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四氯化硅转化技术的现状与发展趋势 被引量:61
1
作者 陈涵斌 李育亮 印永祥 《氯碱工业》 CAS 2009年第4期27-31,共5页
介绍以四氯化硅为原料生产的几种化学产品(气相法白炭黑、硅酸乙酯、多晶硅、光纤材料、三氯氢硅)的生产技术的现状和发展趋势,并分析这些产品的市场容量和对消耗四氯化硅所起的作用。国内多晶硅的大规模生产即将兴起,解决其副产物四氯... 介绍以四氯化硅为原料生产的几种化学产品(气相法白炭黑、硅酸乙酯、多晶硅、光纤材料、三氯氢硅)的生产技术的现状和发展趋势,并分析这些产品的市场容量和对消耗四氯化硅所起的作用。国内多晶硅的大规模生产即将兴起,解决其副产物四氯化硅的最有效的方法是转化为三氯氢硅。着重介绍国内外四氯化硅氢化技术,及笔者正在开发的等离子体四氯化硅还原新工艺。 展开更多
关键词 四氯化硅 转化 三氯氢硅 多晶硅 气相法白炭黑 硅酸乙酯 光纤 等离子体法
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四氯化硅氢化研究进展 被引量:27
2
作者 陈其国 陈涵斌 满慈皊 《氯碱工业》 CAS 2010年第6期27-30,共4页
综述了四氯化硅热氢化法、氯氢化法和等离子体氢化法制备三氯氢硅的最新进展,并对这3种技术进行了对比。
关键词 四氯化硅 三氯氢硅 多晶硅 热氢化 氯氢化 等离子体法氢化
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多晶硅副产物四氯化硅的利用 被引量:17
3
作者 宋佳 曹祖宾 +2 位作者 李会朋 姜召坤 朱元宝 《化学与粘合》 CAS 2011年第1期57-62,共6页
随着绿色能源太阳能的大规模开发利用,光伏电池原料多晶硅的用途越来越广泛。生产多晶硅的方法以西门子法用的最广,在生产多晶硅原料三氯氢硅的过程中会产生大量的副产物四氯化硅,其对环境的污染相当严重,如何处理这些副产物,这个问题... 随着绿色能源太阳能的大规模开发利用,光伏电池原料多晶硅的用途越来越广泛。生产多晶硅的方法以西门子法用的最广,在生产多晶硅原料三氯氢硅的过程中会产生大量的副产物四氯化硅,其对环境的污染相当严重,如何处理这些副产物,这个问题亟待解决。介绍了多种四氯化硅的再利用方法,如可以用来制造气相白炭黑,合成有机硅产品,制备高纯光纤,用锌还原等,其中以四氯化硅加氢生成三氯氢硅最为看好。 展开更多
关键词 多晶硅 副产物 四氯化硅 气相白炭黑 有机硅 高纯光纤 锌还原 加氢 三氯氢硅
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四氯化硅氢化制备三氯氢硅的研究进展 被引量:17
4
作者 刘继三 姚又省 柯曾鹏 《广州化工》 CAS 2010年第1期7-9,共3页
综述了多晶硅副产物四氯化硅的处理方法,将四氯化硅氢化制备三氯氢硅是最有效的方法,此方法不仅处理掉了四氯化硅,同时生成了多晶硅生产的原料三氯氢硅,大幅的降低了生产成本。重点介绍了四氯化硅的氢化,包括热氢化、冷氢化与等离子体... 综述了多晶硅副产物四氯化硅的处理方法,将四氯化硅氢化制备三氯氢硅是最有效的方法,此方法不仅处理掉了四氯化硅,同时生成了多晶硅生产的原料三氯氢硅,大幅的降低了生产成本。重点介绍了四氯化硅的氢化,包括热氢化、冷氢化与等离子体氢化三种方法。 展开更多
关键词 四氯化硅 三氯氢硅 氢化
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影响多晶硅质量的因素 被引量:15
5
作者 董前程 《氯碱工业》 CAS 2012年第9期31-33,共3页
在三氯氢硅加氢还原生产多晶硅过程中,影响产品品质的因素有:三氯氢硅提纯、三氯氢硅加氢还原和外来杂质等。多晶硅分析要求精度高而分析方法中存在不足,建议从整个多晶硅生产工艺来分析和判断多晶硅杂质产生的原因。
关键词 多晶硅 氢气 三氯氢硅 质量 影响因素
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球形硅微粉的制备现状 被引量:10
6
作者 李俊 蒋述兴 《有机硅材料》 CAS 2012年第6期427-431,共5页
