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高压保护开关缓冲电路参数优化设计
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作者 李志恒 马少翔 +4 位作者 张鸿淇 朱帮友 张明 于克训 潘垣 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期58-69,共12页
目前的高压保护开关缓冲电路参数设计缺乏相关理论设计方法,同时缓冲电路方案由于设计过程中并未考虑分布电容影响,因此均为等参数设计方案,这种方法均压效果不够理想。为了解决目前参数设计中存在的问题,首先建立了含缓冲电路和杂散电... 目前的高压保护开关缓冲电路参数设计缺乏相关理论设计方法,同时缓冲电路方案由于设计过程中并未考虑分布电容影响,因此均为等参数设计方案,这种方法均压效果不够理想。为了解决目前参数设计中存在的问题,首先建立了含缓冲电路和杂散电感的MOSFET模型并对其关断过程进行了分析,从而得到了抑制电压尖峰的缓冲电路理论设计方法及表达式。针对串联均压未考虑分布电容的问题,通过构造等电位点,建立了含有分布电容的等效电路并进行分析,根据电荷方程等式得到了缓冲电路非等参数设计方法及表达式,该参数设计方法可以补偿分布电容造成的电压分布不均,并更好地指导高压保护开关的均压方案设计。为了验证参数设计的合理性进行了仿真分析,结果表明,最终得到的整体设计方案可以满足尖峰抑制以及均压的设计要求。 展开更多
关键词 高压开关 缓冲电容 缓冲电阻 分布电容 均压
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缓冲电容对IGBT变流器特性的影响研究 被引量:4
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作者 朱艺锋 《河南理工大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2014年第4期482-485,共4页
在IGBT构成的变流器主电路中常采用并联缓冲电容的缓冲电路来抑制开关管关断过程中引起的过大电压冲击,保护IGBT和变流器.基于IGBT的动态模型,从理论上分析了缓冲电容对IGBT关断时产生的电压冲击规律,比较了不同缓冲电容对IGBT关断时的... 在IGBT构成的变流器主电路中常采用并联缓冲电容的缓冲电路来抑制开关管关断过程中引起的过大电压冲击,保护IGBT和变流器.基于IGBT的动态模型,从理论上分析了缓冲电容对IGBT关断时产生的电压冲击规律,比较了不同缓冲电容对IGBT关断时的电压冲击情况及负面影响,得出缓冲电容在降低IGBT关断过冲电压的同时也会引起母线上电流电压振荡的结论.给出了IGBT关断时由缓冲电容引起振荡的仿真和实验结果,并指出了减小缓冲电容的方法. 展开更多
关键词 缓冲电容 IGBT 变流器 关断电压 电流振荡
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切除故障时缓冲电阻和电容对系统电压的影响
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作者 田位平 毕建权 《电力科学与工程》 2004年第3期26-28,33,共4页
根据实际观测到的电力系统谐振现象,采用MAT LAB软件仿真计算电力系统的动态过程,在考虑发电机励磁系统的作用以及变压器铁心接近饱和时,分析输电线路发生短路故障被切除时电力系统产生谐振的主要原因,并针对几个周波的电压振荡而激发... 根据实际观测到的电力系统谐振现象,采用MAT LAB软件仿真计算电力系统的动态过程,在考虑发电机励磁系统的作用以及变压器铁心接近饱和时,分析输电线路发生短路故障被切除时电力系统产生谐振的主要原因,并针对几个周波的电压振荡而激发的电力系统谐振问题,提出相应的谐振和内部过电压的抑制措施。 展开更多
关键词 断路器 缓冲电阻 缓冲电容 最大瞬时值 电压波形畸变 MATLAB
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一种开关管馈能式零电压软关断电路
4
作者 袁义生 张钟艺 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2019年第4期29-32,共4页
提岀了一种开关管馈能式零电压软关断电路,由缓冲电路、储能电容和馈能电路构成。当开关管关断时,由缓冲电路中的缓冲电容实现开关管的零电压软关断;当开关管导通时,缓冲电容上的能量再通过一个谐振电路转移到储能电容。储能电容接受每... 提岀了一种开关管馈能式零电压软关断电路,由缓冲电路、储能电容和馈能电路构成。当开关管关断时,由缓冲电路中的缓冲电容实现开关管的零电压软关断;当开关管导通时,缓冲电容上的能量再通过一个谐振电路转移到储能电容。储能电容接受每次开关管开通时由缓冲电容上转移过来的能量,使电压逐步上升。当储能电容电压上升到阈值电压时,馈能电路工作,将储能电容的能量迅速转移到主电路的输出电容上,实现能量回馈。其次,分析了电路的工作原理和关键的器件设计方法。最后,搭建了一台实验样机,设计了控制电路,并验证了电路的有效性。 展开更多
关键词 软关断 储能电容 缓冲电容 能量回馈
