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硅/铝掺杂对针铁矿的表面性质和吸附磷的影响 被引量:2
1
作者 刘鑫 吕青檐 魏世勇 《湖北民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2022年第3期282-288,共7页
为了认识土壤中不同形态氧化铁对无机磷的迁移行为和有效性的影响,在水热条件下制备了针铁矿(Goe)和硅、铝掺杂产物(Goe-Si、Goe-Al),研究了它们的表面性质及其对无机磷酸盐的吸附特性.与Goe比较,Goe-Si和Goe-Al的结晶度降低;Goe、Goe-S... 为了认识土壤中不同形态氧化铁对无机磷的迁移行为和有效性的影响,在水热条件下制备了针铁矿(Goe)和硅、铝掺杂产物(Goe-Si、Goe-Al),研究了它们的表面性质及其对无机磷酸盐的吸附特性.与Goe比较,Goe-Si和Goe-Al的结晶度降低;Goe、Goe-Si和Goe-Al的比表面积分别为36.77、44.26和41.65 m^(2)/g,pH=5.0时样品表面质子电荷量q_(H)分别为0.21、0.30和0.27 mmol/g.Goe对磷酸盐的吸附在70 min时即可达到平衡,Goe-Si和Goe-Al的吸附在150 min以后才趋于平衡;Goe和Goe-Al的动力学吸附过程更适合用二级动力学方程描述(R^(2)分别为0.9986和0.9964),而一级动力学方程对Goe-Si的动力学吸附数据拟合度较好(R^(2)为0.9995).Goe、Goe-Si和Goe-Al对磷酸盐的等温吸附数据都适合用Langmuir吸附模型拟合(R^(2)=0.9804~0.9890),磷的饱和吸附容量(q_(m))分别为21.96、38.48和30.26 mg/g.3种样品吸附磷酸盐的ΔG^(θ)均为负值,ΔH^(θ)和ΔS^(θ)均为正值,表明吸附反应均为自发的吸热过程.这些结果有助于深入认识土壤中不同形态氧化铁与磷酸盐的作用特性,为土壤磷的有效性和环境污染调控提供了科学依据. 展开更多
关键词 针铁矿 硅掺杂 铝掺杂 表面性质 无机磷酸盐 吸附
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硅掺杂石墨烯气凝胶的制备及其电化学性能研究 被引量:3
2
作者 于琦 任帅 +2 位作者 容萍 姜立运 李亚鹏 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第10期96-100,共5页
三维孔状石墨烯气凝胶是一种理想的超级电容器电极材料。以氧化石墨烯为碳源,SiO2为硅源,使用一步水热法合成了高孔隙率的硅掺杂石墨烯气凝胶(Si-GA)。通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和傅里叶变换红外光谱等多种表征方法,完整地揭示了... 三维孔状石墨烯气凝胶是一种理想的超级电容器电极材料。以氧化石墨烯为碳源,SiO2为硅源,使用一步水热法合成了高孔隙率的硅掺杂石墨烯气凝胶(Si-GA)。通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和傅里叶变换红外光谱等多种表征方法,完整地揭示了Si-GA的形貌、晶体结构和化学组分。采用热重分析仪对样品进行热稳定性测试。结果表明,Si-GA在浓度1mol/L的KOH电解液中表现出超高的比电容(348.5F/g,1A/g)和优异的循环稳定性,这也说明Si-GA作为高性能超级电容器电极在能源领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 石墨烯 硅掺杂 水热法 电化学 超级电容器
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非晶硅中磷掺杂固相效率的计算(英文)
3
作者 颜一凡 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1992年第5期83-87,共5页
本文介绍一种简便的计算磷掺杂a-Si中固相效率η(s)的方法.它与隙态密度分布函数g(E)没有明显的依赖关系,而与气相掺杂浓度C(g)直接相关.这种计算η(s)的方法对实验工作者非常有用.