介绍了球形硅微粉的制备方法 (火焰法、高温熔融喷射法、等离子体法、气相法、溶胶-凝胶法、沉淀法、微乳液法等),并提出了制备过程中存在的问题及解决办法。
关键词 球形硅微粉 集成电路 四氯化硅 甲基三氯硅烷 正硅酸乙酯 硅酸钠
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四氯化硅氢化工艺研究与探讨 被引量:9
7
作者 陈旭日 朱慧芳 +1 位作者 张建利 赵天生 《石油化工应用》 CAS 2013年第3期81-85,共5页
介绍了国内外多晶硅生产工艺副产物四氯化硅转化为三氯氢硅的两种工艺:热氢化与冷氢化。对两种工艺的特点、过程能耗及发展方向进行了研究与探讨。
关键词 四氯化硅 热氢化 冷氢化 三氯氢硅
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多晶硅副产物四氯化硅的综合应用研究进展 被引量:6
8
作者 赵云 但建明 洪成林 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2014年第7期11-15,共5页
随着清洁能源不断开发利用,光伏产业发展迅速,多晶硅产业应运而生。而生产多晶硅原料三氯氢硅的过程中会产生大量的副产物四氯化硅,其对环境污染较为严重。合理处理副产物四氯化硅,实现多晶硅绿色生产,意义重大。介绍了中国多晶硅副产... 随着清洁能源不断开发利用,光伏产业发展迅速,多晶硅产业应运而生。而生产多晶硅原料三氯氢硅的过程中会产生大量的副产物四氯化硅,其对环境污染较为严重。合理处理副产物四氯化硅,实现多晶硅绿色生产,意义重大。介绍了中国多晶硅副产物四氯化硅的应用现状,详细介绍了四氯化硅制备三氯氢硅、白炭黑、硅酸酯类、光纤原料高纯四氯化硅方面的制备原理、制备工艺及其优缺点,并对未来的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 四氯化硅 三氯氢硅 白炭黑 硅酸酯类 光纤原料高纯四氯化硅
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多晶硅及有机硅工业副产物综合利用技术 被引量:6
9
作者 王跃林 段先健 刘莉 《材料研究与应用》 CAS 2008年第4期269-272,共4页
介绍了我国多晶硅、三氯氢硅、有机硅单体工业的发展现状及其面临的问题——氯硅烷副产物的综合利用问题,提出利用氯硅烷在氢氧焰中进行高温水解缩聚反应,制备纳米级气相二氧化硅,这是既环保又经济的方法.它既解决氯硅烷副产物的出路问... 介绍了我国多晶硅、三氯氢硅、有机硅单体工业的发展现状及其面临的问题——氯硅烷副产物的综合利用问题,提出利用氯硅烷在氢氧焰中进行高温水解缩聚反应,制备纳米级气相二氧化硅,这是既环保又经济的方法.它既解决氯硅烷副产物的出路问题,又能够真正实现节能减排,资源相互利用,对社会、经济和环保具有重大意义. 展开更多
关键词 多晶硅 三氯氢硅 有机硅单体 气相二氧化硅 综合利用
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四氯化硅冷氢化技术研究进展 被引量:6
10
作者 沈峰 陈其国 潘维杰 《中国氯碱》 CAS 2019年第9期18-21,共4页
综述了冷氢化法制备三氯氢硅中四氯化硅反应机理、反应条件、催化剂、无水氯化氢和能量综合利用的最新进展。
关键词 四氯化硅 三氯氢硅 多晶硅 冷氢化
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光化法去除四氯化硅中三氯氢硅的实验研究 被引量:5
11
作者 毛威 苏小平 +3 位作者 王铁艳 袁琴 莫杰 任剑 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2010年第12期37-39,共3页
以市售粗四氯化硅为原料,对光化法去除四氯化硅中常见的三氯氢硅杂质进行了研究。分析了以波长为330~380 nm的紫外线为光源,进行三氯氢硅的光化反应过程中,影响光化效果的主要因素及其相互之间的关系。研究表明:光化时间随着原料量的... 以市售粗四氯化硅为原料,对光化法去除四氯化硅中常见的三氯氢硅杂质进行了研究。分析了以波长为330~380 nm的紫外线为光源,进行三氯氢硅的光化反应过程中,影响光化效果的主要因素及其相互之间的关系。研究表明:光化时间随着原料量的增加而增加;光化时间随着光照强度的减少而增加;氯气与三氯氢硅物质的量比至少大于22∶1;氯气与三氯氢硅物质的量比存在临界值,小于此值时光化时间随氯气与三氯氢硅物质的量比的增大而减少,大于此值时光化时间反而有所增加,光照强度越大此值越小。 展开更多
