期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到8篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
应用于DC/DC的双模冗余抗SET加固方法研究
1
作者 郭仲杰 王亚朋 任瑗 《电力电子技术》 2024年第7期27-32,共6页
基于180 nm商用BCD工艺,研究和模拟了单粒子瞬态效应(SET)对Boost型DC/DC转换器带隙基准(BGR)造成的影响,并针对该影响提出了一种基于双模冗余(DMR)技术的抗SET加固方法。采用自带阈值比较器所构成的SET检测电路实现对基准电压的实时动... 基于180 nm商用BCD工艺,研究和模拟了单粒子瞬态效应(SET)对Boost型DC/DC转换器带隙基准(BGR)造成的影响,并针对该影响提出了一种基于双模冗余(DMR)技术的抗SET加固方法。采用自带阈值比较器所构成的SET检测电路实现对基准电压的实时动态检测,通过脉冲展宽技术来进一步隔离SET的影响,确保了BGR在受到高能粒子入射时,基准电压在较小的跃变下快速恢复。实验结果表明,在输入电压范围2.9~4.5 V、高能粒子的线性能量传递值100 MeV·cm2/mg的条件下,SET所造成的基准电压最大跃变从2.791 V降至38 mV,恢复时间从800 ns减小到18 ns,SET抑制能力达到98.3%,确保了DC/DC转换器的输出电压稳定。与传统RC加固方案进行对比,该方法具有明显的优势,面积优化28.09%,恢复时间提升99%以上。 展开更多
关键词 转换器 单粒子瞬态效应 带隙基准
下载PDF
CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法 被引量：4
2
作者 王祖军 薛院院 +5 位作者 刘敏波 唐本奇 何宝平 姚志斌 盛江坤 马武英 《现代应用物理》 2016年第4期30-36,共7页
针对星用电荷耦合器件(charge coupled device,CCD)在空间环境中遭受的辐射损伤效应,建立了CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法。从辐射模拟源、试验流程、最劣辐照偏置条件、不同能量质子位移损伤等效、质子和中子位移损伤等效等方面... 针对星用电荷耦合器件(charge coupled device,CCD)在空间环境中遭受的辐射损伤效应,建立了CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法。从辐射模拟源、试验流程、最劣辐照偏置条件、不同能量质子位移损伤等效、质子和中子位移损伤等效等方面,研究了CCD空间总剂量效应、位移效应和单粒子瞬态效应地面模拟试验方法,为开展CCD空间辐射损伤效应研究和加固性能考核提供了试验技术支持。 展开更多
关键词 CCD 空间辐射效应 总剂量效应 位移效应 单粒子瞬态效应 地面模拟试验方法
下载PDF
器件与电路参数对SET波形影响仿真研究
3
作者 冯皆凯 罗萍 +2 位作者 吴昱操 胡家轩 袁子俊 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第6期1000-1005,共6页
利用Sentaurus TCAD仿真软件,建立并校准了MOSFET仿真模型。分析了NMOS器件在重离子轰击下产生的SET波形。结果表明,轰击位置在漏极且入射角呈120°时,器件具有最大的峰值电流。通过建立MIX、TCAD、SPICE三种反相器模型并施加重离... 利用Sentaurus TCAD仿真软件,建立并校准了MOSFET仿真模型。分析了NMOS器件在重离子轰击下产生的SET波形。结果表明,轰击位置在漏极且入射角呈120°时,器件具有最大的峰值电流。通过建立MIX、TCAD、SPICE三种反相器模型并施加重离子轰击,研究了不同模拟方式下电路响应对SET波形的影响,指出了采用双指数电流源在SPICE电路中模拟的不准确性。采用MIX模型探究了器件结构及电路环境对SET波形的影响。结果表明,LET能量、栅极长度、轨电压和负载电容都会对SET波形脉宽及平台电流大小产生显著影响,说明了建立SET模拟波形时须综合考虑这些因素。 展开更多
关键词 空间辐射 重离子 单粒子瞬态效应 混合模型仿真 电路响应
下载PDF
采用滤波结构的28nm触发器抗单粒子翻转研究
4
作者 孙雨 赵元富 +4 位作者 岳素格 王亮 李同德 苑靖爽 于春青 《现代应用物理》 2022年第1期129-134,共6页
基于28 nm体硅CMOS工艺,设计了双路滤波的触发器(flip-flop,FF)结构,在传统的双互锁存(dual interlocked cell,DICE)加固基础上,对数据、时钟及复位信号均引入双路滤波结构。为研究不同滤波宽度的加固效果,设计了不同的滤波梯度。试验... 基于28 nm体硅CMOS工艺,设计了双路滤波的触发器(flip-flop,FF)结构,在传统的双互锁存(dual interlocked cell,DICE)加固基础上,对数据、时钟及复位信号均引入双路滤波结构。为研究不同滤波宽度的加固效果,设计了不同的滤波梯度。试验结果表明:当LET值为13.1 MeV·cm^(2)·mg^(-1)的Cl离子和LET值为37.3 MeV·cm^(2)·mg^(-1)的Ge离子分别辐射时,对该加固触发器电路分别以不同滤波宽度对SET进行滤波,可完全抑制SEU,且滤波宽度越大,加固效果越显著。 展开更多
关键词 单粒子瞬态效应 滤波梯度 触发器 单粒子翻转加固 重离子试验
