的现状,指出了其中存在的能耗高、流程复杂等问题。总结了近几年研究较多的几种太阳级硅制备新方法的技术特点与研究进展,包括真空感应熔炼法、电子束熔炼法、等离子体熔炼法、热交换法、凝固提纯法、熔盐电解法等。并指出B和P等几种元素的去除效果以及能否适合大规模生产等都是这些新技术开发过程中需要注意的问题。 展开更多
关键词 光伏产业 太阳级硅 制备技术 研究进展
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硅粉在直流氩等离子体中的刻蚀提纯 被引量：1
17
作者 尹盛 王敬义 +3 位作者 李战春 张繁 沈亮 赵伯芳 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期547-550,共4页
介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法。实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%。处理后的硅粉还可进行熔化—固化—粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均... 介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法。实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%。处理后的硅粉还可进行熔化—固化—粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能中性粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析,结果显示,在一定的工艺参数下,刻蚀提纯是有效的,并与实验结果相近。这也为粉体表面刻蚀研究提供了一种新的手段。 展开更多
关键词 粉粒表面刻蚀 刻蚀提纯 太阳级硅 直流等离子体
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太阳能硅制备过程湿法提纯SiO_2的研究
18
作者 刘宏宇 汤培平 +3 位作者 王文宾 徐敏 朱丽 陈云霞 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期873-877,共5页
研究了SiO2体系中去除金属和非金属杂质的方法．考察了浸出剂浓度、温度、反应时间、搅拌等因素的影响，采用ICP、SEM等对产品进行了表征，分析了不同工艺条件对杂质去除率的影响程度．当工艺条件为：w（HF）=1．0％与叫（HzCzO；）=1．... 研究了SiO2体系中去除金属和非金属杂质的方法．考察了浸出剂浓度、温度、反应时间、搅拌等因素的影响，采用ICP、SEM等对产品进行了表征，分析了不同工艺条件对杂质去除率的影响程度．当工艺条件为：w（HF）=1．0％与叫（HzCzO；）=1．5％在100℃温度下处理60-150目的石英粉4h，Fe、Ca和P的去除率分别达到了99．8％，72．7％和67．8％，湿法冶金可以去除SiO2中的绝大部分Fe杂质和大部分Ca和P杂质，反应前30rain为化学反应控制，后转为内扩散控制． 展开更多
关键词 太阳能硅 SIO2 湿法冶金 酸浸 提纯
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一种新型廉价太阳级硅制备技术 被引量：8
19
作者 赵宁 李忠 +1 位作者 李兴教 王敬义 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期57-62,共6页
介绍了一种利用辉光放电产生冷等离子体进行硅粉纯化的廉价大阳级硅制备系统，运用流体力学和低温等离子体物理学的原理对该系统中的气体流动、电场分布以及硅粉受力进行了详细的分析，建立了硅粉在该系统中的运动模型，并且对系统内硅... 介绍了一种利用辉光放电产生冷等离子体进行硅粉纯化的廉价大阳级硅制备系统，运用流体力学和低温等离子体物理学的原理对该系统中的气体流动、电场分布以及硅粉受力进行了详细的分析，建立了硅粉在该系统中的运动模型，并且对系统内硅粉运动速度进行了讨论，提出了优化冶金效果的措施。 展开更多
关键词 硅粉 提纯 等离子体 冶炼 硅 制备 太阳能电池
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太阳能级回收硅料清洗效果研究 被引量：3
20
作者 黄建华 刘阳京 《新余学院学报》 2014年第1期6-9,共4页
通过对光伏领域回收硅料表面处理一般方法的研究,使用ICP-MS对比分析了光伏产业使用不同类型硅料经混酸腐蚀处理前后,表面金属杂质种类、含量及清洗效果的变化,并使用SEM对硅料清洗前后的形貌进行了微观分析。结果表明HF/HNO3混酸体系... 通过对光伏领域回收硅料表面处理一般方法的研究,使用ICP-MS对比分析了光伏产业使用不同类型硅料经混酸腐蚀处理前后,表面金属杂质种类、含量及清洗效果的变化,并使用SEM对硅料清洗前后的形貌进行了微观分析。结果表明HF/HNO3混酸体系对于过渡族金属杂质Cu、Zn、Mn去除效果较好,对于Ti、Cr金属杂质特别是Fe的去除效果较差;硅料表面微观结构越光滑,杂质去除效果越好。 展开更多
关键词 太阳能级回收硅料 化学清洗 硅表面 混酸 金属杂质
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