关键词 四氯化硅 三氯氢硅 光化反应
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四氯化硅热氢化制备三氯氢硅 被引量:5
12
作者 黄友光 郑静 +2 位作者 潘金花 苏国良 黄国强 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期75-77,79,共4页
以四氯化硅和氢气为原料,利用固定床反应器高温热氢化制备三氯氢硅,研究了反应温度、反应空速、反应压力及原料物质的量的比对三氯氢硅收率的影响。结果表明,在一定条件下,升高温度,增大压力,降低空速和增加氢气(H2)与四氯化硅... 以四氯化硅和氢气为原料,利用固定床反应器高温热氢化制备三氯氢硅,研究了反应温度、反应空速、反应压力及原料物质的量的比对三氯氢硅收率的影响。结果表明,在一定条件下,升高温度,增大压力,降低空速和增加氢气(H2)与四氯化硅(SiCl4)物质的量的比,有利于增加三氯氢硅收率;但当反应温度、反应压力、氢气与四氯化硅配比增大到某一值或反应空速降低到某一值时,三氯氢硅收率增加不明显甚至有所降低。实验结果表明,四氯化硅高温热氢化制备三氯氢硅较佳工艺条件是反应温度小于1050℃,反应压力高于0.6MPa(表压),反应空速不大于1000h-1,原料氢气和四氯化硅物质的量的比为4~6。在最佳反应条件下,三氯氢硅收率达到19.81%。 展开更多
关键词 四氯化硅 三氯氢硅 热氢化 氢气
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SiCl_4氢化技术的应用现状及研究进展 被引量:4
13
作者 潘红星 曾亚龙 +1 位作者 朱明 李光明 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2013年第1期154-156,163,共4页
采用氢化技术将四氯化硅转化为三氯氢硅是目前四氯化硅得到合理利用的有效手段。以此为主线,在已有研究工作和生产经验的基础上,从原理上分析了四氯化硅氢化反应,总结了影响氢化转化率的主要因素,提出了合理化建议,为多晶硅的生产提供... 采用氢化技术将四氯化硅转化为三氯氢硅是目前四氯化硅得到合理利用的有效手段。以此为主线,在已有研究工作和生产经验的基础上,从原理上分析了四氯化硅氢化反应,总结了影响氢化转化率的主要因素,提出了合理化建议,为多晶硅的生产提供了有价值的参考。 展开更多
关键词 四氯化硅 氢化 三氯氢硅 多晶硅
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三氯氢硅制备工艺介绍 被引量:4
14
作者 蒋广生 《化学工业与工程技术》 CAS 2011年第6期46-51,共6页
从工艺流程、工艺特点、核心设备结构等方面介绍了国内两种生产多晶硅所需的三氯氢硅制备工艺:改良西门子法和氯氢化法。前者以硅粉和氯化氢为原料制备三氯氢硅,其原料来源广、价格低廉;而后者以难处理的四氯化硅与氢气、硅粉、氯化氢... 从工艺流程、工艺特点、核心设备结构等方面介绍了国内两种生产多晶硅所需的三氯氢硅制备工艺:改良西门子法和氯氢化法。前者以硅粉和氯化氢为原料制备三氯氢硅,其原料来源广、价格低廉;而后者以难处理的四氯化硅与氢气、硅粉、氯化氢为原料制备三氯氢硅,解决了四氯化硅的出路,提高了物料的利用率。两者均能降低能耗,减少污染,对社会、经济、环境具有重要意义。 展开更多
关键词 四氯化硅 三氯氢硅 改良西门子法 氯氢化法
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氢还原后三氯氢硅的杂质控制 被引量:3
15
作者 杨丞杰 宋东明 《化学反应工程与工艺》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期284-288,共5页
