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题名MEMS硅玻璃阳极键合工艺评价方法
被引量：11
- 1
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作者
谷专元
何春华
何燕华
赵前程
张大成
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机构
华南理工大学电子与信息学院
工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室
北京大学微电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
2017年第10期54-56,共3页
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文摘
为了得到微机电系统(MEMS)加速度计硅—玻璃阳极键合的键合强度,进行了剪切破坏测试,并结合材料力学相关理论,得到键合强度表征方法。通过对实验数据的分析,制定键合强度的失效判据,提出了一种评价硅玻璃键合工艺质量的有效方法,在工程实际中具有一定的参考价值。
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关键词
微机电系统(MEMS)加速度计
硅玻璃阳极键合
键合强度
剪切力
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Keywords
micro-electro-mechanical system （MEMS ） accelerometer
silicon-glass anodic bonding
bonding strength
shear stress
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究
被引量：2
- 2
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作者
阮勇
叶双莉
张大成
任天令
刘理天
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机构
清华大学微电子所微/纳器件与系统实验室
北京大学微电子研究院
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2007年第7期37-39,共3页
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文摘
提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2，硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1，因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应，扫描电镜结果也证明，采用改进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性。硅陀螺测试结果也证明了改进工艺的正确性。
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关键词
微电子机械系统
硅-玻璃阳极键合
硅深刻蚀
刻蚀损伤
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Keywords
MEMS
silicon-glass anodic bonding
silicon DRIE
etching damage
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分类号
TN405.983
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名一种用于恶劣环境下的贴片式MEMS压力传感器
被引量：2
- 3
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作者
宋子军
张聪
赵涌
袁世辉
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机构
航空发动机高空模拟技术重点实验室
中国航发四川燃气涡轮研究院
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出处
《测控技术》
2019年第7期55-58,62,共5页
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文摘
为了降低振动、气流冲击以及外界杂质对压力传感器检测性能及可靠性的影响,满足压力探针与MEMS压力传感器一体化集成设计的要求,设计了一种单电阻贴片式MEMS压力传感器。通过在压敏薄膜下方制作压敏电阻的方式,并通过硅一玻璃阳极键合工艺实现对压敏电阻的真空封装,以隔离传感器使用环境中杂质颗粒对检测性能的影响;另外,在压敏薄膜上方设计两个大尺寸焊盘,通过锡焊(或纤焊)技术实现传感器芯片与外部电路的可靠连接,使传感器在在强振动和冲击载荷环境下仍能正常工作。通过与高精度压力传感对比标定,结果表明:在25~125℃温度范围内,该传感器的灵敏度高于106mV·mA^-1.MPa^-1,非线性度优于0.3%。
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关键词
压力传感器
MEMS
硅-玻璃阳极键合
抗振动冲击
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Keywords
pressure sensor
MEMS
silicon-glass anodic bonding
anti-vibration shock
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分类号
TP212.12
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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