关键词 非晶态 固体 掺杂 固相效率
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SiO2掺杂对ZnO–Pr6O11基压敏电阻性能的影响 被引量:4
4
作者 刘建科 宋帆 +2 位作者 张瑞婷 徐亚宁 田书凯 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1712-1716,共5页
研究了SiO2掺杂对ZnO-Pr6O11基压敏电阻的微观结构、电性能的影响。结果表明:随着SiO2掺杂量的增加,压敏电压从137 V/mm增加到434 V/mm,后又减小到101 V/mm;当SiO2掺杂量为1.5%(摩尔分数)时,非线性系数(α)达到最大(31);当SiO2掺杂量为3... 研究了SiO2掺杂对ZnO-Pr6O11基压敏电阻的微观结构、电性能的影响。结果表明:随着SiO2掺杂量的增加,压敏电压从137 V/mm增加到434 V/mm,后又减小到101 V/mm;当SiO2掺杂量为1.5%(摩尔分数)时,非线性系数(α)达到最大(31);当SiO2掺杂量为3.0%时,压敏电压达到最大,漏电流降到最小(1.1μA/cm^2)。当SiO2掺杂量为1.5%时,损耗角正切值达到最小值;当SiO2掺杂量为4.5%时,相对介电常数达到最大值。实验证实通过SiO2掺杂得到了非线性系数高和低损耗的压敏电阻。 展开更多
关键词 二氧化硅掺杂 氧化锌压敏电阻 微观结构 电学性能
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硅单晶中掺杂元素砷的SRXRF微区分析研究 被引量:2
5
作者 闻莺 《矿冶》 CAS 1999年第3期101-104,共4页
研究了同步辐射X射线微荧光分析法对硅单晶中掺杂元素As的微区分析.利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素As的二维分布图,用四探针法验证了测定结果.实验结果表明,同步辐射X射线微荧光分析法可以成为对半导... 研究了同步辐射X射线微荧光分析法对硅单晶中掺杂元素As的微区分析.利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素As的二维分布图,用四探针法验证了测定结果.实验结果表明,同步辐射X射线微荧光分析法可以成为对半导体材料硅单晶样品准确地进行大面积扫描微区测定的手段.本文用品体生长理论对实验结果进行了讨论. 展开更多
关键词 X荧光分析 硅单晶 掺杂元素 微区分析
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SiO_(2)掺杂对ZnO-Pr_(6)O_(11)基压敏陶瓷电学性能的影响
6
作者 朱桥 曹文斌 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期3206-3211,共6页
采用固相烧结法制备ZnO-Pr_(6)O_(11)-Co_(2)O_(3)-Cr_(2)O_(3)-Er_(2)O_(3)-SiO_(2)压敏陶瓷,研究了SiO_(2)掺杂对ZnO压敏陶瓷的物相、微观形貌、压敏特性和阻抗特性等的影响。结果表明:SiO_(2)具有抑制晶粒生长的作用,随着SiO_(2)掺... 采用固相烧结法制备ZnO-Pr_(6)O_(11)-Co_(2)O_(3)-Cr_(2)O_(3)-Er_(2)O_(3)-SiO_(2)压敏陶瓷,研究了SiO_(2)掺杂对ZnO压敏陶瓷的物相、微观形貌、压敏特性和阻抗特性等的影响。结果表明:SiO_(2)具有抑制晶粒生长的作用,随着SiO_(2)掺杂量增加,晶粒尺寸逐渐减小;SiO_(2)掺杂量为1.0%(摩尔分数)时,ZnO压敏陶瓷的性能最好,生成的第二相物质最多,击穿场强、平均晶界电压、非线性系数、晶界电阻率和晶界势垒高度均为最大,其值分别为435.5 V/mm,1.63 V,17.5,17400 MΩ·cm和0.37 e V,漏电流最小为1μA;与未掺杂SiO_(2)的ZnO压敏陶瓷相比,击穿场强和非线性系数分别提高了3.6倍和6.6倍。 展开更多
关键词 氧化锌压敏陶瓷 二氧化硅掺杂 微观结构 压敏性能 阻抗性能
