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光伏发电技术经济分析及发展预测 被引量：47
1
作者 曹石亚 李琼慧 +2 位作者 黄碧斌 汪晓露 王乾坤 《中国电力》 CSCD 北大核心 2012年第8期64-68,共5页
分析了光伏发电技术的发展现状和趋势,基于光伏发电系统单位电量发电成本(度电成本)影响因素的分析,结合国外典型光伏发电系统,对中国光伏发电度电成本进行了测算,并对光伏发电发展前景进行了研判,得出2050年前光伏发电发展路线。2020... 分析了光伏发电技术的发展现状和趋势,基于光伏发电系统单位电量发电成本(度电成本)影响因素的分析,结合国外典型光伏发电系统,对中国光伏发电度电成本进行了测算,并对光伏发电发展前景进行了研判,得出2050年前光伏发电发展路线。2020年前光伏产业将实现规模化发展,2020年后光伏发电将逐步成为具备市场竞争力的可再生能源发电技术。 展开更多
关键词 光伏发电 晶硅电池 薄膜电池 聚光太阳能电池 技术经济 规模预测
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硅半导体太阳能电池进展 被引量：42
2
作者 李怀辉 王小平 +5 位作者 王丽军 刘欣欣 梅翠玉 刘仁杰 江振兴 赵凯麟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第19期49-53,共5页
太阳能电池是将太阳能直接转化为电能的装置,也是有效利用太阳能最佳途径之一。作为一种绿色能源,尤其是在核电安全问题面临挑战的今天,太阳能电池被认为是解决能源衰竭和环境污染等一系列重大问题的最佳选择。目前,许多国家正在制订中... 太阳能电池是将太阳能直接转化为电能的装置,也是有效利用太阳能最佳途径之一。作为一种绿色能源,尤其是在核电安全问题面临挑战的今天,太阳能电池被认为是解决能源衰竭和环境污染等一系列重大问题的最佳选择。目前,许多国家正在制订中长期太阳能开发计划,准备在21世纪大规模开发太阳能。当前研究最多同时在生产应用的最广泛的当数硅太阳能电池(如单晶硅、多晶硅、非晶硅等)。通过对各类硅太阳能电池的性能、工艺、转化效率以及制备方法等方面作比较并讨论了它们各自性能的优劣,最后结合当前国内外工业化生产状况,对硅太阳能电池研究现状和各自的最新进展作了比较详细的综述,并简要讨论了硅太阳能电池研究和生产上的前景及趋势。 展开更多
关键词 太阳能电池 硅太阳能电池 单晶硅 多晶硅 非晶硅
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太阳能电池硅转换材料现状及发展趋势 被引量：28
3
作者 魏奎先 戴永年 +2 位作者 马文会 杨斌 于站良 《轻金属》 CSCD 北大核心 2006年第2期52-56,共5页
目前太阳能电池工业转换材料绝大多数都采用硅,而硅材料主要来自于半导体工业的废料。作为硅集成电路和器件用的多晶硅原料的生产普遍采用西门子法。随着光伏产业的迅速发展,来自半导体级硅的废料预计不会明显增加。因此,将不能满足太... 目前太阳能电池工业转换材料绝大多数都采用硅,而硅材料主要来自于半导体工业的废料。作为硅集成电路和器件用的多晶硅原料的生产普遍采用西门子法。随着光伏产业的迅速发展,来自半导体级硅的废料预计不会明显增加。因此,将不能满足太阳能电池用硅的需求,硅原料已经成为光伏产业发展的最主要的瓶颈之一。为了满足太阳能电池工业健康发展,研究开发一个不依赖于半导体硅生产的低成本太阳能级硅供应体系是非常必要的。 展开更多
关键词 多晶硅 太阳能电池 太阳级硅
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硅太阳电池稳步走向薄膜化 被引量：16
4
作者 卢景霄 张宇翔 +5 位作者 王海燕 靳锐敏 张丽伟 陈永生 郜小勇 杨仕娥 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期444-450,共7页
考察了硅太阳电池在光伏产业中所处的地位,分析了薄膜硅太阳电池的发展趋势。指出硅太阳电池在未来15a仍将保持优势地位,并继续沿着晶硅电池和薄膜硅电池两个方向发展。在此发展过程中,两个发展方向的主流很可能会汇合到一起,共同促使... 考察了硅太阳电池在光伏产业中所处的地位,分析了薄膜硅太阳电池的发展趋势。指出硅太阳电池在未来15a仍将保持优势地位,并继续沿着晶硅电池和薄膜硅电池两个方向发展。在此发展过程中,两个发展方向的主流很可能会汇合到一起,共同促使低成本、高效率、高可靠薄膜晶硅电池的诞生和产业化,从而继续保持硅太阳电池的优势地位。 展开更多
关键词 硅太阳电池 薄膜硅
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玻璃粉的润湿性对硅太阳电池性能的影响 被引量：19
5
作者 张亚萍 杨云霞 +3 位作者 郑建华 丁丽华 花巍 陈国荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1022-1026,共5页
