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一种新型电流镜运算跨导放大器的设计
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作者 赵媛 宋树祥 +3 位作者 刘振宇 岑明灿 蔡超波 蒋品群 《广西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2023年第2期67-75,共9页
针对传统低压微功耗电流镜运算跨导放大器存在低增益和小摆率的缺陷,设计了一款新型电流镜运算跨导放大器。在不影响电路的静态功耗和稳定性的基础上,该运算跨导放大器采用增益提高(gain-boosting,GB)结构,增大了电路的小信号增益;引入... 针对传统低压微功耗电流镜运算跨导放大器存在低增益和小摆率的缺陷,设计了一款新型电流镜运算跨导放大器。在不影响电路的静态功耗和稳定性的基础上,该运算跨导放大器采用增益提高(gain-boosting,GB)结构,增大了电路的小信号增益;引入开关型摆率增强(switched slew-rate enhancement,SSRE)结构,提高了电路的大信号摆率。基于UMC 0.11μm标准CMOS工艺进行电路设计和仿真。仿真结果表明:在1.2 V电源电压和10 pF负载电容下,与传统电流镜运算跨导放大器相比,设计的新型电流镜运算跨导放大器的增益提高了47 dB,正摆率提高了11.2倍,负摆率提高了12.4倍。 展开更多
关键词 增益提高 摆率增强 低功耗 低电压 电流镜 运算跨导放大器
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基于高压摆率误差放大器和摆率增强电路的无片外电容LDO 被引量:2
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作者 邝小飞 孙丹 李龙弟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期387-391,共5页
基于0.35μm CMOS工艺设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(cap-free LDO),通过误差放大器组成的环路控制稳态误差,通过摆率增强电路构成的环路改善瞬态响应。该LDO输出电压为1.72V,压差80mV,最大输出电流50mA。测试结果显示:负载电流... 基于0.35μm CMOS工艺设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(cap-free LDO),通过误差放大器组成的环路控制稳态误差,通过摆率增强电路构成的环路改善瞬态响应。该LDO输出电压为1.72V,压差80mV,最大输出电流50mA。测试结果显示:负载电流(IL)在0.5μs内瞬变50mA时,俯冲电压和过冲电压均为80mV左右,重回稳态的时间均小于1.5μs。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 无片外电容 摆率增强 高压摆率误差放大器
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A low-powerlow-voltage slew-rate enhancement circuit for two-stage operational amplifiers
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作者 束晨 许俊 +1 位作者 叶凡 任俊彦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第9期131-136,共6页
A novel circuit is presented in order to enhance the slew rate of two-stage operational amplifiers. The enhancer utilizes the class-AB input stage to improve current efficiency, while it works on an open loop with reg... A novel circuit is presented in order to enhance the slew rate of two-stage operational amplifiers. The enhancer utilizes the class-AB input stage to improve current efficiency, while it works on an open loop with regard to the enhanced amplifier so that it has no effect on the stability of the amplifier. During the slewing period, the enhancer detects input differential voltage of the amplifier, and produces external enhancement currents for the amplifier, driving load capacitors to charge/discharge faster. Simulation results show that, fora large input step, the enhancerreduces settling time by nearly 50%. When the circuit is employed in a sample-and-hold circuit, it greatly improves the spur-free dynamic range by 44.6 dB and the total harmonic distortion by 43.9 dB. The proposed circuit is very suitable to operate under a low voltage (1.2 V or below) with a standby current of 200 μA. 展开更多