下载PDF
一种模拟单粒子瞬态产生和测量方法 被引量：1
5
作者 何怡刚 赵明 +1 位作者 周健波 张钟韬 《计算机测量与控制》 2020年第10期51-54,共4页
为了提高利用静态随机存取存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)评估集成电路单粒子瞬态(SET)的精度,在瞬态脉冲的产生方面以及瞬态脉冲在FPGA中的传播特性方面进行了研究;提出一种基于IDELAY2延迟元件的瞬态脉冲产生和测量方法,利用... 为了提高利用静态随机存取存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)评估集成电路单粒子瞬态(SET)的精度,在瞬态脉冲的产生方面以及瞬态脉冲在FPGA中的传播特性方面进行了研究;提出一种基于IDELAY2延迟元件的瞬态脉冲产生和测量方法,利用该方法可以连续产生和测量宽度增量为78 ps的正脉冲(0-1-0)和负脉冲(1-0-1),同时在FPGA内部实现8种不同的门电路逻辑链,研究它们对瞬态脉冲宽度的影响;实验结果表明该瞬态脉冲产生和测量方法实现简单,可以在不改变电路布局布线的前提下,改变注入脉冲的宽度,且计算得到的理论脉冲宽度与实际测量的误差小于7%,同时8种不同的门电路逻辑链对瞬态脉冲宽度的影响和门类型以及脉冲类型有关,与初始输入瞬态脉冲宽度无关。 展开更多
关键词 单粒子瞬态效应 IDELAY2延迟元件 SRAM型FPGA 传播特性
下载PDF
卫星有效载荷开关电源单粒子瞬态效应的防护研究
6
作者 阳晓彬 罗聃 +2 位作者 马奎安 朱海 刘永峰 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2201-2208,共8页
本文分析了脉宽调制器(PWM)中单粒子瞬态效应的产生过程、传播机制以及对开关电源的影响,结合卫星有效载荷专用电源的技术特点,提出了一种有效的防护策略。脉冲激光及重离子试验方法均验证了机理分析的正确性和改进措施的有效性。为扫... 本文分析了脉宽调制器(PWM)中单粒子瞬态效应的产生过程、传播机制以及对开关电源的影响,结合卫星有效载荷专用电源的技术特点,提出了一种有效的防护策略。脉冲激光及重离子试验方法均验证了机理分析的正确性和改进措施的有效性。为扫除这类器件在太空应用的重要隐患提供了新的思路。 展开更多
关键词 卫星有效载荷 开关电源 单粒子瞬态效应 脉宽调制器 防护策略
下载PDF
不同能量质子辐照CMOS图像传感器的单粒子瞬态效应研究
7
作者 李钰 文林 郭旗 《现代应用物理》 2024年第3期112-119,共8页
针对空间环境宽能谱质子辐射导致的CMOS图像传感器单粒子效应问题,开展了不同能量质子辐照试验,研究了质子辐照导致CMOS图像传感器单粒子效应的异常现象、图像特征及参数性能变化规律。试验表明,质子辐照主要导致CMOS图像传感器出现明... 针对空间环境宽能谱质子辐射导致的CMOS图像传感器单粒子效应问题,开展了不同能量质子辐照试验,研究了质子辐照导致CMOS图像传感器单粒子效应的异常现象、图像特征及参数性能变化规律。试验表明,质子辐照主要导致CMOS图像传感器出现明显的单粒子瞬态(single event transient,SET)效应现象,包括SET亮斑和亮线。通过对比不同条件下的试验结果,分析了质子能量、积分时间等变化对SET亮斑覆盖像素情况、信号水平的影响规律,并结合TCAD仿真工具,分析了SET亮斑的产生机制。研究结果表明:SET亮斑灰度水平和覆盖像素数目均随辐照质子能量增加而增大;SET亮斑覆盖像素最大灰度值、平均灰度值随CMOS图像传感器积分时间增加而增大,通过调节CMOS图像传感器的积分时间,可以明显改变SET亮斑的特征和器件成像性能;从TCAD软件仿真的微观物理过程获得了SET亮斑随积分时间变化的机制,支持了对试验结果的分析和判断。研究结果可为CMOS图像传感器空间辐射效应评估、抗辐射加固提供试验和理论参考。 展开更多
关键词 质子辐照 空间环境 CMOS图像传感器 单粒子效应 瞬态效应
下载PDF
基于自动检测与动态补偿的DC-DC转换器抗单粒子加固设计方法 被引量：2
8
作者 郭仲杰 刘楠 +2 位作者 卢沪 刘申 曹喜涛 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期983-990,共8页
以Boost型转换器为例进行了DC-DC转换器对单粒子瞬态的敏感性分析,研究了单粒子瞬态对环路响应的影响.基于对环路敏感节点的分析,采用电路与系统级的片上自动检测方法及时获取单粒子能量,进而转化为动态补偿的参数,实现了对不同单粒子... 以Boost型转换器为例进行了DC-DC转换器对单粒子瞬态的敏感性分析,研究了单粒子瞬态对环路响应的影响.基于对环路敏感节点的分析,采用电路与系统级的片上自动检测方法及时获取单粒子能量,进而转化为动态补偿的参数,实现了对不同单粒子能量下的瞬态特性改善.基于商用0.18μm BCD工艺,完成了一款高可靠Boost型转换器电路设计、版图设计与物理验证.实验结果显示,输入电压为2.9~4.5 V,输出电压为5.9~7.9 V,负载能力为55 mA,系统在单粒子瞬态效应的作用下,输出电压的最大波动不超过1 mV,抑制能力达到86.07%以上,能够抵抗LET=100 MeV·cm^(2)/mg的单粒子轰击. 展开更多
关键词 DC-DC转换器 模拟单粒子瞬态效应 误差放大器 抗辐射加固设计
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部