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四氯化硅转化技术的现状与发展趋势 被引量:61
1
作者 陈涵斌 李育亮 印永祥 《氯碱工业》 CAS 2009年第4期27-31,共5页
介绍以四氯化硅为原料生产的几种化学产品(气相法白炭黑、硅酸乙酯、多晶硅、光纤材料、三氯氢硅)的生产技术的现状和发展趋势,并分析这些产品的市场容量和对消耗四氯化硅所起的作用。国内多晶硅的大规模生产即将兴起,解决其副产物四氯... 介绍以四氯化硅为原料生产的几种化学产品(气相法白炭黑、硅酸乙酯、多晶硅、光纤材料、三氯氢硅)的生产技术的现状和发展趋势,并分析这些产品的市场容量和对消耗四氯化硅所起的作用。国内多晶硅的大规模生产即将兴起,解决其副产物四氯化硅的最有效的方法是转化为三氯氢硅。着重介绍国内外四氯化硅氢化技术,及笔者正在开发的等离子体四氯化硅还原新工艺。 展开更多
关键词 四氯化硅 转化 三氯氢硅 多晶硅 气相法白炭黑 硅酸乙酯 光纤 等离子体法
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四氯化硅氢化研究进展 被引量:27
2
作者 陈其国 陈涵斌 满慈皊 《氯碱工业》 CAS 2010年第6期27-30,共4页
综述了四氯化硅热氢化法、氯氢化法和等离子体氢化法制备三氯氢硅的最新进展,并对这3种技术进行了对比。
关键词 四氯化硅 三氯氢硅 多晶硅 热氢化 氯氢化 等离子体法氢化
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多晶硅副产物四氯化硅的综合利用技术 被引量:26
3
作者 王跃林 《精细与专用化学品》 CAS 2009年第2期22-24,共3页
四氯化硅的用途有四个方面:一是氢化还原为三氯氢硅;二是合成气相二氧化硅;三是合成硅酸乙醇;四是提纯为光纤级四氯化硅。
关键词 综合利用技术 四氯化硅 副产物 多晶硅 太阳能利用技术 可再生能源 石油危机 温室效应
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四氯化硅工业应用研究进展 被引量:24
4
作者 吕咏梅 罗鹏举 姚德祎 《氯碱工业》 CAS 2008年第5期25-31,共7页
简述了四氯化硅应用的研究进展,重点介绍了四氯化硅在生产气相法白炭黑、高纯电子化学品、三氯硅烷及其他硅烷、正硅酸乙酯等方面的应用。
关键词 四氯化硅 应用 进展
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三氯氢硅生产现存问题及发展前景 被引量:18
5
作者 聂少林 张颖琴 曹月丛 《氯碱工业》 CAS 2010年第4期24-26,共3页
分析国内三氯氢硅生产中须解决的问题——副产物四氯化硅出路,尾气回收治理,精品三氯氢硅中含硼、磷,探讨了三氯氢硅的市场前景。
关键词 三氯氢硅 四氯化硅 尾气治理 三氯化硼 三氯化磷
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多晶硅副产物四氯化硅的利用 被引量:17
6
作者 宋佳 曹祖宾 +2 位作者 李会朋 姜召坤 朱元宝 《化学与粘合》 CAS 2011年第1期57-62,共6页
随着绿色能源太阳能的大规模开发利用,光伏电池原料多晶硅的用途越来越广泛。生产多晶硅的方法以西门子法用的最广,在生产多晶硅原料三氯氢硅的过程中会产生大量的副产物四氯化硅,其对环境的污染相当严重,如何处理这些副产物,这个问题... 随着绿色能源太阳能的大规模开发利用,光伏电池原料多晶硅的用途越来越广泛。生产多晶硅的方法以西门子法用的最广,在生产多晶硅原料三氯氢硅的过程中会产生大量的副产物四氯化硅,其对环境的污染相当严重,如何处理这些副产物,这个问题亟待解决。介绍了多种四氯化硅的再利用方法,如可以用来制造气相白炭黑,合成有机硅产品,制备高纯光纤,用锌还原等,其中以四氯化硅加氢生成三氯氢硅最为看好。 展开更多
关键词 多晶硅 副产物 四氯化硅 气相白炭黑 有机硅 高纯光纤 锌还原 加氢 三氯氢硅
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四氯化硅氢化制备三氯氢硅的研究进展 被引量:17
7
作者 刘继三 姚又省 柯曾鹏 《广州化工》 CAS 2010年第1期7-9,共3页