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Answer to comments on “Fabrication and photovoltaic conversion enhancement of graphene/n-Si Schottky barrier solar cells by electrophoretic deposition”
7
作者 Leifeng Chen Hong He 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2017年第4期63-67,共5页
Here,we reply to comments by Valentic et al.on our paper published in Electrochimica Acta(2014,130:279).They commented that Au nanoparticles played the dominant role on the whole cell's performances in our improve... Here,we reply to comments by Valentic et al.on our paper published in Electrochimica Acta(2014,130:279).They commented that Au nanoparticles played the dominant role on the whole cell's performances in our improved graphene/Si solar cell.We argued that our devices are Au-doped graphene/n-Si Schottky barrier devices,not Au nanoparticles(film)/n-Si Schottky barrier devices.During the doping process,most of the Au nanopatricles covered the surfaces of the graphene.Schottky barriers between doped graphene and n-Si dominate the total cells properties.Through doping,by adjusting and tailoring the Fermi level of the graphene,the Fermi level of n-Si can be shifted down in the graphene/Si Schottky barrier cell.They also argued that the instability of our devices were related to variation in series resistance reduced at the beginning due to slightly lowered Fermi level and increased at the end by the serf-compensation by deep in-diffusion of Au nanoparticles.But for our fabricated devices,we know that an oxide layer covered the Si surface,which makes it difficult for the Au ions to diffuse into the Si layer,due to the continuous growth of SiO2 layer on the Si surface which resulted in series resistance decreasing at first and increasing in the end. 展开更多
关键词 solar cell graphene silicon chemical doping Au nanoparticles
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多孔SnO_2纳米纤维的制备与表征
8
作者 夏鑫 牛潇 +1 位作者 周惠敏 魏取福 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期13-17,共5页
