期刊文献+
共找到34篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
引入射频诱导效应的BCT PD-SOI MOSFET建模技术研究 被引量:1
1
作者 黎莹 王军 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第3期347-353,共7页
为了精确模拟高漏源电压(V_(DS))条件下体接触(Body Contact,BCT)部分耗尽型(Partial Depletion,PD)绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)MOSFET器件的异常射频诱导效应,建立了一个基于碰撞电离和寄生BJT机理的RL网络模型。首先分析了S... 为了精确模拟高漏源电压(V_(DS))条件下体接触(Body Contact,BCT)部分耗尽型(Partial Depletion,PD)绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)MOSFET器件的异常射频诱导效应,建立了一个基于碰撞电离和寄生BJT机理的RL网络模型。首先分析了SCBE模型的体区输出导纳参数,并利用该参数的解析式推导出一种电阻与电感串联的网络拓扑;然后基于直接提取法准确提取RL网络模型的参数;最后,通过仿真得出S21、S22参数分别在史密斯圆图的下半圆和上半圆按顺时针旋转的现象,同时在0.01~20 GHz范围内模型模拟的S参数与实测的S参数的相对误差为2.1%,验证了RL网络模型的有效性和准确性。 展开更多
关键词 BCT PD-SOI MOSFET 小信号等效电路 射频诱导效应 S参数
下载PDF
一种采用有源器件实现的射频有源带通滤波器
2
作者 白秉旭 肖潇 姚立健 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2023年第5期1042-1048,共7页
针对目前智能化和小型化核检测仪表中的带通滤波器进行了研究,设计了一种采用有源电感和有源电容实现的射频有源带通滤波器。首先,分别对有源电感电路和有源电容电路的构成、工作原理和主要参数进行了分析,并得出了其仿真结果,以表明设... 针对目前智能化和小型化核检测仪表中的带通滤波器进行了研究,设计了一种采用有源电感和有源电容实现的射频有源带通滤波器。首先,分别对有源电感电路和有源电容电路的构成、工作原理和主要参数进行了分析,并得出了其仿真结果,以表明设计的实用性和合理性;然后,采用提出的有源电感电路和有源电容电路设计出了一款中心频率为1 GHz的射频有源带通滤波器;最后,基于0.18μm CMOS工艺设计制作和ADS仿真软件得到的仿真结果表明,所设计的滤波器电路具有低功耗、理想的S参数和低线性噪声性能,不仅可用于智能化和小型化核检测仪表的射频组件,也可用于多标准无线应用系统中实现高阶有源滤波器。 展开更多
关键词 核检测仪器 有源组件 滤波器 小信号等效电路 频率响应 线性噪声
下载PDF
基于基本共射级放大电路的增益计算及教学实践 被引量:3
3
作者 秦鹏 王玉勤 《山东化工》 CAS 2020年第8期265-266,268,共3页
以基本共射放大电路为例,分别使用图解法和理论计算的方法对其进行分析和计算,确定放大电路的静态工作点和动态放大指标,在此基础上对比两种方法在解决放大电路相关计算的优缺点,帮助非电类学生在学习《电工与电子技术》课程中能够更好... 以基本共射放大电路为例,分别使用图解法和理论计算的方法对其进行分析和计算,确定放大电路的静态工作点和动态放大指标,在此基础上对比两种方法在解决放大电路相关计算的优缺点,帮助非电类学生在学习《电工与电子技术》课程中能够更好理解放大电路的原理和分析方法。 展开更多
关键词 放大电路 图解法 微变等效电路
下载PDF
45 nm MOSFET毫米波小信号等效电路模型参数提取技术 被引量:3
4
作者 李博 王军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期67-74,共8页
为了有效地表征45nm MOSFET毫米波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的建模方法。基于45nm MOSFET的器件物理结构及其导纳参数分析,通过综合考虑器件的本征物理特性、管脚及测试寄生特性,提出了一种准静态近似的高频等效电路模型... 为了有效地表征45nm MOSFET毫米波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的建模方法。基于45nm MOSFET的器件物理结构及其导纳参数分析,通过综合考虑器件的本征物理特性、管脚及测试寄生特性,提出了一种准静态近似的高频等效电路模型及其参数直接提取的高精度简化算法,以此来统一表征模型参数从强反型区到弱反型区的偏置依赖性,并使之在不同偏置条件下的特性表征具有良好的连续性,以便于移植到商业仿真设计自动化工具中。通过ADS2013仿真工具的散射参数模拟结果与测量数据的一致性比较,验证了所建模型的实用性及其参数提取算法的准确性,并表征了45nm器件的偏置依赖性。 展开更多
关键词 纳米MOSFET 小信号等效电路 参数提取 毫米波 双端口网络 散射参数
下载PDF
光电导探测器的响应时间与微变等效电路 被引量:2
5
作者 江文杰 施建华 +1 位作者 曾学文 王省书 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第5期792-796,共5页
