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高温高斜率效率1060 nm单模半导体激光器
1
作者 李睿骁 卢翔孟 +6 位作者 赵伦 张雪阳 廖苗苗 罗庆春 邹佩洪 邱高山 张靖 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第4期557-560,共4页
1060 nm半导体激光器在高能激光系统种子源、空间激光雷达等领域具有广泛的应用,受限于砷化镓体系InGaAs量子阱材料大应力,在1060 nm波段激光器外延生长缺陷密度较高,且由于目前该波段激光器结构设计普遍采用窄波导结构,腔内损耗和非辐... 1060 nm半导体激光器在高能激光系统种子源、空间激光雷达等领域具有广泛的应用,受限于砷化镓体系InGaAs量子阱材料大应力,在1060 nm波段激光器外延生长缺陷密度较高,且由于目前该波段激光器结构设计普遍采用窄波导结构,腔内损耗和非辐射复合水平较高,激光器斜率效率较低,高温特性较差。传统InGaAs压应变量子阱势垒高度较低加剧了激光器的高温特性劣化。文章通过优化激光器外延生长条件并采用应变补偿量子阱结构和厚N包层结构,精确控制材料应力和势垒高度,降低腔内损耗,减小远场发散角,研制出了一种高性能1060 nm单模半导体激光器,斜率效率在85℃时依然超过0.9 W/A。此外,通过引入分布式反馈激光器悬浮掩埋光栅结构实现了激光器波长锁定,斜率效率超过0.7 W/A。 展开更多
关键词 单模激光器 1060 nm半导体激光器 分布式反馈激光器 高斜率效率
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基于周期性电极的窄条单纵模674 nm半导体激光器 被引量：1
2
作者 单肖宁 张晶 +2 位作者 韩金樑 张万里 单肖楠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1428-1433,共6页
报道了中心波长在674 nm的周期性电极窄条形单纵模半导体激光器。其制作工艺简单,仅使用i线光刻技术和普通的刻蚀技术制作的周期性沟槽与周期性电极结构即保证了器件工作在增益耦合机制下,进而实现单纵模激光输出。当注入电流为85 mA、... 报道了中心波长在674 nm的周期性电极窄条形单纵模半导体激光器。其制作工艺简单,仅使用i线光刻技术和普通的刻蚀技术制作的周期性沟槽与周期性电极结构即保证了器件工作在增益耦合机制下,进而实现单纵模激光输出。当注入电流为85 mA、测试温度18℃时,激光器的输出功率为2.603 mW。当注入电流为60 mA时,在不同测试温度下,器件均保持单纵模工作。当室温为16℃时,测得器件的光谱线宽可达到2.42 pm,边模抑制比为47 dB。由于该器件制作成本低,性能优良,可广泛应用于实际生产中。 展开更多
关键词 周期性电极 单纵模激光 半导体激光器
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新型单模半导体激光器实验教学中的关键基础问题讨论
3
作者 吴建伟 《重庆师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期110-113,共4页
半导体激光技术是光学工程硕士研究生的核心专业课程,在掌握激光原理的理论基础知识之上,进行实验研究是十分关键的一个环节,而在半导体激光器的研究与开发中,单模法布里-珀罗半导体激光器是最近几年才发展起来的一种新型结构的激光器... 半导体激光技术是光学工程硕士研究生的核心专业课程,在掌握激光原理的理论基础知识之上,进行实验研究是十分关键的一个环节,而在半导体激光器的研究与开发中,单模法布里-珀罗半导体激光器是最近几年才发展起来的一种新型结构的激光器。笔者对此新型单模半导体激光器件的基本结构和工作原理做介绍,多模激光器在内置反馈外腔的作用下,由于强烈的模式竞争,很容易实现激光器输出具有较高边摸抑制比的单模激光谱,输出的单模激光随激光器操作温度发生漂移。对学生在实验研究过程所遇到的注入锁定行为的关键物理问题做详细的探索性分析和讲解。注入功率和波长失谐是促使激光器发生注入锁定行为的2个重要参数,随波长失谐的增加,使激光器发生注入锁定行为的阈值功率也将被提高,注入功率越高,使激光器发生锁定行为的波长失谐范围也越大。 展开更多
关键词 半导体激光技术 单模半导体激光 结构与原理 注入锁定
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LD相对于铯原子超精细跃迁线的偏频锁定 被引量：3
4
作者 王军民 张天才 谢常德 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期248-252,共5页
对于单纵模半导体激光器（ＬＤ），应用往返两次通过一个声光频移系统的方法，结合铯原子饱和吸收稳频技术，实现了激光频率相对于铯原子Ｄ２线６２Ｓ１／２（Ｆ＝４）→６２Ｐ３／２（Ｆ′＝５）超精细跃迁的偏频锁定。其特点是可通过... 对于单纵模半导体激光器（ＬＤ），应用往返两次通过一个声光频移系统的方法，结合铯原子饱和吸收稳频技术，实现了激光频率相对于铯原子Ｄ２线６２Ｓ１／２（Ｆ＝４）→６２Ｐ３／２（Ｆ′＝５）超精细跃迁的偏频锁定。其特点是可通过调谐声光频移系统的工作频率方便地改变偏频量。 展开更多
关键词 偏频锁定 半导体激光器 铯原子 超精细跃迁
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闪耀光栅弱反馈GaAlAs单模半导体激光器的频率调谐特性 被引量：4
5
作者 王军民 杨炜东 +1 位作者 谢常德 彭墀 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期463-467,共5页
对于单模ＧａＡｌＡｓ半导体激光器，使用一种简单的闪耀光栅外部弱反馈构型，迫使其工作在８５２．１１ｎｍ波长处，得到了２．２ＧＨｚ的频率连续调谐范围，获得的输出功率约为半导体激光器自由运转时的９０％以上。
关键词 半导体激光器 闪耀光栅 频率调谐 镓铝砷
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高斯模耦合效率的一般公式
6
作者 谢晓新 徐森禄 《陕西师大学报（自然科学版）》 CSCD 1989年第4期14-16,共3页
本文用高斯光束近似法分析了半导体激光器与单模光纤的耦合,推导出在横向与角度偏差同时存在下的高斯模耦合效率公式.与原效率公式相比,该公式更具有普遍意义.
关键词 高斯模 耦合效率 半导体激光器
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