期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
消除硅通孔侧壁刻蚀损伤的方法
1
作者 康建波 商庆杰 王利芹 《电子工艺技术》 2023年第4期10-12,43,共4页
硅通孔刻蚀是TSV技术的重要工序步骤,采用标准博世(Bosch)工艺刻蚀硅通孔(宽为150μm),发现硅通孔侧壁出现多处刻蚀损伤。通过优化Bosch工艺参数增加沉积保护,消除了硅通孔侧壁刻蚀损伤问题,通孔开口差值,即通孔下开口宽度与通孔上开口... 硅通孔刻蚀是TSV技术的重要工序步骤,采用标准博世(Bosch)工艺刻蚀硅通孔(宽为150μm),发现硅通孔侧壁出现多处刻蚀损伤。通过优化Bosch工艺参数增加沉积保护,消除了硅通孔侧壁刻蚀损伤问题,通孔开口差值,即通孔下开口宽度与通孔上开口宽度的差,从原来的22μm减小到13μm。利用优化后的工艺配方对硅通孔和硅腔(宽为1 500μm)同时进行刻蚀时,发现硅腔刻蚀后会产生硅针,不能应用到实际生产。经过多轮次Bosch工艺参数调整,把Bosch工艺沉积步骤的偏置功率设置为10 W,同时解决了硅通孔侧壁刻蚀损伤和硅腔刻蚀出现硅针问题,最终成功应用到MEMS环形器系列产品当中。 展开更多
关键词 硅通孔刻蚀 TSV技术 Bosch工艺 刻蚀损伤 硅腔
下载PDF
高深宽比的TSV制作与填充技术 被引量：4
2
作者 余成昇 许高斌 +2 位作者 陈兴 马渊明 展明浩 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期93-97,共5页
硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用LPCVD... 硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用LPCVD工艺在通孔内沉积的重掺杂多晶硅作为电极引线实现电气互连,并对通孔进行了电阻特性的测试,测试结果表明,通孔阻值约为25Ω,通孔互连的电学特性较好。 展开更多
关键词 硅通孔 ICP刻蚀 LPCVD 重掺杂多晶硅 高深宽比
下载PDF
多次热氧化削减硅通孔内壁扇贝纹 被引量：3
3
作者 王硕 杨发顺 马奎 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第6期1131-1137,共7页
硅通孔(TSV)在三维集成系统中扮演着非常重要的角色。BOSCH刻蚀技术是当前主流的硅通孔刻蚀方法,因为刻蚀和钝化交替进行,这种干法刻蚀工艺不可避免地会在硅通孔的内部形成扇贝纹,其尺度一般在几十纳米到几百纳米不等。扇贝纹会导致后... 硅通孔(TSV)在三维集成系统中扮演着非常重要的角色。BOSCH刻蚀技术是当前主流的硅通孔刻蚀方法,因为刻蚀和钝化交替进行,这种干法刻蚀工艺不可避免地会在硅通孔的内部形成扇贝纹,其尺度一般在几十纳米到几百纳米不等。扇贝纹会导致后续填充的各层材料以及它们之间的界面不平滑,从而严重影响TSV的性能以及三维集成系统的可靠性。高温热氧化时,较高氧气流量可确保硅通孔内部氧气浓度基本均匀,扇贝纹凸起处的二氧化硅生长速率相对较快。交替循环进行高温热氧化和腐蚀二氧化硅,可有效削减硅通孔内壁的扇贝纹。对深宽比为8∶1的硅通孔,经过四次高温热氧化(每次氧化的工艺条件为:1150℃、湿氧氧化10 min)和四次腐蚀二氧化硅后,内壁的扇贝纹起伏最大值从最初的400 nm降到了90 nm。实验结果表明该方法削减扇贝纹的效果十分明显。 展开更多
关键词 扇贝纹 硅通孔 BOSCH刻蚀技术 高温热氧化 三维集成
下载PDF
应用于MEMS封装的TSV工艺研究 被引量：10
4
作者 王宇哲 汪学方 +5 位作者 徐明海 吕植成 徐春林 胡畅 王志勇 刘胜 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第1期62-67,共6页
开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 ... 开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 nm Ti黏附阻挡层和1μm Cu种子层;使用硫酸铜和甲基磺酸铜体系电镀液电镀填充通孔,比较了双面电镀和自下而上电镀工艺;最终获得了硅片厚度370μm、通孔直径60μm TSV加工工艺。测试结果证明:样品TSV无孔隙;其TSV电阻值小于0.01Ω;样品气密性良好。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 微机电系统(MEMS)封装 Bosch工艺 刻蚀 电镀
下载PDF
用于3D封装的带TSV的超薄芯片新型制作方法 被引量：4
5
作者 袁娇娇 吕植成 +4 位作者 汪学方 师帅 吕亚平 张学斌 方靖 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第2期118-123,128,共7页
提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法。具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片。利用两种不同的工艺实现了TSV的制作和硅晶圆局部减薄,一种是利用深反... 提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法。具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片。利用两种不同的工艺实现了TSV的制作和硅晶圆局部减薄,一种是利用深反应离子刻蚀(DRIE)依次打孔和背面减薄,另一种是先利用KOH溶液湿法腐蚀局部减薄,再利用DRIE刻蚀打孔。通过实验优化了KOH和异丙醇(IPA)的质量分数分别为40%和10%。这种方法的优点在于制作出的超薄芯片翘曲度相较于CMP减薄的小,而且两个表面都可以进行表面微加工,使集成度提高。利用这种方法已经在实验室制作出了厚50μm的带TSV的超薄芯片,表面粗糙度达到0.02μm,并无孔洞地电镀填满TSV,然后在两面都制作了凸点,在表面进行了光刻、溅射和剥离等表面微加工工艺。实验结果证实了该方法的可行性。 展开更多
关键词 3D集成 硅通孔(TSV) 减薄 深反应离子刻蚀(DRIE) 湿法腐蚀 电镀
下载PDF
应用于有源芯片三维集成的小孔径高深宽比TSV刻蚀工艺 被引量：4
6