关键词 slew-rate enhancement two-stage operational amplifier low-voltage operation low-powerconsump- tion
原文传递
适用于Flash Memory的快速响应的低压差稳压器
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作者 郭家荣 冉峰 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第10期101-104,共4页
提出一种适用于flash memory的无片外电容的低压差稳压器设计.利用米勒补偿和自适应基准技术获取高稳定性和增强的瞬态.该低压差稳压器利用片内小电容作为频率补偿的同时还通过它的耦合效应形成高速反馈环路以获得快速的瞬态响应.该电... 提出一种适用于flash memory的无片外电容的低压差稳压器设计.利用米勒补偿和自适应基准技术获取高稳定性和增强的瞬态.该低压差稳压器利用片内小电容作为频率补偿的同时还通过它的耦合效应形成高速反馈环路以获得快速的瞬态响应.该电路在低负载情况下具有很低的静态电流和在高负载情况下的高电流效率.提出的稳压器采用90nm工艺,在1.45V到3.8V操作电压范围内,输出1.3V的调制电压和10mA的最大输出电流.对于Flash Memory应用来说,当负载瞬态变化时,提出的低压差稳压器的建立时间仅仅为20ns.芯片面积是40μm*280μm. 展开更多
关键词 低压差稳压器 无片外电容 缓冲级 自适应基准 摆率增强
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大电容负载下的高速、低功耗动态摆率增强电路研究 被引量:2
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作者 叶珍华 杨海钢 +3 位作者 李凡阳 程小燕 尹韬 刘飞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2012年第12期75-79,共5页
本文提出了一种针对大负载电容的高速、低功耗动态摆率增强电路设计方法.电路通过直接监测主运算放大器输入端的差分电平变化,实现对主放大器的动态电流补偿,较大幅度地提高了摆率增强效果.通过改变核心MOS管尺寸,可以实现对摆率增强电... 本文提出了一种针对大负载电容的高速、低功耗动态摆率增强电路设计方法.电路通过直接监测主运算放大器输入端的差分电平变化,实现对主放大器的动态电流补偿,较大幅度地提高了摆率增强效果.通过改变核心MOS管尺寸,可以实现对摆率增强电路开启阈值的调节.通过引入开关控制,可以实现对摆率增强电路的及时"休眠",提高电路的能效.动态摆率增强电路与主运算放大器为并行关系,因此适用于所有结构的运算放大器,通用性强.电路采用0.35μm商业CMOS工艺实现,有效芯片面积0.15×0.15mm2.采用5V单电源供电,测试结果表明,本电路针对400pF大负载电容,可以实现7V/μs的正向摆率及10V/μs的负向摆率,功率消耗6.25μW.该方法与传统的电路结构相比,工作效率显著提高. 展开更多
关键词 高速 低功耗 动态摆率增强电路
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采用AB类源跟随器的无片外电容快速瞬态响应LDO 被引量:6
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作者 姚方舟 张章 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2022年第4期475-480,共6页
文章提出一种快速响应、高稳定性、无片外电容的低压差线性稳压器(low dropout regulator,LDO),应用于无线能量传输系统中的接收端电源管理。采用电容耦合方式感知负载变化,可以有效检测输出端负载跳变,在负载瞬间跳变时增大功率器件栅... 文章提出一种快速响应、高稳定性、无片外电容的低压差线性稳压器(low dropout regulator,LDO),应用于无线能量传输系统中的接收端电源管理。采用电容耦合方式感知负载变化,可以有效检测输出端负载跳变,在负载瞬间跳变时增大功率器件栅极电容的充放电电流,具有摆率增强的作用,增强瞬态响应。缓冲级采用AB类超级源跟随器,实现了动态电流提升,且不会降低电源电压要求或增加静态功耗;同时,引入负反馈实现低阻抗转化将次极点推到更高的频率,提高环路的相位裕度。采用CSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明:输入电压为2.1~4.8 V时,该LDO的输出电压为1.2 V,最大负载电流为300 mA;负载电流在2~300 mA之间变化时,输出电压的最大上冲值和下冲值分别为111、188 mV,响应时间分别为3.2、2.1μs。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 摆率增强 快速瞬态响应 AB类超级源跟随器 无片外电容 缓冲级