为控制还原后三氯氢硅中杂质含量,采用Aspen Plus模拟软件对还原后三氯氢硅提纯塔进行模拟计算,考察了提纯塔的进料量、回流量和采出量对还原后三氯氢硅中硼、磷杂质的影响,并结合实际生产探索还原后三氯氢硅中碳和金属杂质的控制措施... 为控制还原后三氯氢硅中杂质含量,采用Aspen Plus模拟软件对还原后三氯氢硅提纯塔进行模拟计算,考察了提纯塔的进料量、回流量和采出量对还原后三氯氢硅中硼、磷杂质的影响,并结合实际生产探索还原后三氯氢硅中碳和金属杂质的控制措施。结果表明:降低提纯塔进料量,提高提纯塔回流量和采出量能有效降低还原后三氯氢硅中硼、磷杂质含量。对还原炉钟罩、基盘和备品备件进行合理的维护和选用,能有效控制氢还原后三氯氢硅中碳和金属杂质含量。 展开更多
关键词 多晶硅还原 三氯氢硅 杂质控制
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四氯化硅加氢及其催化剂的研究进展 被引量:3
16
作者 解委托 章小林 李小定 《化工设计通讯》 CAS 2012年第6期1-3,47,共4页
综述了处理四氯化硅的方法,并对冷氢化的催化剂进行了系统的介绍,指出冷氢化是以后发展的主要方向,铁、镍催化剂是冷氢化的重点研究方向。
关键词 四氯化硅 氢化 三氯氢硅 催化剂
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四氯化硅制备三氯氢硅技术研究进展 被引量:3
17
作者 郑静 苏国良 +2 位作者 黄国强 王国锋 潘金花 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期14-18,20,共6页
阐述了多晶硅行业的生产背景和现状,概述了由四氯化硅和二氯二氢硅反歧化反应制备三氯氢硅的反歧化方法和四氯化硅氢化制备三氯氢硅的氢化方法,氢化方法主要包括热氢化法、低温催化氢化法、冷氢化法、氯氢化法、等离子体氢化法等,重点... 阐述了多晶硅行业的生产背景和现状,概述了由四氯化硅和二氯二氢硅反歧化反应制备三氯氢硅的反歧化方法和四氯化硅氢化制备三氯氢硅的氢化方法,氢化方法主要包括热氢化法、低温催化氢化法、冷氢化法、氯氢化法、等离子体氢化法等,重点归纳了新型氢化技术低温催化氢化法,并介绍了反歧化方法和多种氢化方法在多晶硅生产过程中的应用,通过对各种方法综合性的分类与讨论,指出了现存方法的优缺点,并对各种方法的应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 多晶硅 四氯化硅 三氯氢硅 反歧化反应 氢化反应
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常压下四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅催化剂性能考察 被引量:2
18
作者 张平 傅吉全 《纳米科技》 2012年第5期62-65,75,共5页
采用镍、铜、镧和铁为活性组分制备单一活性组分催化剂和混合活性组分催化剂,利用反应评价装置,在常压条件下对各催化剂催化性能进行考察,结果表明,单活性组分和混合组分催化剂的转化率和选择性均达到加压冷氢化法水平,混合组分催... 采用镍、铜、镧和铁为活性组分制备单一活性组分催化剂和混合活性组分催化剂,利用反应评价装置,在常压条件下对各催化剂催化性能进行考察,结果表明,单活性组分和混合组分催化剂的转化率和选择性均达到加压冷氢化法水平,混合组分催化剂的稳定性优于单一活性组分催化剂。 展开更多
关键词 四氯化硅 三氯氢硅 冷氢化 浸渍法 活性组分
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催化热氢化法制备三氯氢硅研究进展 被引量:2
19
作者 黄韬 唐思扬 +3 位作者 刘颖颖 周齐领 尹渠军 梁斌 《工业催化》 CAS 2015年第1期8-14,共7页
四氯化硅加氢制备三氯氢硅是新一代多晶硅生产技术中实现副产物四氯化硅变换循环再利用而减少污染的重要手段。在围绕该反应的众多工艺方案中,催化热氢化法能耗低、选择性高,逐渐受到研究者的重视。国内外研究用于催化热氢化法的催化剂... 四氯化硅加氢制备三氯氢硅是新一代多晶硅生产技术中实现副产物四氯化硅变换循环再利用而减少污染的重要手段。在围绕该反应的众多工艺方案中,催化热氢化法能耗低、选择性高,逐渐受到研究者的重视。国内外研究用于催化热氢化法的催化剂主要包括过渡金属类催化剂、碱土金属催化剂和耐高温腐蚀含硅多孔陶瓷。常用加氢类过渡金属催化体系表现出良好的活性,碱土金属催化剂选择性较高、化学性质更稳定。而制约催化热氢化法的问题主要表现在高纯多晶硅生产对于杂质的极低容忍度、苛刻的反应环境以及活性位吸附含氯产物造成单程转化率降低。开发耐高温、抗腐蚀、反应条件下物化性质稳定并易于脱附产物的热氢化催化剂是催化热氢化法发展的主要方向。综述了近年来国内外对于用在催化热氢化法中的各类催化剂的研究进展,并对存在的问题和前景进行分析与展望。 展开更多