利用静电纺丝及煅烧技术,使用二氧化硅纳米颗粒掺杂及氢氟酸蚀刻后处理技术,成功制备多孔结构的二氧化锡纳米纤维。采用扫描电子显微镜及透射电子显微镜观察氢氟酸蚀刻前后纤维形貌的变化;利用X射线衍射仪及能量色散X射线能谱仪分析二... 利用静电纺丝及煅烧技术,使用二氧化硅纳米颗粒掺杂及氢氟酸蚀刻后处理技术,成功制备多孔结构的二氧化锡纳米纤维。采用扫描电子显微镜及透射电子显微镜观察氢氟酸蚀刻前后纤维形貌的变化;利用X射线衍射仪及能量色散X射线能谱仪分析二氧化锡及掺杂纤维的晶型结构,验证了纤维比表面积的变化。结果表明:随着掺杂二氧化硅颗粒含量的增加,二氧化锡纤维直径变粗,表面粗糙度增加;经过氢氟酸蚀刻后的二氧化锡纳米纤维出现了一定程度的溶胀现象,二氧化硅颗粒成功被蚀刻,纤维比表面积提高。 展开更多
关键词 二氧化锡纳米纤维 静电纺丝 二氧化硅掺杂 比表面积
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MOVPE 生长 Si δ 掺杂 GaAs/Al0.3Ga0.7As 异质结构及其霍耳测量
9
作者 董争 黄平 姚奎鸿 《浙江大学学报(自然科学版)》 CSCD 1998年第6期778-783,共6页
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压MOVPE外延生长的硅δ掺杂GaAs/Al0.3Ga0.7As异质结构,其在15K和300K时的电子迁移率分别为2.6×105cm2/V·s和7300cm2/V·s,二维... 使用自动变温霍耳测试系统测定了减压MOVPE外延生长的硅δ掺杂GaAs/Al0.3Ga0.7As异质结构,其在15K和300K时的电子迁移率分别为2.6×105cm2/V·s和7300cm2/V·s,二维电子浓度分别为4.65×1011/cm2和1.17×1012/cm2,均比相同结构的生长体掺杂GaAs/Al0.3Ga0.7As异质结构样品有很大提高,证实了使用δ掺杂技术取代体掺杂技术可以获得电学性能更佳的GaAs/AlxGa1-xAs异质结构. 展开更多
关键词 霍耳测试 MOVPE 砷化镓 异质结构 铝镓砷化合物
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Si掺杂介孔SO_4^(2-)/TiO_2的非模板剂法合成及表征 被引量:12
10
作者 陈垚翰 沈俊 张昭 《催化学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期356-360,共5页
在不使用模板剂的条件下,以工业硫酸氧钛溶液为原料合成介孔偏钛酸前驱体,再经正硅酸乙酯浸渍焙烧制备了具有良好热稳定性的Si掺杂介孔SO42-/TiO2.采用X射线衍射、N2吸附-脱附、扫描电镜、X射线能谱和傅里叶变换红外光谱等表征方法对样... 在不使用模板剂的条件下,以工业硫酸氧钛溶液为原料合成介孔偏钛酸前驱体,再经正硅酸乙酯浸渍焙烧制备了具有良好热稳定性的Si掺杂介孔SO42-/TiO2.采用X射线衍射、N2吸附-脱附、扫描电镜、X射线能谱和傅里叶变换红外光谱等表征方法对样品的组成和结构进行了分析,并考察了该材料在亚甲基蓝氧化降解反应中的光催化性能.结果表明,在焙烧过程中,被吸附在偏钛酸孔道内的正硅酸乙酯发生水解,并与偏钛酸孔壁上的自由羟基形成Ti-O-Si键;Si进入二氧化钛骨架中,对孔结构起到了支撑作用,从而提高了介孔SO42-/TiO2的热稳定性.700℃焙烧2 h后,Si掺杂介孔SO42-/TiO2材料的比表面积仍达到189 m2/g,平均孔径为2.8 nm.400℃焙烧的样品在亚甲基蓝降解反应中表现出较好的光催化活性. 展开更多
关键词 介孔二氧化钛 硅掺杂 浸渍 热稳定性 光催化
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碱液回流老化制备高表面积二氧化锆 被引量:8
11
作者 尹双凤 徐柏庆 《催化学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第3期214-218,共5页