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一种快速瞬态响应的LDO设计 被引量:1
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作者 孙力 王志亮 +2 位作者 杨雨辰 谭庶欣 陈靖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期690-698,共9页
针对传统低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应差、电源抑制比(PSRR)低、片外电容大等问题,提出了一种由采样运算放大器和补偿运算放大器构成的新型摆率增强电路,改善了LDO的瞬态响应能力,实现了无片外电容设计。电路基于BCD-120 V CMOS工... 针对传统低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应差、电源抑制比(PSRR)低、片外电容大等问题,提出了一种由采样运算放大器和补偿运算放大器构成的新型摆率增强电路,改善了LDO的瞬态响应能力,实现了无片外电容设计。电路基于BCD-120 V CMOS工艺完成了建模。仿真结果显示,负载电流为50 mA时,10、103和104Hz下的PSRR分别为108、96和80 dB;负载调整率为0.002 95 V·A^(-1);典型TT工艺角25℃/5 V条件下,1μs内负载电流从100μA跳变到500 mA,输出端上冲电压为19.16 mV,响应时间为0.4μs,下冲电压为56.41 mV,响应时间为0.2μs。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 瞬态响应 电源抑制比(PSRR) 无片外电容 摆率增强
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车规级LIN总线中55V摆率增强型LDO 被引量:1
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作者 孙力 王志亮 +2 位作者 崔子豪 章一鸣 陈靖 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第9期776-786,共11页
针对传统车载芯片中高压型低压差线性稳压器(LDO)的负载电流小、电源抑制比低、瞬态响应差等问题,提出了一种增强型高压LDO,通过一种新型高压预调制电路,提高了高压LDO的电源抑制比;通过一种新型摆率增强电路,改善了高压LDO的瞬态响应... 针对传统车载芯片中高压型低压差线性稳压器(LDO)的负载电流小、电源抑制比低、瞬态响应差等问题,提出了一种增强型高压LDO,通过一种新型高压预调制电路,提高了高压LDO的电源抑制比;通过一种新型摆率增强电路,改善了高压LDO的瞬态响应。电路基于BCD-120 V CMOS工艺完成建模,仿真结果显示,电压可调范围为5.5~55 V,输出5 V;负载电流为800 mA;低频电源抑制比为96 dB;1μs内负载电流从1 mA跳变到800 mA时,输出端最大上冲电压为26.6 mV,响应时间为8μs;下冲电压为45.4 mV,响应时间为7μs,满足车规级局域互联网(LIN)总线中高压LDO的性能要求。 展开更多
关键词 高压型低压差线性稳压器(LDO) 高压预调制 负载电流 摆率增强 电源抑制比(PSRR)
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一种应用于SoC的高稳定性无片外电容LDO稳压器 被引量:4
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作者 曾范洋 蒋品群 +2 位作者 宋树祥 蔡超波 刘振宇 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期278-283,共6页
为了减少负载电流瞬态变化对低压差线性稳压器(LDO)输出电压稳定性的不利影响,设计了一种应用于片上系统(SoC)的高稳定性无片外电容LDO稳压器。该电路采用密勒电容倍增补偿和零点-极点跟踪补偿技术,使LDO在不同负载条件下仍具有良好的... 为了减少负载电流瞬态变化对低压差线性稳压器(LDO)输出电压稳定性的不利影响,设计了一种应用于片上系统(SoC)的高稳定性无片外电容LDO稳压器。该电路采用密勒电容倍增补偿和零点-极点跟踪补偿技术,使LDO在不同负载条件下仍具有良好的环路稳定性。同时,通过摆率增强电路来动态调节功率晶体管的栅极电压,改善了LDO的瞬态响应特性。电路采用0.11μm标准CMOS工艺设计。后端仿真结果表明,当电源电压为1.3~3.3 V,最大输出负载电流为50 mA时,LDO输出电压的稳定值为1.21 V,静态电流为35μA,最小相位裕度为64.43°。当负载电流以1μs的时间在1~50 mA之间跃变时,与未加入摆率增强电路的LDO相比,输出电压的下冲幅度减少了126 mV,下降了42.5%;过冲幅度减少了44 mV,下降了20.6%。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 无片外电容 高稳定性 频率补偿 摆率增强
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一种增益和摆率提升的电流镜运算放大器 被引量:4
10
作者 王梦海 张春茗 严展科 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第4期452-456,共5页