综述了多晶硅副产物四氯化硅的处理方法,将四氯化硅氢化制备三氯氢硅是最有效的方法,此方法不仅处理掉了四氯化硅,同时生成了多晶硅生产的原料三氯氢硅,大幅的降低了生产成本。重点介绍了四氯化硅的氢化,包括热氢化、冷氢化与等离子体... 综述了多晶硅副产物四氯化硅的处理方法,将四氯化硅氢化制备三氯氢硅是最有效的方法,此方法不仅处理掉了四氯化硅,同时生成了多晶硅生产的原料三氯氢硅,大幅的降低了生产成本。重点介绍了四氯化硅的氢化,包括热氢化、冷氢化与等离子体氢化三种方法。 展开更多
关键词 四氯化硅 三氯氢硅 氢化
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提高高硅Y型沸石稀土含量的研究 被引量:13
8
作者 杜军 李峥 +1 位作者 达志坚 何鸣元 《石油炼制与化工》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期24-27,共4页
研究发现,四氯化硅气相法制备高硅Y型沸石与稀土离子交换相结合,能使高硅Y型沸石中RE_2O_3含量达到6%~9%,在晶胞常数相近的情况下,与水热法制备USY相比,RE_2O_3含量提高近3倍,有效地提高了高硅Y型沸石的裂化活性和氢转移活性。用XBD... 研究发现,四氯化硅气相法制备高硅Y型沸石与稀土离子交换相结合,能使高硅Y型沸石中RE_2O_3含量达到6%~9%,在晶胞常数相近的情况下,与水热法制备USY相比,RE_2O_3含量提高近3倍,有效地提高了高硅Y型沸石的裂化活性和氢转移活性。用XBD、FT-IB,^(27)Al MAS NMB及BET-N_2吸附方法进行表征,从反应机理和制备工艺上探讨了两种制备方法提高稀土含量的差异,提出及时清理硅铝碎片,保持孔道畅通,是有效提高高硅Y型沸石中稀土含量的关键。 展开更多
关键词 高硅Y型沸石 四氯化硅气相法 催化裂化 催化剂 稀土元素 含量
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气相法白炭黑生产技术的研究 被引量:14
9
作者 严大洲 汤传斌 谢正和 《有色冶金节能》 2010年第6期33-35,共3页
介绍了气相法白炭黑的制备原理与生产工艺,通过解决生产过程中的技术难点及创新点,提高了白炭黑的产品质量,降低了生产成本,促进了资源的循环利用。
关键词 气相法白炭黑 四氯化硅 工艺
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四氯化硅催化氢化合成三氯氢硅机理研究 被引量:14
10
作者 岳晓宁 龙雨谦 +3 位作者 黄韬 蒋炜 陈建钧 梁斌 《分子催化》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期279-286,共8页
针对四氯化硅催化氢化过程采用第一性原理机理对其进行模拟研究,结果表明:没有催化剂时,SiCl4与H2反应能垒为464.45 kJ/mol,反应能量为74.94 kJ/mol,与热力学计算结果 71.85 kJ/mol一致.负载在HZSM-5分子筛上的氯化钡可催化四氯化硅氢... 针对四氯化硅催化氢化过程采用第一性原理机理对其进行模拟研究,结果表明:没有催化剂时,SiCl4与H2反应能垒为464.45 kJ/mol,反应能量为74.94 kJ/mol,与热力学计算结果 71.85 kJ/mol一致.负载在HZSM-5分子筛上的氯化钡可催化四氯化硅氢化反应,其最具催化活性表面为(111)面;H2在BaCl2(111)面上表现排斥性;SiCl4表现为吸附性,可在BaCl2(111)表面稳定吸附并生成.SiCl3自由基,过程吸附能为448.33 kJ/mol;在催化剂BaCl2存在条件下,SiCl4与H2反应为自由基反应,反应步骤能垒为400.23 kJ/mol;氢化过程能垒降为184.97kJ/mol;催化氢化反应过程所需能量为64.20 kJ/mol.催化氢化过程反应条件相对无催化剂过程更为温和. 展开更多
关键词 四氯化硅 催化加氢 第一性原理 自由基 氯化钡
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四氯化硅氢化生产三氯氢硅技术研究 被引量:13
11
作者 万烨 汤传斌 +2 位作者 肖荣辉 毋克力 严大洲 《有色冶金节能》 2010年第6期30-32,共3页
改良西门子法制备多晶硅存在的技术瓶颈是大量副产物四氯化硅难以回收利用。本文针对这一瓶颈,介绍了四氯化硅氢化生产三氯氢硅技术,并研究了反应压力、氢气与四氯化硅配比、反应温度以及硅粉层高度对该技术转化率的影响。同时,还介绍... 改良西门子法制备多晶硅存在的技术瓶颈是大量副产物四氯化硅难以回收利用。本文针对这一瓶颈,介绍了四氯化硅氢化生产三氯氢硅技术,并研究了反应压力、氢气与四氯化硅配比、反应温度以及硅粉层高度对该技术转化率的影响。同时,还介绍了该技术在洛阳中硅高科技有限公司的应用实例。 展开更多