回流老化由ZrOCl2 水解得到的ZrO(OH) 2 水凝胶 ,然后经焙烧制备了高比表面积的ZrO2 .采用氮吸附、X射线衍射和FT Raman光谱等技术 ,研究了老化温度、老化时间、碱液的碱度和搅拌速度以及焙烧气氛对ZrO2 比表面积、晶相组成和晶粒大小... 回流老化由ZrOCl2 水解得到的ZrO(OH) 2 水凝胶 ,然后经焙烧制备了高比表面积的ZrO2 .采用氮吸附、X射线衍射和FT Raman光谱等技术 ,研究了老化温度、老化时间、碱液的碱度和搅拌速度以及焙烧气氛对ZrO2 比表面积、晶相组成和晶粒大小的影响 .结果表明 ,回流老化可明显提高ZrO2 的比表面积和耐热性 .用比色法分析了样品中Si4+ 杂质的含量 ,结果表明 ,回流老化引起二氧化锆比表面积和热稳定性增大的主要原因是热碱溶液使玻璃容器中的Si4+ 溶解并掺杂至ZrO2 .样品中Si4+ 杂质含量愈大 ,ZrO2 的比表面积和热稳定性愈高 ,ZrO2 的晶粒愈小 .将ZrO(OH) 2 水凝胶在pH =11 5的NH4OH溶液中于 96℃回流老化 2 4h ,再经 6 0 0℃焙烧可获得比表面积高达 30 5m2 / g的无定形ZrO2 ;经 80 0℃焙烧可制得晶粒为 5 2nm ,比表面积为 174m2 / g的四方晶相ZrO2 . 展开更多
关键词 碱液 制备 表面积 二氧化锆 水凝胶 回流老化 纳米氧化物 掺杂 催化剂 载体
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碱液回流老化ZrO(OH)_2制备纳米晶ZrO_2的影响因素 被引量:6
12
作者 尹双凤 李莉 +1 位作者 王恒秀 徐柏庆 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第6期869-877,共9页
通过考察回流老化所用的碱液 (NH4OH ,NaOH和KOH)介质和容器材质 (玻璃和Teflon)对ZrO(OH) 2 凝胶及其焙烧产物ZrO2 的织构 /结构和热稳定性的影响 ,研究了杂质元素掺杂和凝胶溶解 -再沉淀等因素在形成高表面积纳米晶ZrO(OH) 2 /ZrO2 ... 通过考察回流老化所用的碱液 (NH4OH ,NaOH和KOH)介质和容器材质 (玻璃和Teflon)对ZrO(OH) 2 凝胶及其焙烧产物ZrO2 的织构 /结构和热稳定性的影响 ,研究了杂质元素掺杂和凝胶溶解 -再沉淀等因素在形成高表面积纳米晶ZrO(OH) 2 /ZrO2 过程中的作用 .在Teflon容器中 ,以NH4OH为介质 (pH =11.5 )的回流老化对ZrO(OH) 2 /ZrO2 的性质无明显影响 .而使用玻璃容器则可显著提高ZrO(OH) 2 /ZrO2 的表面积、孔容和抗烧结性质 ,并在 80 0℃获得小晶粒 (5~ 7nm)四方晶相ZrO2 纳米晶材料 ;在DTA曲线上ZrO(OH) 2 转变成ZrO2 晶体的温度由回流老化前的 463℃提高到 810~ 840℃ .在以KOH和NaOH为介质 (pH =13 )的实验中 ,使用玻璃容器得到与以NH4OH为介质时相类似的结果 ;但在Teflon容器中只形成低表面积和较大尺寸 (约 2 0nm)以单斜相为主的混合晶相ZrO(OH) 2 ,其在 80 0℃焙烧后形成大晶粒 (3 5nm)单斜相ZrO2 .样品的元素分析结果清楚地揭示出使用玻璃容器时有SiO2 从器壁溶解掺杂进入ZrO(OH) 2 凝胶 .样品的表面积和孔容与杂质Si4+ 含量之间有顺变关系 ,表明Si4+ 掺杂是形成高表面积和大孔容ZrO(OH) 2 /ZrO2 、提高ZrO2 晶化温度以及稳定小晶粒四方晶相ZrO2 的最主要因素 .在不发生Si4+ 掺杂前提下 ,K+ 和Na+ 的? 展开更多
关键词 碱液回流老化 ZrO(OH)2 制备 纳米晶 ZRO2 水凝胶 二氧化锆
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Si掺杂对TiO_2空心微球微结构和光催化性能的影响 被引量:9
13
作者 李纲 刘昉 +1 位作者 阳启华 张昭 《催化学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期286-292,共7页