为了研究光电导探测器对高频光信号的响应特性,分析了光电导探测器响应时间的物理机理,应用解析方法推导出了它的响应时间表达式及其适用条件,建立了光电导探测器的微变等效电路模型,测试了CdSe光电导探测器在不同外接负载电阻条件下的... 为了研究光电导探测器对高频光信号的响应特性,分析了光电导探测器响应时间的物理机理,应用解析方法推导出了它的响应时间表达式及其适用条件,建立了光电导探测器的微变等效电路模型,测试了CdSe光电导探测器在不同外接负载电阻条件下的响应时间参数。实验表明:在照度小于103lx范围内,CdSe光电导探测器的响应时间平均值为5.4ms,与外接负载电阻的阻值无关。研究表明:线性光电导探测器的响应时间由半导体材料内部的微观结构决定;探测器可等效为恒流源和光电阻的并联;外接输出电路时,其总的响应时间与探测器的响应时间和光电检测电路的时间常数两个参数有关,一般应用中可近似取为探测器的响应时间。 展开更多
关键词 光电导探测器 响应时间 恒流源 微变等效电路 光电检测电路
下载PDF
InP基HBT小信号模型参数直接提取方法 被引量:2
6
作者 徐坤 张金灿 +2 位作者 王金婵 刘敏 刘博 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第8期602-608,644,共8页
为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法。该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数。该方法简单、易于实施。首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄... 为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法。该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数。该方法简单、易于实施。首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄生电容和电感的值,然后用截止状态和Z参数的方法提取外部电阻,再去掉这些参数以简化电路模型,本征部分的电路元件采用剥离算法来确定参数值。采用1μm×15μm的InP HBT对该算法的有效性进行验证,结果表明,在0.1~40 GHz频率范围内,模型仿真结果准确地拟合了器件测试结果。 展开更多
关键词 异质结双极型晶体管(HBT) 小信号等效电路 直接提取 剥离算法 INP
下载PDF
GaN HEMTs小信号等效电路建模与参数直接提取 被引量:2
7
作者 郑良川 王军 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期72-76,共5页
半导体技术飞速进步,第三代半导体氮化镓(GaN)因其优越的性能近年来受到了广泛的关注与研究。数以万计的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)应用于微波和毫米波等领域,成为半导体产业研究的热点。本文在传统的氮化镓高电子迁移率晶体管... 半导体技术飞速进步,第三代半导体氮化镓(GaN)因其优越的性能近年来受到了广泛的关注与研究。数以万计的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)应用于微波和毫米波等领域,成为半导体产业研究的热点。本文在传统的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)小信号等效电路模型的基础上将所建立模型的参数数量提高到20个,提出了一种精确地直接提取模型参数的算法,并通过MATLAB编程计算出模型参数值。最后再将此模型的仿真S参数结果与实验结果相比较,验证了此模型的准确性与方法的可靠性。 展开更多
关键词 GaN HEMTs 小信号等效电路 参数提取 算法
下载PDF
一种基于负电容的新型带宽扩展技术
8
作者 陈江 陆德超 +2 位作者 郑旭强 刘果果 刘新宇 《现代电子技术》 2022年第12期31-35,共5页
由于传统的电感峰化带宽扩展技术使用电感导致芯片面积大大增加,加源极退化电阻和电容的技术导致电路的DC增益减小,因此,文中提出一种基于负电容的新型带宽扩展技术,以有效解决上述两个问题。该技术利用两个交叉耦合的MOSFET将正电容转... 由于传统的电感峰化带宽扩展技术使用电感导致芯片面积大大增加,加源极退化电阻和电容的技术导致电路的DC增益减小,因此,文中提出一种基于负电容的新型带宽扩展技术,以有效解决上述两个问题。该技术利用两个交叉耦合的MOSFET将正电容转换成负电容,产生的负电容可以抵消负载电容的影响从而扩展带宽。首先,给出负电容带宽扩展电路的电路原理图,并运用小信号电路分析方法和S域电路分析方法得到负电容带宽扩展电路的小信号等效电路;然后,利用该小信号等效电路计算出负电容带宽扩展电路的传输函数,根据此传输函数分析得到负电容带宽扩展电路的稳定性条件;再运用拉普拉斯逆变换的方法得到负电容带宽扩展电路的时域阶跃响应表达式;最后,在Cadence IC617仿真工具中,运用理想模型对该负电容带宽扩展电路进行详细仿真分析,得到2.27倍的带宽扩展效果。 展开更多
关键词 带宽扩展技术 负电容 小信号等效电路 电路分析 传输函数 阶跃响应 仿真分析
下载PDF
三极管多级放大电路动态参数详解 被引量:1
9
作者 许峰川 邹丽新 吕清松 《教育教学论坛》 2020年第23期337-339,共3页
由三极管构成的多级放大电路是“模拟电路”课程教学中的重要内容之一,通过将单级放大电路适当组合,可以提高放大电路的性能,如何分析求解多级放大电路的动态参数是该部分内容的教学重点和难点。该文针对现有教材缺陷,在给出多级放大电... 由三极管构成的多级放大电路是“模拟电路”课程教学中的重要内容之一,通过将单级放大电路适当组合,可以提高放大电路的性能,如何分析求解多级放大电路的动态参数是该部分内容的教学重点和难点。该文针对现有教材缺陷,在给出多级放大电路的小信号等效电路的基础上,详细地分析了其动态参数的求解过程,计算过程直观清晰,希冀有助于加深学生对放大电路动态参数的理解。 展开更多
关键词 多级放大电路 小信号等效电路 动态参数求解
下载PDF
超导场效应器件的统一Y参数和小信号等效电路 被引量:1