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吸收电容对LED电源EMI的抑制实例分析
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作者 赖淋香 《电子产品可靠性与环境试验》 2014年第4期54-58,共5页
根据LED驱动电源的认证经验,其EMC测试项目中的电源端子骚扰电压和30~300 MHz辐射骚扰场强测试项目不容易合格,而且经过整改往往会增加电源成本。以一款单端反激式LED驱动电源为例,首先,介绍了单端反激式开关电源的工作原理;然后,探讨... 根据LED驱动电源的认证经验,其EMC测试项目中的电源端子骚扰电压和30~300 MHz辐射骚扰场强测试项目不容易合格,而且经过整改往往会增加电源成本。以一款单端反激式LED驱动电源为例,首先,介绍了单端反激式开关电源的工作原理;然后,探讨开关管MOSFET的漏极和源极并联小容量吸收电容后对驱动电源EMI的影响。通过对比测试结果发现,吸收电容的加入对原测试不合格的LED驱动电源起到了良好的EMI抑制作用,最终使得产品符合标准要求。此方法操作简单,成本低廉,为整改工程师提供参考。 展开更多
关键词 发光二级管 吸收电容 电源端子 骚扰电压 辐射骚扰场强
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零电压换流条件分析与设计
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作者 唐雄民 李轶 +1 位作者 彭永进 刘克安 《通信电源技术》 2004年第3期1-4,共4页
研究移相控制全桥零电压开关脉宽调制变换器(FB_ZVS_PWM)的换流过程。针对其滞后桥臂负载电感偏小给零电压导通造成困难的特点,文中放弃了负载电流为恒流源的假设,推导了描述其换流过程的方程。基于这些方程,研究了实现软开关的条件,... 研究移相控制全桥零电压开关脉宽调制变换器(FB_ZVS_PWM)的换流过程。针对其滞后桥臂负载电感偏小给零电压导通造成困难的特点,文中放弃了负载电流为恒流源的假设,推导了描述其换流过程的方程。基于这些方程,研究了实现软开关的条件,并用仿真和实验结果验证了该方程的正确性。文中还用一设计实例来说明了这些等式的应用。 展开更多
关键词 FB-ZVS-PWM 吸收电容 关断损耗 占空比
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开关缓冲电容与死区效应对双有源桥式变换器传输功率影响 被引量:2
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作者 刘海洋 崔淑梅 孙赫阳 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期727-737,共11页
为了精确地反映死区时间对双有源桥式变换器(dual active bridge,DAB)移相角偏移与传输功率的影响,将缓冲电容的作用引入到DAB死区效应的分析中。通过设定最优死区时间将电感电流过零点排除在死区时段之外,降低了不同电压模式下死区过... 为了精确地反映死区时间对双有源桥式变换器(dual active bridge,DAB)移相角偏移与传输功率的影响,将缓冲电容的作用引入到DAB死区效应的分析中。通过设定最优死区时间将电感电流过零点排除在死区时段之外,降低了不同电压模式下死区过程分析的难度,并得到一个更精确的DAB移相角与传输功率的模型。结果表明:应用该模型能够准确地计算出DAB任意工况下的静态工作点,从而提高DAB小信号建模的精度。 展开更多
关键词 双有源桥式变换器 死区效应 开关缓冲电容 移相角偏移 传输功率 静态工作点
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ZVS-PWM电路中无损吸收回路分析 被引量:3
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作者 唐雄民 李轶 +1 位作者 彭永进 孟志强 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2005年第2期108-110,共3页
详细研究了移相控制全桥零电压开关脉宽调制变换器(FB-ZVS-PW M )的换流过程。分析得出,若考虑开关管关断过程中的电流下降特性,则当开关管关断时,在无损吸收回路的作用下,电路关断换流过程会出现两个不同的换流阶段,并在此基础上推导... 详细研究了移相控制全桥零电压开关脉宽调制变换器(FB-ZVS-PW M )的换流过程。分析得出,若考虑开关管关断过程中的电流下降特性,则当开关管关断时,在无损吸收回路的作用下,电路关断换流过程会出现两个不同的换流阶段,并在此基础上推导出这两个不同阶段的换流方程。针对其滞后桥臂负载电感偏小给零电压导通造成的困难,文中放弃了负载电流为恒流源的假设,推导出描述其换流过程的方程。基于这些方程,研究了实现软开关的条件,并从关断损耗和占空比丢失的角度探讨了吸收电容与电路最高工作频率的关系,给出了工程设计公式。仿真和实验结果验证了该方程的正确性。 展开更多
关键词 脉宽调制 损耗/吸收电容
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