以葡萄糖、氟钛酸铵和氟硅酸铵为原料,采用一锅水热合成法在葡萄糖聚合形成的胶体碳球表面原位生成了含有Ti/Si物种的前驱物实心微球,再经高温焙烧脱除碳球模板,制得Si掺杂的TiO2空心微球.应用高分辨透射电镜、X射线衍射、X射线光电子... 以葡萄糖、氟钛酸铵和氟硅酸铵为原料,采用一锅水热合成法在葡萄糖聚合形成的胶体碳球表面原位生成了含有Ti/Si物种的前驱物实心微球,再经高温焙烧脱除碳球模板,制得Si掺杂的TiO2空心微球.应用高分辨透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱和N2吸附-脱附等手段对样品进行了表征.结果表明,Si进入到TiO2的晶格,形成的Si–O–Ti键不仅可有效抑制TiO2物相从锐钛矿向金红石转变,而且还能阻碍TiO2纳米晶在焙烧过程中快速长大.随着Si掺杂量的增加,组成空心微球壳层的TiO2纳米晶的平均晶粒度逐渐减小,而空心微球的比表面积和孔体积逐渐增大.以亚甲基蓝(MB)溶液为模拟污染物,考察了紫外光下Si掺杂TiO2空心微球的光催化性能.结果表明,随着Si掺杂量的增加,TiO2空心微球对MB溶液的降解效率显著升高;当Si的摩尔分数为0.5时,空心微球的光催化效率最高,是P25的1.25倍. 展开更多
关键词 硅掺杂 二氧化钛 碳球模板 水热合成 空心微球 光催化
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硅掺杂氧化铝及其载镍催化材料的制备与表征 被引量:6
14
作者 梁旭 刘艳侠 +2 位作者 赵永祥 蒋元力 魏灵朝 《天然气化工—C1化学与化工》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期44-47,55,共5页
以拟薄水铝石为前驱物,分别运用混捏法和浸渍法制备硅掺杂氧化铝载体,并以此氧化铝为载体采用等体积浸渍法制备了负载型镍基催化剂,采用BET、NH3-TPD、XRD、UV-vis及H2-TPR对样品进行了表征。结果表明,两种掺杂方式对氧化铝载体孔结构... 以拟薄水铝石为前驱物,分别运用混捏法和浸渍法制备硅掺杂氧化铝载体,并以此氧化铝为载体采用等体积浸渍法制备了负载型镍基催化剂,采用BET、NH3-TPD、XRD、UV-vis及H2-TPR对样品进行了表征。结果表明,两种掺杂方式对氧化铝载体孔结构影响不大,但对氧化铝表面性质影响较大。混捏法引入硅后,硅进入氧化铝晶格空位,造成氧化铝晶体结构发生变化,使活性组分镍在其表面的分布以晶格空位为主,载体与活性组分间相互作用较强;而浸渍法引入硅的氧化铝表面晶格空位被二氧化硅优先占据,因而负载活性组分后,活性组分镍无法进入氧化铝晶格,只能以游离态分布于表面,与载体之间相互作用较弱,可还原度提高。 展开更多
关键词 氧化铝 硅掺杂 载镍催化材料 二氧化硅 拟薄水铝石粉 制备 表征
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Si^(4+)掺杂对橙红色荧光粉NaBaSi_xP_(1-x)O_4:Eu^(3+)结构和发光性能的影响 被引量:5
15
作者 左修源 陈永杰 +4 位作者 耿秀娟 杨英 申秋 曹爽 王莹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期529-535,共7页
采用高温固相法合成了一系列NaBaSi_xP_(1-x)O_4:Eu^(3+)橙红色荧光粉。表征了荧光粉的晶体结构和发光性能。考察了煅烧温度和Si^(4+)掺杂量对荧光粉结构和发光性能的影响。结果表明:掺杂Si^(4+)对荧光粉的晶型没有明显影响,但是导致了... 采用高温固相法合成了一系列NaBaSi_xP_(1-x)O_4:Eu^(3+)橙红色荧光粉。表征了荧光粉的晶体结构和发光性能。考察了煅烧温度和Si^(4+)掺杂量对荧光粉结构和发光性能的影响。结果表明:掺杂Si^(4+)对荧光粉的晶型没有明显影响,但是导致了晶格膨胀。750℃煅烧时基质已形成NaBaPO_4相,晶型为六方晶系,荧光粉发射峰强度最强。激发光谱由200~280 nm的宽带和310~500 nm的一系列尖峰组成,分别对应于O^(2–)→Eu^(3+)电荷迁移带和Eu^(3+)的f→f能级跃迁吸收,最强激发峰位于393 nm左右,与近紫外LED芯片的发射光谱匹配。在393 nm近紫外光激发下,最强发射峰和次强发射峰分别位于红光616 nm和橙光591 nm附近,分别属于Eu^(3+)的~5D_0→~7F_2和~5D_0→~7F_1特征跃迁。NaBa_(0.92)Si_xP_(1–x)O_4:0.08Eu^(3+)中Si^(4+)的最佳掺杂量为0.02 mol,Na Ba_(0.92)Si_(0.02)P_(0.98)O_4:0.08Eu^(3+)样品在616和591 nm附近的发射强度比单掺杂Eu^(3+)的样品分别提高了66.6%和63.6%。 展开更多