10
作者 蒋建飞 蔡琪玉 +1 位作者 周正利 汤玉生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期6-9,共4页
本文基于超导场效应的小信号传输线模型的电流电压方程,建立了各种电路组态的本征的统一Y参数和小信号等效电路,提出了频变电阻、频变电感和频变电容的概念,为研究各类超导场效应器件和电路的高频特性和动力学提供了有力的基础.
关键词 统一Y参数 小信号等效电路 超导场效应器件
下载PDF
GaN HEMT小信号等效电路模型的关键参数提取
11
作者 王旭 王军 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第8期64-67,共4页
为了更好地表征GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)物理特性,对GaN HEMT小信号等效电路建模及参数提取技术进行研究,提出了一种简单、直接的小信号模型参数提取方法。在传统16单元模型基础上,综合考虑GaN HEMT器件结构、本征特性,描述了一种... 为了更好地表征GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)物理特性,对GaN HEMT小信号等效电路建模及参数提取技术进行研究,提出了一种简单、直接的小信号模型参数提取方法。在传统16单元模型基础上,综合考虑GaN HEMT器件结构、本征特性,描述了一种更加完整的20单元等效电路模型。提出在无偏、Cold pich-off条件下获取寄生参数的方法,克服了传统的高珊正向偏压导致的栅极退化。基于双端口网络分析建立Y参数模型,提取本征元件参数,确保其结果在不同偏压下良好的平滑度,便于移植CAD商业工程应用中。在0~18 GHz频率范围内,ADS2014仿真工具的仿真数据与测试数据良好的一致性表明了所建模型及其参数提取技术的有效性。 展开更多
关键词 GAN高电子迁移率晶体管 小信号等效电路 参数提取 ADS2014仿真
下载PDF
电容式超声换能器小信号等效电路建模与仿真
12
作者 王红亮 蔚丽俊 +1 位作者 刘涛 吕云飞 《电子测量技术》 北大核心 2021年第5期155-160,共6页
为了进一步分析优化电容式超声换能器(CMUT)的性能,建立了CMUT微元和CMUT阵元的等效电路模型,并进行了等效电路仿真。首先推导了CMUT微元小信号等效电路模型,然后在射频电路仿真软件ADS中建立CMUT微元的等效电路进行仿真,分析了施加不... 为了进一步分析优化电容式超声换能器(CMUT)的性能,建立了CMUT微元和CMUT阵元的等效电路模型,并进行了等效电路仿真。首先推导了CMUT微元小信号等效电路模型,然后在射频电路仿真软件ADS中建立CMUT微元的等效电路进行仿真,分析了施加不同幅值、周期的交流电压对CMUT微元发射特性的影响。分析发现,交流电压幅值越大、持续周期越长,CMUT微元的振动位移和输出声压越大,发射性能越好。此外,结合互辐射阻抗,推导了CMUT阵元等效电路模型,通过ADS仿真分析了不同微元大小、间距、数目CMUT阵元的频率特性。结果表明,微元大小、间距、数目均会对CMUT阵元的频率产生影响,以上分析结果为CMUT的设计和测试提供了理论参考。 展开更多
关键词 电容式超声换能器 小信号等效电路 阵元等效电路 辐射阻抗 发射特性分析 频率响应分析
下载PDF
3 nm环栅场效应管射频小信号等效电路模型
13
作者 高恒斌 孙亚宾 +4 位作者 胡少坚 尚恩明 刘赟 李小进 石艳玲 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第4期557-562,共6页
针对3 nm环栅场效应晶体管,提出了一种射频小信号等效电路模型及基于有理函数拟合的解析模型参数提取方法。首先,在关态条件下提取不受偏置影响的非本征栅/源/漏极电阻、栅到源/漏电容、衬底电容和电阻。然后,在不同偏置条件下提取受偏... 针对3 nm环栅场效应晶体管,提出了一种射频小信号等效电路模型及基于有理函数拟合的解析模型参数提取方法。首先,在关态条件下提取不受偏置影响的非本征栅/源/漏极电阻、栅到源/漏电容、衬底电容和电阻。然后,在不同偏置条件下提取受偏置影响的本征模型参数。使用Sentaurus TCAD和Matlab对器件进行仿真并拟合得到相关参数,在ADS中验证等效电路模型。结果表明,在10 MHz~300 GHz频率范围内,TCAD仿真与等效电路仿真S参数的最大误差低于2.69%,证实了所建立模型及建模方法的准确性。该项研究成果对射频集成电路设计具有参考价值。 展开更多
关键词 环栅器件 小信号等效电路 参数提取 射频IC
下载PDF
毫米波频段下纳米MOSFET的导纳参数建模及应用
14
作者 王军 王东振 《工程科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期186-192,共7页
为了统一表征毫米波频段下纳米MOSFET从强反型区到弱反型区的偏置依赖性,对高频MOSFET等效电路建模及其参数提取技术进行了研究,给出了一种简单、精确的小信号模型参数获取方法。基于45 nm MOSFET的器件物理结构,通过综合考虑该器件的... 为了统一表征毫米波频段下纳米MOSFET从强反型区到弱反型区的偏置依赖性,对高频MOSFET等效电路建模及其参数提取技术进行了研究,给出了一种简单、精确的小信号模型参数获取方法。基于45 nm MOSFET的器件物理结构,通过综合考虑该器件的本征物理特性、管脚电磁特性以及测试焊盘与测试互连线的寄生特性,描述了一种适用于参数提取的MOSFET毫米波等效电路模型。通过对所给出的45 nm MOSFET毫米波小信号等效电路进行双端口网络参数分析,推导了其准静态近似的毫米波等效电路的导纳()参数的一阶简化数学模型。所建参数模型被应用于等效电路的元件值提取,以保证不同偏置条件下参数提取结果的连续性和平滑度。利用栅指数=10、栅宽=2μm、栅长=45 nm的射频多指NMOSFET,实验验证了1~50 GHz频段内所建参数模型在不同偏置点下的模拟精度,并表征了45 nm器件的偏置依赖性。使用ADS2013仿真设计工具的模拟结果与测量数据进行一致性对比,验证了本文所建模型的实用性以及由其派生的参数提取算法的准确性。因此,所建参数模型易于高精度移植到自动化仿真设计工具中。等效电路本征元件参数单调特性的不同表征,对于指导毫米波集成电路从强反型区到弱反型区的优化设计具有重要的意义。 展开更多