关键词 四氯化硅 三氯氢硅 氢化
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通信光纤原料SiCl_4提纯方法 被引量:12
12
作者 叶启亮 于建国 房鼎业 《化工生产与技术》 CAS 2004年第1期23-25,共3页
四氯化硅是生产石英通信光纤的主要原料,但粗四氯化硅中含有多种杂质,直接影响光纤的损耗特性。为保证光纤具有低损耗,必须对粗四氯化硅进行提纯,最大限度地脱除这些引起光纤吸收损耗的杂质。介绍了精馏法、吸附法、部分水解法及络合法... 四氯化硅是生产石英通信光纤的主要原料,但粗四氯化硅中含有多种杂质,直接影响光纤的损耗特性。为保证光纤具有低损耗,必须对粗四氯化硅进行提纯,最大限度地脱除这些引起光纤吸收损耗的杂质。介绍了精馏法、吸附法、部分水解法及络合法等多种四氯化硅提纯方法,指出了各种方法的优缺点。 展开更多
关键词 通信光纤 提纯 四氯化硅 石英 精馏 吸附 水解 络合
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四氯化硅的应用现状研究 被引量:12
13
作者 吴明明 谈瑛 +1 位作者 侯清麟 王吉清 《湖南工业大学学报》 2010年第6期18-22,共5页
综述了四氯化硅的主要处理方法和应用研究进展。详细介绍了四氯化硅在制备二氧化硅、多晶硅、三氯硅烷及其他硅烷产品方面的应用及其制备原理,并对各制备工艺技术进行了分析。
关键词 四氯化硅 二氧化硅 氢化 等离子体法 多晶硅
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四氯化硅残液处理方法的研究进展 被引量:12
14
作者 黄国强 杨劲 王红星 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1828-1833,共6页
阐述了多晶硅行业的生产背景和现状,介绍了多晶硅行业现今所面临的困境和多晶硅生产中副产物四氯化硅的一般处理方法,并讨论了多晶硅生产中四氯化硅残液的组成和处理难点,概述了多晶硅生产中四氯化硅残液的各种处理方法,主要是水解法、... 阐述了多晶硅行业的生产背景和现状,介绍了多晶硅行业现今所面临的困境和多晶硅生产中副产物四氯化硅的一般处理方法,并讨论了多晶硅生产中四氯化硅残液的组成和处理难点,概述了多晶硅生产中四氯化硅残液的各种处理方法,主要是水解法、过滤法、干燥法、燃烧法等。对各种处理方法进行了综合性的分类与讨论,并指出了现存方法的优缺点,展望了各种方法的应用前景。 展开更多
关键词 多晶硅 四氯化硅 氯硅烷 残液处理
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四氯化硅的氢化处理技术进展 被引量:11
15
作者 王跃 吴青友 印永祥 《四川化工》 CAS 2011年第1期13-17,共5页
改良西门子法多晶硅生产工艺会产生大量的四氯化硅有害气体,为了减少对环境污染,降低生产成本,需要对四氯化硅进行合理利用。通过氢化手段将四氯化硅转化为三氯氢硅能使四氯化硅得到合理有效的利用。本文重点介绍了目前主流的热氢化、... 改良西门子法多晶硅生产工艺会产生大量的四氯化硅有害气体,为了减少对环境污染,降低生产成本,需要对四氯化硅进行合理利用。通过氢化手段将四氯化硅转化为三氯氢硅能使四氯化硅得到合理有效的利用。本文重点介绍了目前主流的热氢化、冷氢化、氯氢化、等离子体氢化、催化氢化等五种四氯化硅氢化处理技术的工艺特点和研究进展,并对各种技术特点进行了评价。 展开更多
关键词 四氯化硅 氢化技术 进展
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硅酸三(二氯丙基)苯酯的合成及表征 被引量:11
16
作者 王彦林 刁建高 +1 位作者 纪孝熹 杨兴 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2011年第5期68-70,共3页
以四氯化硅、苯酚和环氧氯丙烷为原料,合成一种硅卤协同阻燃增塑剂硅酸三(二氯丙基)苯酯.用正交试验探讨反应物质的量比,反应温度以及反应时间等对产率的影响,筛选出最适宜的工艺条件为四氯化硅与苯酚的物质的量比为1∶1,四氯化硅与环... 以四氯化硅、苯酚和环氧氯丙烷为原料,合成一种硅卤协同阻燃增塑剂硅酸三(二氯丙基)苯酯.用正交试验探讨反应物质的量比,反应温度以及反应时间等对产率的影响,筛选出最适宜的工艺条件为四氯化硅与苯酚的物质的量比为1∶1,四氯化硅与环氧氯丙烷的物质的量比为1∶3.3,反应温度为90℃,反应时间为8h,产率为98.2%.并采用FTIR1,H NMR,极限氧指数等表征硅酸三(二氯丙基)苯酯的分子结构及其性能. 展开更多