提出了一种应用于低压低功耗电路的新型电流镜运算放大器。该运算放大器在传统电流镜运算放大器结构的基础上,在输入级增加电流复用模块,在输出级增加动态调控单元,提升了电路的增益和摆率,且不产生额外的静态功耗,不影响电路的稳定性。... 提出了一种应用于低压低功耗电路的新型电流镜运算放大器。该运算放大器在传统电流镜运算放大器结构的基础上,在输入级增加电流复用模块,在输出级增加动态调控单元,提升了电路的增益和摆率,且不产生额外的静态功耗,不影响电路的稳定性。在UMC 28 nm CMOS工艺下进行设计和验证。仿真结果表明,在1.05 V电源电压下,与传统电流镜运算放大器相比,该运算放大器的摆率提高了11倍,增益提升了20 dB。 展开更多
关键词 电流镜运算放大器 增益提升 摆率提升 低压 低功耗
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一种增益提升和摆率增强的运算跨导放大器 被引量:4
11
作者 吴锋霖 李思臻 +1 位作者 余凯 章国豪 《电子技术应用》 2020年第7期65-69,共5页
为了解决传统电流镜运算跨导放大器(OTA)在低压、低功耗条件下增益和摆率严重受限的问题,提出了一种基于互补翻转电压跟随器(FVF)的运算跨导放大器,有效提升跨导和最大输出电流,从而达到增益提升和摆率增强的目的。采用SMIC 0.18μm CMO... 为了解决传统电流镜运算跨导放大器(OTA)在低压、低功耗条件下增益和摆率严重受限的问题,提出了一种基于互补翻转电压跟随器(FVF)的运算跨导放大器,有效提升跨导和最大输出电流,从而达到增益提升和摆率增强的目的。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计和验证。仿真结果表明,在1.8 V电源电压下,与同等静态功耗的传统电流镜OTA相比,提出的互补FVF型OTA增益提高了11 dB,单位增益带宽提升了2倍,正、负摆率分别提升了6.7倍和6.1倍,比单FVF型OTA有更好的性能提升效果。 展开更多
关键词 运算跨导放大器 增益提升 摆率增强 低压 低功耗
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一种高稳定快速响应的LDO设计 被引量:3
12
作者 闫冬冬 唐威 +1 位作者 王甲柱 张森 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第8期864-870,879,共8页
为了满足超高速集成电路的需求,设计了一种高稳定性和快速瞬态响应的低压差线性稳压器。针对负载变化对频率稳定性产生影响的问题,设计了零极点追踪补偿电路,通过产生一个零点动态地追踪补偿输出极点,使电路在全负载下保持稳定;针对负... 为了满足超高速集成电路的需求,设计了一种高稳定性和快速瞬态响应的低压差线性稳压器。针对负载变化对频率稳定性产生影响的问题,设计了零极点追踪补偿电路,通过产生一个零点动态地追踪补偿输出极点,使电路在全负载下保持稳定;针对负载电流跳变引起输出瞬态变化的问题,设计了摆率增强电路,通过为功率管栅端寄生电容快速充放电,改善了负载瞬态响应与负载调整率。基于0.18μm CMOS工艺完成电路的设计,电路输出电流范围为1~100 mA。仿真结果表明,在零极点追踪电路补偿后,各负载下的相位裕度均能达到80°以上,满足高稳定性的需求。负载电流在最大范围内以1μs跳变时,输出下冲电压为47 mV,稳定时间为1.24μs;过冲电压为40 mV,稳定时间为1.52μs,达到快速瞬态响应的需求。 展开更多
关键词 快速瞬态响应 低压差线性稳压器 零极点追踪补偿电路 摆率增强电路
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一种增益提升和摆率增强的电流镜放大器 被引量:3
13
作者 范国亮 张国俊 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期289-292,共4页
针对低压低功耗条件下传统电流镜运算放大器电压增益和摆率严重降低的问题,提出了一种新型增益提升和摆率增强的CMOS电流镜放大器,并对其小信号增益和摆率进行了详细分析。理论分析表明,在不影响单位增益频率和相位裕度等小信号特性的同... 针对低压低功耗条件下传统电流镜运算放大器电压增益和摆率严重降低的问题,提出了一种新型增益提升和摆率增强的CMOS电流镜放大器,并对其小信号增益和摆率进行了详细分析。理论分析表明,在不影响单位增益频率和相位裕度等小信号特性的同时,极大地提高了增益和摆率。仿真结果表明,与传统的CMOS电流镜放大器相比,该新型CMOS电流镜放大器的增益提高了15dB,正、负摆率分别提高到传统放大器的146倍和187倍。 展开更多
关键词 电流镜放大器 低压低功耗 增益提升 摆率增强
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一种带瞬态增强电路的无电容型LDO 被引量:2
14
作者 李江昆 杨汝辉 +3 位作者 杨康 祝晓辉 甄少伟 罗萍 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期54-57,62,共5页
设计了一种可用于SOC片内供电的新型瞬态增强无电容型线性压差调整器电路。相对于需要由误差放大器、缓冲器和反馈网络三级结构构成的传统LDO,该设计在简单的一级单管控制结构上增加了摆率增强电路(SRE)来实现瞬态响应增强,可以更容易... 设计了一种可用于SOC片内供电的新型瞬态增强无电容型线性压差调整器电路。相对于需要由误差放大器、缓冲器和反馈网络三级结构构成的传统LDO,该设计在简单的一级单管控制结构上增加了摆率增强电路(SRE)来实现瞬态响应增强,可以更容易地进行频率补偿,在简化设计过程的同时,保证了较快的响应速度。 展开更多
