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题名基于SRAM型FPGA单粒子效应的故障传播模型
被引量：3
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作者
吴珊
周学功
王伶俐
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机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第8期1976-1984,共9页
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基金
国家自然科学基金(No.61131001)
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文摘
SRAM型FPGA在辐射环境中易受到单粒子翻转的影响,造成电路功能失效.本文基于图论和元胞自动机模型,提出了一种针对SRAM型FPGA单粒子效应的电路故障传播模型.本文将单粒子翻转分为单位翻转和多位翻转来研究,因为多位翻转模型还涉及到了冲突处理的问题.本文主要改进了耦合度的计算方式,通过计算FPGA布局布线中的相关配置位,从而使得仿真的电路故障传播模型更接近于实际电路码点翻转的结果,与以往只计算LUT相关配置位的方法比较,平均优化程度为19.89%.最后阐述了本模型在故障防御方面的一些应用,如找出最易导致故障扩散的元胞.
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关键词
现场可编程门阵列
单粒子翻转
单位翻转
多位翻转
电路故障传播模型
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Keywords
field programmable gate array（FPGA）
single event upset（SEU）
single-bit upset（sbu）
multi-bit upset（MBU）
fault propagation model
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分类号
TN47
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名脉冲激光诱发SRAM单粒子翻转的故障模型分析
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作者
李悦
朱翔
姜会龙
韩建伟
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机构
中国科学院国家空间科学中心
中国科学院大学
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出处
《密码学报》
CSCD
2021年第6期1074-1081,共8页
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基金
国防科技创新特区项目(18-163-21-TS-001-066-01)。
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文摘
针对密码芯片开展故障攻击的关键在于针对存储资源故障模型的精准注入.利用高精度脉冲激光单粒子效应扫描测绘装置,对两款不同工艺尺寸的SRAM器件开展单粒子翻转故障模型试验研究,分析激光能量和存储数据类型对SRAM器件故障触发概率和故障模型分布概率的影响.试验结果表明,在3倍激光能量阈值下,可实现近90%的高故障触发概率,故障类型以多比特翻转为主;在激光能量阈值下,可实现近10%-30%的低故障触发概率,故障类型包含1-bit和2-bit翻转,且1-bit翻转类型所占比例高达80%;在覆盖多个存储单元的的局部区域,存储数据类型对诱发SRAM器件故障模型分布概率的影响较小.
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关键词
激光故障注入
SRAM
故障模型
单比特翻转
多比特翻转
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Keywords
laser fault injection
SRAM
fault model
single-bit upset(sbu)
multiple-bit upset(MBU)
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分类号
TP309.7
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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