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n型Cu_2O薄膜的简易水热法制备及其光电化学性能 被引量:3
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作者 熊良斌 李双明 +3 位作者 李必慧 曾庆栋 王波云 聂长江 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1271-1278,共8页
采用一种简单的水热法,通过控制反应时间,使用铜片在只含有Cl^-的非含铜前驱物的NaCl溶液中生长出了n型Cu_2O薄膜。对制备的样品进行了X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和光电化学等表征或... 采用一种简单的水热法,通过控制反应时间,使用铜片在只含有Cl^-的非含铜前驱物的NaCl溶液中生长出了n型Cu_2O薄膜。对制备的样品进行了X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和光电化学等表征或测试。本水热法相对其他的水热法工艺更简单,成本更低且能进行快速大规模化的生产。且得到的n型Cu_2O薄膜晶化程度高,经过Cl^-掺杂后,载流子浓度高达9.75×10^(17) cm^(-3),在可见光照射下表现出较好的光电转换性能。光电化学和电化学阻抗谱表明在中等浓度(0.1 mol·L^(-1))NaCl溶液中90℃的条件下水热反应50 h制备的Cu_2O薄膜具有最好的光电性能。 展开更多
关键词 简易水热法 n型Cu2O薄膜 光电化学性能 Cl-掺杂 截流子浓度
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