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插值法优化基于微磁学模拟的斯格明子半径计算方法
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作者 谭振宇 史宇科 陈继培 《磁性材料及器件》 CAS 2024年第5期1-5,共5页
通过三次样条插值结合傅里叶级数展开的计算方法,对微磁学离散计算模型的模拟结果进行优化处理,提出了一种计算磁性斯格明子和类斯格明子结构半径的方法。分别对圆形、椭圆形斯格明子进行分析,研究结果表明,该方法能够有效减少离散模型... 通过三次样条插值结合傅里叶级数展开的计算方法,对微磁学离散计算模型的模拟结果进行优化处理,提出了一种计算磁性斯格明子和类斯格明子结构半径的方法。分别对圆形、椭圆形斯格明子进行分析,研究结果表明,该方法能够有效减少离散模型对数据取样所带来的影响,提高斯格明子及类斯格明子结构半径计算的精确度。该方法可进一步用于定量表征这类磁结构在动力学过程中出现的形变,以及研究由其形变所衍生的新物理现象和机制。 展开更多
关键词 磁性斯格明子 斯格明子半径 微磁学模拟 离散模型 样条插值 傅里叶级数展开
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