作者 赵鸿 李宝霞 +2 位作者 房玉亮 王文杰 吴玮 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第9期748-753,共6页
为了完成有源芯片上小孔径、高深宽比硅通孔(TSV)的制作,研究了基于电感耦合等离子体(ICP)技术的SiO2微孔深刻蚀工艺,实现了以C4F8/Ar为刻蚀气体源、刻蚀速率为0.612μm/min、刻蚀选择比为2.122、刻蚀角度为80.573°的SiO2微孔刻蚀... 为了完成有源芯片上小孔径、高深宽比硅通孔(TSV)的制作,研究了基于电感耦合等离子体(ICP)技术的SiO2微孔深刻蚀工艺,实现了以C4F8/Ar为刻蚀气体源、刻蚀速率为0.612μm/min、刻蚀选择比为2.122、刻蚀角度为80.573°的SiO2微孔刻蚀;优化了小孔径、高深宽比TSV刻蚀形貌。通过降低衬底温度,消除了"咬边"现象,通过缩短单步循环中刻蚀时间和钝化时间,减小了"扇贝"尺寸,实现了TSV孔径约为5μm、深宽比为10∶1、侧壁光滑、无"咬边"现象的TSV刻蚀。结合优化后的SiO2微孔刻蚀工艺和小孔径、高深宽比TSV刻蚀工艺完成了表面具有约10μm厚的SiO2、孔径约为5μm、深宽比大于10∶1的TSV刻蚀。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 有源芯片 三维集成 SiO2微孔刻蚀 高深宽比
下载PDF
应用于MOEMS集成的TSV技术研究 被引量：3
7
作者 胡正高 盖蔚 +1 位作者 徐高卫 罗乐 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期649-653,共5页
硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参数优化获得了陡直TSV通孔;通过金-金键合及bottom-up法,实现了TSV的无缺陷填充;对填充后的TSV进行电学表... 硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参数优化获得了陡直TSV通孔;通过金-金键合及bottom-up法,实现了TSV的无缺陷填充;对填充后的TSV进行电学表征,测试结果表明,单个TSV的电阻平均值为0.199Ω、相邻两个TSV的电容在无偏压时为170.45 fF、TSV的漏电流在100 V时为9.43 pA,具有良好的电学特性。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 微光机电系统(MOEMS) ICP刻蚀 键合 电镀
下载PDF
基于双面TSV互连技术的超厚硅转接板制备 被引量：3
8
作者 杨海博 戴风伟 +1 位作者 王启东 曹立强 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第7期580-585,592,共7页
为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案。该方案采用Bosch工艺在转接板正面形成300μm深的TSV,通过结合保型性电镀工艺和底部填充电镀工艺进行TSV填充... 为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案。该方案采用Bosch工艺在转接板正面形成300μm深的TSV,通过结合保型性电镀工艺和底部填充电镀工艺进行TSV填充。在转接板背面工艺中首先通过光刻将双面TSV的重叠部分控制在一个理想的范围内,然后经深反应离子刻蚀(DRIE)工艺形成深度为20μm的TSV并完成绝缘层开窗,最后使用保型性电镀完成TSV互连。通过解决TSV刻蚀中侧壁形貌粗糙、TSV底部金属层过薄和光刻胶显影不洁等关键问题,最终得到了双面互连电阻约为20Ω、厚度约为323μm的硅转接板。 展开更多
关键词 转接板 异质集成 硅通孔(TSV) 先进封装 深反应离子刻蚀(DRIE) 保型性电镀
下载PDF
一种基于TSV和激光刻蚀辅助互连的改进型CIS封装 被引量：1
9
作者 梁得峰 盖蔚 +1 位作者 徐高卫 罗乐 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期636-640,共5页
提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进行了研究。采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICP... 提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进行了研究。采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)的方法实现TSV内绝缘隔离;采用激光刻蚀开口和RDL方法实现CIS电极的背部引出;通过采用铝电极电镀镍层的方法解决了激光刻蚀工艺中聚合物溢出影响互连的问题,提高了互连可靠性。对锥形TSV刻蚀参数进行了优化。最终在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅/玻璃键合圆片上实现了含有276个电极的CIS圆片级封装。电性能测试结果表明,CIS圆片级封装具有良好的互连导电性,两个相邻电极间平均电阻值约为7.6Ω。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD) 激光刻蚀 电镀镍 圆片级封装
下载PDF
硅通孔转接板关键工艺技术研究——TSV成孔及其填充技术
10
作者 刘晓阳 陈文录 《印制电路信息》 2019年第11期35-40,共6页
硅通孔(TSV)转接板的2.5D封装是目前产业界和学术界研究的热点技术,而TSV技术是TSV转接板制造的关键。本文研究了TSV转接板制备工艺,设计了工艺试验并进行了试验研究,对TSV孔刻蚀、阻挡层沉积、电镀填孔、CMP等关键工艺进行了试验研究... 硅通孔(TSV)转接板的2.5D封装是目前产业界和学术界研究的热点技术,而TSV技术是TSV转接板制造的关键。本文研究了TSV转接板制备工艺,设计了工艺试验并进行了试验研究,对TSV孔刻蚀、阻挡层沉积、电镀填孔、CMP等关键工艺进行了试验研究和讨论,将所有工艺流程整合,完成了TSV转接板样品制备。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 转接板 刻蚀 填充
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部