期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
颗粒形貌对银焊膏无压烧结行为的影响
1
作者 王刘珏 瞿昀昊 吉勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第S02期339-343,共5页
本工作选用了不同颗粒形貌的烧结银焊膏,通过对银焊膏低温无压烧结性能、焊点显微组织及力学性能进行系统分析,阐述了不同颗粒形貌银焊膏的连接机理。片状颗粒银焊膏无压烧结驱动力较低,烧结表面存在较多的孔隙,对应焊点的抗剪强度仅为9... 本工作选用了不同颗粒形貌的烧结银焊膏,通过对银焊膏低温无压烧结性能、焊点显微组织及力学性能进行系统分析,阐述了不同颗粒形貌银焊膏的连接机理。片状颗粒银焊膏无压烧结驱动力较低,烧结表面存在较多的孔隙,对应焊点的抗剪强度仅为9.63 MPa,烧结银层断裂时的塑性变形程度较低;球形颗粒银焊膏具有较大的比表面积,能够实现致密化烧结过程,对应的无压烧结银焊点的抗剪强度可以达到25.3 MPa,烧结银层在断裂过程中具有一定程度的塑性变形;复合颗粒银焊膏的焊点抗剪强度则能达到32.5 MPa,主要原因是复合颗粒银焊膏具有更大的堆垛密度和烧结驱动力,同时纳米银颗粒能够有效填充大尺寸银颗粒孔隙,对应的焊点烧结银层呈现出典型的塑性变形特征。 展开更多
关键词 颗粒形貌 烧结银焊膏 无压烧结 显微组织 力学性能
下载PDF
低温烧结型银浆料对半导体芯片贴装性能的影响 被引量:7
2
作者 甘卫平 刘妍 甘梅 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期476-482,共7页
研究低温烧结型银/玻璃体系浆料的成分配比、制备工艺及其半导体芯片贴装烧结工艺,探讨浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的成分对浆料烧结体的微观组织、热导率、线膨胀系数及芯片组装的剪切力之间的影响关系,利用理论模型计算浆料烧结体... 研究低温烧结型银/玻璃体系浆料的成分配比、制备工艺及其半导体芯片贴装烧结工艺,探讨浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的成分对浆料烧结体的微观组织、热导率、线膨胀系数及芯片组装的剪切力之间的影响关系,利用理论模型计算浆料烧结体的热导率和线膨胀系数,分析其理论计算值与实测值差异的影响因素。结果表明:随着玻璃粉含量的增加,浆料烧结体的线膨胀系数及热导率逐渐降低,当银粉和玻璃粉的质量比为7:3,固体混合粉末与有机载体的质量比为8:2时,芯片贴装后可满足热导率和线膨胀系数性能的要求,同时所承受的剪切力最大。 展开更多
关键词 低温烧结型银浆料 线膨胀系数 热导率 剪切力
下载PDF
芯片贴装用银浆料的热物理与力学性能 被引量:2
3
作者 甘卫平 刘妍 张海旺 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期25-28,共4页
针对集成电路半导体芯片贴装,替代金-硅共熔焊或导电胶类粘结剂,研制了一种由银粉、玻璃粉和有机载体组成的低温烧结型银基浆料,其烧结温度峰值为430℃。研究了浆料的成分配比、工艺及其芯片贴装烧结工艺对浆料烧结体的微观组织、αL、... 针对集成电路半导体芯片贴装,替代金-硅共熔焊或导电胶类粘结剂,研制了一种由银粉、玻璃粉和有机载体组成的低温烧结型银基浆料,其烧结温度峰值为430℃。研究了浆料的成分配比、工艺及其芯片贴装烧结工艺对浆料烧结体的微观组织、αL、λ、芯片组装的剪切力和热循环对芯片剪切力的影响规律。结果表明,当ζ(银粉:玻璃粉)=7:3,ζ(固体混合粉末:有机载体)=8:2时,芯片贴装后的综合性能最佳,冷热循环500次后其剪切力仅下降15%。 展开更多
关键词 电子技术 低温烧结型银玻璃粉浆料 半导体芯片贴装
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部