用快速烧结法制备了硅太阳电池片,讨论了作为硅太阳电池高温黏结相的PbO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃的润湿能力对Ag/Si欧姆接触,银粉烧结和电极导电机制的影响。采用平行板黏度计测定了玻璃的黏度-温度曲线并确定了软化温度;用扫描电子显微镜... 用快速烧结法制备了硅太阳电池片,讨论了作为硅太阳电池高温黏结相的PbO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃的润湿能力对Ag/Si欧姆接触,银粉烧结和电极导电机制的影响。采用平行板黏度计测定了玻璃的黏度-温度曲线并确定了软化温度;用扫描电子显微镜对电极表面的微观结构进行了分析;通过对电流-电压特性曲线的分析得到了串联电阻、填充因子、开路电压、效率等性能数据。结果表明:玻璃的软化温度越低,电极结构越致密,说明良好的润湿能力有助于银粉烧结;玻璃的润湿能力不仅对形成Ag/Si接触的重结晶银晶粒尺寸和数量有影响,还是决定导电机制的重要因素。因此,具有适当润湿能力的玻璃粉是获得最佳电池性能的关键因素之一。 展开更多
关键词 玻璃粉 润湿性 硅太阳电池 导电性能
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太阳光伏阵列的温度与红外特性分析 被引量：16
6
作者 王培珍 沈玉樑 杨维翰 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期82-85,共4页
反常的温度分布往往能反映设备的非正常运行状态。红外图像为有效测量物体的温度及相对温度分布提供了便捷的途径。本文分别从理论和实验上分析与验证了太阳光伏阵列在正常光照、遮挡、故障以及典型负载、开路、短路等情况下的温度变化... 反常的温度分布往往能反映设备的非正常运行状态。红外图像为有效测量物体的温度及相对温度分布提供了便捷的途径。本文分别从理论和实验上分析与验证了太阳光伏阵列在正常光照、遮挡、故障以及典型负载、开路、短路等情况下的温度变化及相应的红外图像,为进一步在大面积的太阳光伏利用中实现非接触式的在线检测与故障分析提供依据。 展开更多
关键词 温度 红外图像 太阳光伏阵列 在线检测 故障分析
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多晶硅太阳电池的表面和界面复合 被引量：10
7
作者 陈庭金 刘祖明 涂洁磊 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期133-139,共7页
根据晶格的周期性排列中断而在边界产生悬挂键理论 ,分析了多晶硅太阳电池的表面和界面复合问题 ,指出对表面和界面进行钝化和建立合适的表面和界面场是降低表面和界面对光生少数载流子的复合速度 ,从而降低表面和界面复合电流 ,提高光... 根据晶格的周期性排列中断而在边界产生悬挂键理论 ,分析了多晶硅太阳电池的表面和界面复合问题 ,指出对表面和界面进行钝化和建立合适的表面和界面场是降低表面和界面对光生少数载流子的复合速度 ,从而降低表面和界面复合电流 ,提高光电流输出的重要方法。 展开更多
关键词 多晶硅 太阳电池 表面 界面
全文增补中
非晶硅叠层太阳能电池的现状与发展方向 被引量：10
8
作者 李毅 胡盛明 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第3期222-225,共4页
对非晶硅叠层太阳能电池的现状及发展动态进行了综述。分析了目前阻碍非晶硅太阳能电池进一步发展和应用的制约因素 ,提出了非晶硅叠层太阳能电池是今后进一步开发非晶硅太阳能电池的重要方向。介绍了美国Solarex公司的 4平方英尺和 8... 对非晶硅叠层太阳能电池的现状及发展动态进行了综述。分析了目前阻碍非晶硅太阳能电池进一步发展和应用的制约因素 ,提出了非晶硅叠层太阳能电池是今后进一步开发非晶硅太阳能电池的重要方向。介绍了美国Solarex公司的 4平方英尺和 8平方英尺叠层非晶硅太阳能电池的生产线及其工艺 ,并就低成本大批量生产具有较高稳定性的叠层太阳能电池的关键技术如选择和制备优质底电池的i层材料。 展开更多
关键词 非晶硅 叠层太阳能电池 薄膜 稳定转化效应
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电致发光成像技术在硅太阳能电池隐性缺陷检测中的应用 被引量：13
9
作者 李艳华 潘淼 +3 位作者 庞爱锁 武智平 郑兰花 陈朝 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期378-382,共5页
