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三元混晶薄膜的导波声子极化激元
1
作者
解佳
包锦
闫祖威
《内蒙古大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2023年第3期243-250,共8页
采用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合麦克斯韦方程组和边界条件,研究了局域于三元混晶薄膜内部的导波声子极化激元的色散关系和电场的空间分布,以及导波模的能量随三元混晶的组分和薄膜厚度的变化关系,并分析了导波模在实...
采用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合麦克斯韦方程组和边界条件,研究了局域于三元混晶薄膜内部的导波声子极化激元的色散关系和电场的空间分布,以及导波模的能量随三元混晶的组分和薄膜厚度的变化关系,并分析了导波模在实验上的可观测性。数值计算结果表明:在三元混晶薄膜系统中存在三组导波声子极化激元,每一组导波声子极化激元都是由许多支离散的导波模组成的,并分别位于由真空中光子的色散曲线和三元混晶体声子极化激元的色散曲线以及三元混晶的体纵、横光学声子的频率曲线围成的三个频率区间内。随着三元混晶组分的增大,其中两组导波模的能量非线性增大,而另外一组导波模的能量则非线性减小。此外,导波模中除了有一支模的频率随薄膜厚度几乎没有变化以外,其余导波模的频率则随薄膜厚度的增加非线性减小。
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关键词
导波声子极化激元
三元混晶
半导体薄膜
下载PDF
职称材料
三元混晶膜的表面激子极化激元
2
作者
张媛媛
梁希侠
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期1026-1030,共5页
运用麦克斯韦方程组和波恩-黄昆(Born-Huang)近似,对几种典型膜材料的三元混晶(TMC)膜中的表面激子极化激元进行了研究和数值计算。结果表明:TMC膜中存在两支激子极化激元表面模,与二元材料定性类似,但定量明显不同;TMC膜两支表面模频...
运用麦克斯韦方程组和波恩-黄昆(Born-Huang)近似,对几种典型膜材料的三元混晶(TMC)膜中的表面激子极化激元进行了研究和数值计算。结果表明:TMC膜中存在两支激子极化激元表面模,与二元材料定性类似,但定量明显不同;TMC膜两支表面模频率和分裂能均随组分非线性变化;非线性程度与混晶膜厚(或频率)有关,在某些膜厚(或频率)下,可呈现非单调性。
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关键词
表面激子极化激元
三元混晶(TMC)
半导体薄膜
原文传递
题名
三元混晶薄膜的导波声子极化激元
1
作者
解佳
包锦
闫祖威
机构
内蒙古农业大学理学院
出处
《内蒙古大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2023年第3期243-250,共8页
基金
国家自然科学基金(No.11664030,12164033)
内蒙古自治区高等学校科学研究项目(NJZZ23036,NZJY21454)项目资助。
文摘
采用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合麦克斯韦方程组和边界条件,研究了局域于三元混晶薄膜内部的导波声子极化激元的色散关系和电场的空间分布,以及导波模的能量随三元混晶的组分和薄膜厚度的变化关系,并分析了导波模在实验上的可观测性。数值计算结果表明:在三元混晶薄膜系统中存在三组导波声子极化激元,每一组导波声子极化激元都是由许多支离散的导波模组成的,并分别位于由真空中光子的色散曲线和三元混晶体声子极化激元的色散曲线以及三元混晶的体纵、横光学声子的频率曲线围成的三个频率区间内。随着三元混晶组分的增大,其中两组导波模的能量非线性增大,而另外一组导波模的能量则非线性减小。此外,导波模中除了有一支模的频率随薄膜厚度几乎没有变化以外,其余导波模的频率则随薄膜厚度的增加非线性减小。
关键词
导波声子极化激元
三元混晶
半导体薄膜
Keywords
guided
wave
phonon
polariton
mode
ternary
mixed
crystal
slabs
of
semiconductor
分类号
O471.3 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
三元混晶膜的表面激子极化激元
2
作者
张媛媛
梁希侠
机构
内蒙古大学物理科学与技术学院
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期1026-1030,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(10764003)
文摘
运用麦克斯韦方程组和波恩-黄昆(Born-Huang)近似,对几种典型膜材料的三元混晶(TMC)膜中的表面激子极化激元进行了研究和数值计算。结果表明:TMC膜中存在两支激子极化激元表面模,与二元材料定性类似,但定量明显不同;TMC膜两支表面模频率和分裂能均随组分非线性变化;非线性程度与混晶膜厚(或频率)有关,在某些膜厚(或频率)下,可呈现非单调性。
关键词
表面激子极化激元
三元混晶(TMC)
半导体薄膜
Keywords
surface
exciton
polaritons
ternary
mixed
crystals（TMC）
slab
of
semiconductor
分类号
O471 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
三元混晶薄膜的导波声子极化激元
解佳
包锦
闫祖威
《内蒙古大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
三元混晶膜的表面激子极化激元
张媛媛
梁希侠
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
原文传递
已选择
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参考文献
引证文献
统计分析
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