关键词 纳米MOSFET 导纳参数 小信号等效电路 毫米波
下载PDF
Transfer function modeling and analysis of the open-loop Buck converter using the fractional calculus 被引量:10
15
作者 王发强 马西奎 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第3期232-239,共8页
Based on the fact that the real inductor and the real capacitor are fractional order in nature and the fractional calculus,the transfer function modeling and analysis of the open-loop Buck converter in a continuous co... Based on the fact that the real inductor and the real capacitor are fractional order in nature and the fractional calculus,the transfer function modeling and analysis of the open-loop Buck converter in a continuous conduction mode(CCM) operation are carried out in this paper.The fractional order small signal model and the corresponding equivalent circuit of the open-loop Buck converter in a CCM operation are presented.The transfer functions from the input voltage to the output voltage,from the input voltage to the inductor current,from the duty cycle to the output voltage,from the duty cycle to the inductor current,and the output impedance of the open-loop Buck converter in CCM operation are derived,and their bode diagrams and step responses are calculated,respectively.It is found that all the derived fractional order transfer functions of the system are influenced by the fractional orders of the inductor and the capacitor.Finally,the realization of the fractional order inductor and the fractional order capacitor is designed,and the corresponding PSIM circuit simulation results of the open-loop Buck converter in CCM operation are given to confirm the correctness of the derivations and the theoretical analysis. 展开更多
关键词 Buck converter small signal equivalent circuit model fractional calculus transfer function
下载PDF
用改进的遗传算法从S参数中提取HBT交流小信号等效电路模型参数 被引量:7
16
作者 石瑞英 刘训春 +1 位作者 钱永学 石华芬 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期957-961,共5页
将遗传算法用于 HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进 ,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子 ,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度 .在 1~ 2 6 .5 GHz频率范围内 ,用改进的遗传算法提取了... 将遗传算法用于 HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进 ,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子 ,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度 .在 1~ 2 6 .5 GHz频率范围内 ,用改进的遗传算法提取了 Ga0 .4 9In0 .51 P/ Ga As HBT交流小信号等效电路模型的全部 16个参数 ,得到了令人满意的模拟与测量 S参数的比较结果 . 展开更多