论述了一种利用硅太阳能电池在一定偏压下的电致发光（Electrolum inescence,EL）成像来检测硅太阳能电池隐性缺陷的方法。硅太阳能电池的EL波长范围为850~1200 nm。正向偏压下的EL光强反映了少数载流子的浓度及其扩散长度,而反向偏压下... 论述了一种利用硅太阳能电池在一定偏压下的电致发光（Electrolum inescence,EL）成像来检测硅太阳能电池隐性缺陷的方法。硅太阳能电池的EL波长范围为850~1200 nm。正向偏压下的EL光强反映了少数载流子的浓度及其扩散长度,而反向偏压下的EL区和发光强度对应于电池的缺陷区域和缺陷密度。用硅CCD相机对硅太阳能电池的EL快速成像,然后根据EL成像的明暗强度可检测出电池的隐性缺陷。由于内在缺陷处EL强度比外在缺陷处受温度的影响更敏感,所以可利用电池缺陷处EL强度随温度变化的差异来辨别缺陷的类型。 展开更多
关键词 硅太阳能电池 EL 隐性缺陷 硅CCD相机
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用化学腐蚀制备多孔硅太阳电池减反射膜的研究 被引量：8
10
作者 谢荣国 席珍强 +2 位作者 马向阳 袁俊 杨德仁 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第4期507-509,567,共4页
采用HF HNO3溶液化学腐蚀 ,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜 ,借助原子力显微镜 (AFM)和X光电子谱 (XPS)对其表面形貌和成分进行观察 ,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性 ,其主要成分为非化学配比的... 采用HF HNO3溶液化学腐蚀 ,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜 ,借助原子力显微镜 (AFM)和X光电子谱 (XPS)对其表面形貌和成分进行观察 ,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性 ,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X <2 )。采用带积分球的光度分光计 ,测得形成多孔硅减反射膜后 ,硅片表面反射率大大下降 ,,在波长 330～ 80 0nm范围反射率只有 1 5～ 2 9%。研究指出这种强减反射作用 。 展开更多
关键词 化学腐蚀 制备 多孔硅 太阳电池 减反射膜 硅片 氢氟酸 硝酸
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多晶硅太阳电池用SiN薄膜的研究进展 被引量：10
11
作者 王晓泉 杨德仁 席珍强 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第3期23-25,共3页
SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用,已经越来越广泛地应用于多晶硅太阳电池的制造工艺中。介绍了SiN薄膜在硅太阳电池中的性质,制备方法等研究现状,同时提出了存在的问题并展望了今后的发展趋势。
关键词 SIN 多晶硅 PECVD 太阳电池 氮化硅薄膜 研究进展 性质 制备
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绒面ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜的制备 被引量：8
12
作者 付恩刚 方玲 +1 位作者 庄大明 张弓 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期672-676,共5页
利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(98wt%ZnO+2wt%Al2O3)陶瓷靶材制备了绒面ZAO(ZnO∶Al)薄膜,考察了所制备的绒面ZAO薄膜与绒面SnO2∶F薄膜在绒度、粗糙度、表面形貌以及电学性质的差异,利用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行了分... 利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(98wt%ZnO+2wt%Al2O3)陶瓷靶材制备了绒面ZAO(ZnO∶Al)薄膜,考察了所制备的绒面ZAO薄膜与绒面SnO2∶F薄膜在绒度、粗糙度、表面形貌以及电学性质的差异,利用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行了分析并计算出薄膜表面粗糙度,利用紫外可见分光光度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性。结果表明:所制备的绒面ZAO薄膜具有与绒面SnO2∶F薄膜相比拟的各种性能,在非晶硅太阳电池中具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 磁控溅射 ZAO薄膜 SnO2:F薄膜 导电薄膜 绒面透明导电氧化物 陷光结构 掺铝氧化锌 非晶硅太阳电池