关键词 无电容型LDO 瞬态增强 摆率增强
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无片上电容的负载瞬态响应增强型LDO 被引量:1
15
作者 韩旭 张为 +1 位作者 王金川 刘艳艳 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期336-339,共4页
提出了一种无片上电容的低压差线性稳压器(LDO),通过增加转换速率增强电路,对LDO输出电压的变化进行探测,从而对误差放大器偏置电流进行补偿,达到改善负载瞬态响应的目的。该LDO基于0.18μm CMOS工艺设计,输出电压为1.2V,最大负载电流为... 提出了一种无片上电容的低压差线性稳压器(LDO),通过增加转换速率增强电路,对LDO输出电压的变化进行探测,从而对误差放大器偏置电流进行补偿,达到改善负载瞬态响应的目的。该LDO基于0.18μm CMOS工艺设计,输出电压为1.2V,最大负载电流为100mA。仿真和测试结果表明,该LDO的瞬态负载响应改善明显,具有较好的低功耗特性,在保证电路稳定性的前提下,大大减小了芯片的面积。 展开更多
关键词 无片上电容LDO 转换速率增强 低功耗 动态偏置
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一种正反馈摆率增强运算跨导放大器
16
作者 张飞翔 万宵鹏 +3 位作者 甄少伟 张有润 罗萍 张波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期281-284,289,共5页
提出一种正反馈摆率增强运算跨导放大器(OTA),采用共栅输入结构,利用MOS管自身平方率的I-V特性,突破了尾电流对OTA摆率的限制。输入级采用局部正反馈结构,进一步增强了OTA的摆率,电路的增益带宽积也有所提高。基于0.5μm CMOS工艺,5V单... 提出一种正反馈摆率增强运算跨导放大器(OTA),采用共栅输入结构,利用MOS管自身平方率的I-V特性,突破了尾电流对OTA摆率的限制。输入级采用局部正反馈结构,进一步增强了OTA的摆率,电路的增益带宽积也有所提高。基于0.5μm CMOS工艺,5V单电源供电,在静态功耗为150μW,负载电容为10pF的情况下,正向摆率与负向摆率分别为61.1V/μs与23.2V/μs,低频增益为47.6dB,单位增益带宽达到3.62 MHz。在静态电流相同的情况下,提出的摆率增强OTA与传统OTA电路相比,CBF+增大22.2倍,CBF-增大8.3倍。 展开更多
关键词 运算跨导放大器 正反馈 摆率增强
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一种低功耗无片外电容LDO的设计 被引量:5
17
作者 梁绪亮 许高斌 +2 位作者 解光军 程心 易茂祥 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期202-206,共5页
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款输入电压为1.8V、输出电压为1.6V的低功耗无片外电容低压差线性稳压器(LDO),其静态电流仅为5μA。该电路采用一种新型摆率增强电路,通过检测输出电压的变化实现对功率管的瞬态调节。片内采用密勒... 基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款输入电压为1.8V、输出电压为1.6V的低功耗无片外电容低压差线性稳压器(LDO),其静态电流仅为5μA。该电路采用一种新型摆率增强电路,通过检测输出电压的变化实现对功率管的瞬态调节。片内采用密勒补偿使主次极点分离,整个系统在负载范围内具有良好的稳定性。仿真结果显示,该LDO在负载电流以99mA/1μs跳变时,输出电压下冲为59mV,上冲为60mV,响应时间约为1.7μs。 展开更多
关键词 低压差稳压器 摆率增强电路 瞬态响应 静态电流
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高转换速率恒定跨导轨对轨运算放大器的设计 被引量:5
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作者 王松林 陈雷 +1 位作者 叶强 张树春 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期80-83,共4页
基于台积电(TSMC)0.6μmCMOS(互补金属氧化物半导体)工艺设计了一款恒定跨导轨对轨输入/输出运算放大器.不同于传统的实现恒定跨导的技术,在电路设计实现上通过一个简单的检测电路,使互补差分对在整个共模输入电压变化范围内交替工作,... 基于台积电(TSMC)0.6μmCMOS(互补金属氧化物半导体)工艺设计了一款恒定跨导轨对轨输入/输出运算放大器.不同于传统的实现恒定跨导的技术,在电路设计实现上通过一个简单的检测电路,使互补差分对在整个共模输入电压变化范围内交替工作,实现了跨导恒定.同时为了得到较高的转换速率,加入了转换速率增强结构,使转换速率高达116V/μs.在Hspice仿真平台下,对运算放大器进行了模拟仿真,同时经投片验证,结果表明该轨对轨运算放大器具有良好的性能,静态功耗小于1.5mW. 展开更多
关键词 运算放大器 互补金属氧化物半导体(CMOS) 恒定跨导 转换速率增强结构 静态功耗
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