关键词 全局优化遗传算法 小信号等效电路 参数提取 HBT 异质结双极型晶体管
下载PDF
太赫兹平面肖特基二极管参数模型 被引量:6
17
作者 赵向阳 王俊龙 +4 位作者 邢东 杨大宝 张立森 梁士雄 冯志红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第12期151-156,共6页
根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导(CPW)去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频... 根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导(CPW)去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频率范围内进行了高频小信号测试,利用测试结果提取了高频下二极管电路模型中各部分电容、电阻以及电感参数。将相应的高频下电容与电阻参数分别与低频经验公式电容值和直流I-V测试提取的电阻值进行了对比,并利用仿真手段对高频参数模型进行了验证。完整的参数模型以及测试手段相较于理想二极管SPICE模型和传统的参数提取方法可以更为准确地表征器件在高频下的工作状态。该建模思路可用于太赫兹频段非线性电路的优化设计。 展开更多
关键词 太赫兹 肖特基二极管 小信号等效电路模型 在片测试结构
下载PDF
电容耦合单电子晶体管有源负载 被引量:1
18
作者 沈波 蒋建飞 蔡琪玉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期65-67,共3页
本文基于单电子隧道效应的半经典模型,由电容耦合单电子晶体管的本征,电流电压特性出发,研究了在各种组态下,电容耦合单电子晶体管有源负载的本征电流电压特性,讨论了它们的交流小信号等效电路。
关键词 电容耦合 单电子晶体管 有源负载
下载PDF
Intrinsic stability of an HBT based on a small signal equivalent circuit model
19
作者 陈延湖 申华军 +3 位作者 刘新宇 李惠军 徐辉 李玲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期66-69,共4页
Intrinsic stability ofthe heterojunction bipolar transistor (HBT) was analyzed and discussed based on a small signal equivalent circuit model. The stability factor of the HBT device was derived based on a compact T-... Intrinsic stability ofthe heterojunction bipolar transistor (HBT) was analyzed and discussed based on a small signal equivalent circuit model. The stability factor of the HBT device was derived based on a compact T-type small signal equivalent circuit model of the HBT. The effect of the mainly small signal model parameters of the HBT on the stability of the HBT was thoroughly examined. The discipline of parameter optimum to improve the intrinsic stability of the HBT was achieved. The theoretic analysis results of the stability were also used to explain the experimental results of the stability of the HBT and they were verified by the experimental results. 展开更多
关键词 HBT intrinsic stability stability factor small signal equivalent circuit model
原文传递
基于噪声矩阵变换的SiGe HBT射频等效噪声建模 被引量:1
20
作者 曾洪波 王军 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第4期250-253,263,共5页
由于小信号等效电路模型参数的精确提取是高频噪声建模的基础,利用噪声矩阵的变换,给出了硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效噪声电路的建模过程,从器件测量的四个噪声参数中提取了电流散粒噪声,验证了小信号等效噪声电路的有... 由于小信号等效电路模型参数的精确提取是高频噪声建模的基础,利用噪声矩阵的变换,给出了硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效噪声电路的建模过程,从器件测量的四个噪声参数中提取了电流散粒噪声,验证了小信号等效噪声电路的有效性. 展开更多
关键词 硅锗异质结双极型晶体管 小信号等效电路模型 噪声建模 噪声矩阵变换
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部