关键词 四氯化硅 苯酚 环氧氯丙烷 阻燃增塑剂
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球形硅微粉的制备现状 被引量:10
17
作者 李俊 蒋述兴 《有机硅材料》 CAS 2012年第6期427-431,共5页
介绍了球形硅微粉的制备方法 (火焰法、高温熔融喷射法、等离子体法、气相法、溶胶-凝胶法、沉淀法、微乳液法等),并提出了制备过程中存在的问题及解决办法。
关键词 球形硅微粉 集成电路 四氯化硅 甲基三氯硅烷 正硅酸乙酯 硅酸钠
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四氯化硅催化氢化制备三氯氢硅 被引量:10
18
作者 龙雨谦 刘颖颖 +4 位作者 叶龙泼 付勰 蒋炜 周齐岭 梁斌 《工业催化》 CAS 2012年第8期26-30,共5页
针对四氯化硅氢化反应,采用等体积浸渍法制备了以HZSM-5为载体,金属氯化物为活性组分的负载型四氯化硅氢化反应催化剂,考察了催化剂的催化性能,并进行了相应表征。结果表明,碱土金属氯化物对四氯化硅氢化过程有良好的催化效果,在BaCl2... 针对四氯化硅氢化反应,采用等体积浸渍法制备了以HZSM-5为载体,金属氯化物为活性组分的负载型四氯化硅氢化反应催化剂,考察了催化剂的催化性能,并进行了相应表征。结果表明,碱土金属氯化物对四氯化硅氢化过程有良好的催化效果,在BaCl2负载质量分数为1%和反应温度850℃条件下,反应最高转化率为20.20%,选择性83.01%。 展开更多
关键词 催化化学 四氯化硅 催化氢化 HZSM-5 三氯氢硅 活性评价
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硅酸四(氯丙基)酯的合成及其表征 被引量:9
19
作者 刁建高 王彦林 +1 位作者 纪孝熹 康天飞 《化学世界》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期553-555,共3页
以四氯化硅和环氧丙烷为原料,合成硅卤协同阻燃剂硅酸四(氯丙基)酯。探讨了反应物质的量比、反应温度及反应时间等对产品收率的影响,确定最佳工艺条件为四氯化硅与环氧丙烷的物质的量比为1∶4.2,反应温度为75°C,反应时间为6 h,产... 以四氯化硅和环氧丙烷为原料,合成硅卤协同阻燃剂硅酸四(氯丙基)酯。探讨了反应物质的量比、反应温度及反应时间等对产品收率的影响,确定最佳工艺条件为四氯化硅与环氧丙烷的物质的量比为1∶4.2,反应温度为75°C,反应时间为6 h,产品产率为98.5%。并采用FTIR、1HNMR、极限氧指数等表征了硅酸四(氯丙基)酯的分子结构及相关性能。 展开更多
关键词 四氯化硅 环氧丙烷 阻燃剂
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表面活性剂存在下四氯化硅水解制备二氧化硅 被引量:10
20
作者 乔永志 马瑞平 +3 位作者 张志昆 梁丽亚 张云 张向京 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2012年第5期44-46,共3页
多晶硅生产中主要副产物四氯化硅副产量大、腐蚀性强、难以安全处理。笔者以四氯化硅为原料,在表面活性剂存在下制备二氧化硅。研究了物料比例、反应温度、加料速率等因素对产品比表面及产率的影响,采用红外光谱仪、X射线衍射仪、比表... 多晶硅生产中主要副产物四氯化硅副产量大、腐蚀性强、难以安全处理。笔者以四氯化硅为原料,在表面活性剂存在下制备二氧化硅。研究了物料比例、反应温度、加料速率等因素对产品比表面及产率的影响,采用红外光谱仪、X射线衍射仪、比表面积测定仪和扫描电子显微镜对晶体结构、比表面积、产品的形貌进行了表征。结果表明,采用质量浓度0.5 g/L的十二烷基苯磺酸钠(SDBS)溶液为反应底物、四氯化硅加入量为1.5 mol/L(底物)、反应温度为45℃、加料速率为0.35 mol/h,反应混合物具有较好的过滤性能,并可得到粒径分布窄的二氧化硅产品,产品收率可达80%。 展开更多
关键词 四氯化硅 表面活性剂 水解 二氧化硅 比表面积
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