关键词 半导体材料 多晶硅 四氯化硅 三氯氢硅 催化热氢化
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Experimental Study on Hydrogenation of SiCl_4 to SiHCl_3 in a Stirred Bed Reactor
20
作者 李庆远 李佩龙 王铁峰 《过程工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期767-773,共7页
The hydrogenation of SiCl_4 to SiHCl_3 was studied in a stirred bed reactor with CuCl catalyst.The properties of the CuCl catalysts and silicon particles before and after the reaction were characterized by SEM,XRD and... The hydrogenation of SiCl_4 to SiHCl_3 was studied in a stirred bed reactor with CuCl catalyst.The properties of the CuCl catalysts and silicon particles before and after the reaction were characterized by SEM,XRD and XPS.The XRD showed that the active component of Cu3Si was formed during the reaction,and the EDX proved the molar ratio of Cu and Si on the region of apertures.The valent of Cu was discussed by XPS before and after the hydrogen reaction.Then the effects of the reaction temperature,pressure,molar ratio of H2 to SiC l4,weight hourly space velocity(WHSV),and catalyst loading were studied.The results showed that the conversion rate of Si Cl4 was about 38%at WHSV of 190 Nm3/(t·h),temperature of 540℃,pressure of 1.8 MPa,catalyst loading of 0.9%(ω),and molar ratio of H2 to Si Cl4 1.7:1.Based on the experemental results,a reaction mechanism was proposed,which involved the continuous consumption of silicon(many apertures was showed on SEM image)and formation of new Cu3Si active component during the hydrogenation reaction. 展开更多
关键词 silicon tetrachloride trichlorosilane HYDROGENATION stirred bed reactor
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