关键词 磷酸钡钠 铕掺杂 橙红色荧光粉 硅掺杂 发光性能
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基于第一性原理的Si掺杂磁铁矿稳定性研究
16
作者 朱洪涛 黎广荣 +3 位作者 方诚 周义朋 方志杰 赵凯 《岩石矿物学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期673-678,共6页
磁铁矿中出现的杂质元素及其赋存形式具有很好的环境指示意义。Si是磁铁矿中常见的杂质之一,尽管Si与Fe在离子半径、化合价、置换能量效应等方面均存在较大差别,但无论磁铁矿的原位成分数据还是湿法化学分析数据均表明,磁铁矿中含有一... 磁铁矿中出现的杂质元素及其赋存形式具有很好的环境指示意义。Si是磁铁矿中常见的杂质之一,尽管Si与Fe在离子半径、化合价、置换能量效应等方面均存在较大差别,但无论磁铁矿的原位成分数据还是湿法化学分析数据均表明,磁铁矿中含有一定数量(热液环境中生成的磁铁矿晶体的SiO_(2)的质量分数可达6.19%)的Si。为探究Si在磁铁矿中是否能稳定存在及其具体存在位置,在VASP中建立Si在磁铁矿中不同位置的模型,然后利用密度泛函理论第一性原理计算Si在磁铁矿晶体中不同位置的形成能,以此判断Si在磁铁矿晶体中的稳定性。结果表明,Si替代磁铁矿八面体中心的Fe的掺杂形成能为-4.13 eV,替代四面体中心的Fe的掺杂形成能为-3.85 eV。值得注意的是,1个磁铁矿原胞内2个Fe^(3+)(四面体中心)全部被Si替代的形成能为-8.87 eV。从掺杂形成能的角度来看,Si在磁铁矿四面体及八面体的中心位置均可存在,但Si代替四面体中心位置的全部Fe^(3+)得到的结构最稳定。 展开更多
关键词 第一性原理 磁铁矿 硅掺杂 形成能
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Dopant Implantation into the Silicon Substrate with Non-Planar Surface 被引量:1
17
作者 Gennady A. Tarnavsky Evgenii V. Vorozhtsov 《Energy and Power Engineering》 2010年第2期73-77,共5页
The influence of technological process parameters (aiming angle and implantation energy) on the distributions of dopant concentrations in a silicon substrate is investigated by computer modeling.
关键词 Computer Modeling silicon doping IMPLANTATION DONOR ACCEPTOR DOPANTS
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TiN及TiSiN涂层在海水环境下的摩擦学行为研究 被引量:2
18
作者 吴斌 鲁侠 +3 位作者 王永欣 李金龙 叶育伟 赵文杰 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期143-148,共6页
目的对比研究海水环境下Ti N及Ti Si N涂层与Al2O3对磨的摩擦磨损行为。方法采用多弧离子镀技术在316L不锈钢及单晶硅片上制备Ti N及Ti Si N涂层。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)及X射线光电子能谱仪(XPS)分析了涂层... 目的对比研究海水环境下Ti N及Ti Si N涂层与Al2O3对磨的摩擦磨损行为。方法采用多弧离子镀技术在316L不锈钢及单晶硅片上制备Ti N及Ti Si N涂层。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)及X射线光电子能谱仪(XPS)分析了涂层的截面形貌及化学组织成分。选择纳米压痕仪测量了Ti N及Ti Si N涂层的硬度及弹性模量,使用UMT-3往复式摩擦试验机研究了人工模拟海水环境下Al2O3与Ti N及Ti Si N涂层对磨后的摩擦磨损行为,并采用扫描电镜(SEM)、电子能谱(EDS)及表面轮廓仪来深入分析了磨痕的摩擦磨损情况。结果研究表明,Ti N涂层的硬度为32.5 GPa,当Si元素掺入涂层以后,Ti Si N涂层的硬度提高到了37 GPa。同时,较之于Ti N涂层,Ti Si N涂层的腐蚀电流密度下降了一个数量级。在摩擦实验中,Ti N涂层的摩擦系数和磨损率分别为0.35和5.21×10-6 mm3/(N·m),而Ti Si N涂层的摩擦系数和磨损率均有明显下降,分别为0.24和1.96×10-6 mm3/(N·m)。结论 Si元素掺杂后能显著提高Ti N涂层在海水环境下的摩擦学性能,主要归因于结构的致密,硬度、韧性、抗腐蚀性的提高及润滑相的形成。 展开更多
关键词 TI N涂层 TI Si N涂层 硅掺杂 摩擦 磨损 润滑 海水
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硅掺杂对LiMn_2O_4锂离子正极材料的电化学性能影响 被引量:2
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作者 曾雷英 《福建冶金》 2018年第4期49-51,共3页
用高温固相法合成了硅掺杂的尖晶石型LiMn_(2-x)Si_xO_4(x=0,0.005,0.010,0.020)。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对样品进行表征,并对合成材料在常温(25℃)和高温(55℃)下的电化学性能进行研究。结果表明:合成的LiMn_(2-x)Si_xO_4... 用高温固相法合成了硅掺杂的尖晶石型LiMn_(2-x)Si_xO_4(x=0,0.005,0.010,0.020)。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对样品进行表征,并对合成材料在常温(25℃)和高温(55℃)下的电化学性能进行研究。结果表明:合成的LiMn_(2-x)Si_xO_4样品没有杂相;材料的首次充放电比容量随着掺杂量的增加先增加后降低,循环性能得到了提高;Si4+离子掺杂可有效提高材料的循环性能,尤其是在高温条件下,当掺杂量x=0.010时,1C循环50圈后容量保持率由未掺杂的87.29%提高到了89.08%。 展开更多
关键词 LIMN2O4 硅掺杂 循环性能
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不同酸性SAPO-34分子筛的制备及其催化合成气制低碳烯烃性能研究 被引量:1
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作者 魏晓娜 李文双 +3 位作者 陈诗通 刘志强 李丽 王闯 《工业催化》 CAS 2022年第2期41-47,共7页
以三乙胺为模板剂,改变初始合成凝胶中n(SiO_(2))∶n(Al_(2)O_(3))调变SAPO-34分子筛的酸性质,合成了不同Si引入量的SAPO-34分子筛,并分别与ZnCrAlO_(x)氧化物进行混合制备双功能催化剂,研究了其催化CO加氢直接合成低碳烯烃的性能。通过... 以三乙胺为模板剂,改变初始合成凝胶中n(SiO_(2))∶n(Al_(2)O_(3))调变SAPO-34分子筛的酸性质,合成了不同Si引入量的SAPO-34分子筛,并分别与ZnCrAlO_(x)氧化物进行混合制备双功能催化剂,研究了其催化CO加氢直接合成低碳烯烃的性能。通过XRD、SEM、NH_(3)-TPD、XRF以及N_(2)吸附-脱附对分子筛的结构、形貌、酸性质和元素组成进行了表征。评价结果表明,在合成的催化剂中,酸性较弱的SP34-0.2分子筛制备的双功能催化剂(ZnCrAlO_(x)/SP34-0.2)表现出最高的低碳烯烃选择性,并且催化剂在经过300 h的连续反应后,低碳烯烃选择性仍维持在81%左右,表明该双功能催化剂具有良好的稳定性。 展开更多
关键词 催化剂工程 合成气制低碳烯烃 硅引入量 酸性 分子筛 ZnCrAlO_(x)氧化物
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