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P-nc-Si:H薄膜材料及在微晶硅薄膜太阳电池上应用 被引量：11
13
作者 朱锋 赵颖 +5 位作者 张晓丹 魏长春 孙建 任慧智 熊绍珍 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期381-384,共4页
对RF PECVD技术沉积p nc Si:H薄膜材料进行了研究。随着功率的增大材料的晶化率增大。B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,少量的B即可获得高的电导率,而对材料晶化影响不大。用比较... 对RF PECVD技术沉积p nc Si:H薄膜材料进行了研究。随着功率的增大材料的晶化率增大。B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,少量的B即可获得高的电导率,而对材料晶化影响不大。用比较高沉积功率和少量B的方法获得了高电导率、宽光学带隙和高晶化率的P型纳米Si薄膜材料(σ=0.7S/cm,Eopt>2.0eV)。将这种材料应用于微晶硅(μc Si)薄膜太阳能电池中,电池结构为:glass/SnO2/ZnO/p nc Si:H/I μC Si:H/n Si:H。首次获得效率η=4.2%的μC Si薄膜太阳能电池(Voc=0.399V,Jsc=20.56mA/cm2,FF=51.6%)。 展开更多
关键词 P-nc-Si:H薄膜材料 微晶硅薄膜 太阳能电池 电导率 掺杂效率 RF-PECVD技术 电池结构
原文传递
晶体硅太阳电池扩散气氛场均匀性研究 被引量：14
14
作者 何堂贵 唐广 《电子设计工程》 2009年第9期55-57,60,共4页
为降低晶体硅太阳电池的制造成本,从扩散气氛场角度提出实验方法,优化扩散工艺均匀性。该研究方法可改善太阳电池电性能并对产业化生产起指导作用。
关键词 硅太阳电池 扩散 均匀性 气氛场 量产
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多晶硅太阳能电池片的回收再利用研究 被引量：13
15
作者 李佳艳 蔡敏 +1 位作者 武晓玮 谭毅 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期987-992,共6页
从废弃的太阳能电池片中回收多晶硅原材料对于环境保护和材料的循环再利用具有重要意义。本文研究了用化学溶解和超声清洗回收电池片的最佳条件。分别对实验样品进行EDS、SEM、XPS分析,得出结论:电池片与质量分数为10%的氢氧化钠溶液反... 从废弃的太阳能电池片中回收多晶硅原材料对于环境保护和材料的循环再利用具有重要意义。本文研究了用化学溶解和超声清洗回收电池片的最佳条件。分别对实验样品进行EDS、SEM、XPS分析,得出结论:电池片与质量分数为10%的氢氧化钠溶液反应18 min完全去除铝电极,且硅晶片的损失率较小;将完全去除铝电极的电池片在40 kHz超声清洗20 min后银电极完全剥落;电池片与40%氢氟酸溶液反应10 min可以去除氮化硅膜。本研究对质量为8.9068 g的单片电池片进行了定量分析,除去的铝电极质量为1.1102 g,回收得到了0.0766 g的银电极和7.7169 g的硅晶片。 展开更多
关键词 多晶硅 太阳能电池片 回收
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微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用 被引量：10
16
作者 俞远高 侯国付 +4 位作者 王锐 薛俊明 赵颖 耿新华 杨瑞霞 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2006年第8期48-55,共8页
微晶硅(μc-Si：H)是国际公认的新一代硅基薄膜太阳能电池材料。综述了微晶硅的基本特性,器件质量级材料的表征参量,材料的生长技术,微晶硅在太阳电池中的应用及其发展前景。
关键词 微晶硅 转化效率 等离子体增强化学气相沉积 太阳电池
原文传递
高效率n-nc-Si:H/p-c-Si异质结太阳能电池 被引量：11
17
作者 张群芳 朱美芳 +1 位作者 刘丰珍 周玉琴 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期96-99,共4页
采用热丝化学气相沉积技术(HWCVD),系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层)的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池性能的影响,通过C-V和C-F测试分析了不同氢处理时间和本征缓冲层氢稀释度对nc-Si∶H/c-S... 采用热丝化学气相沉积技术(HWCVD),系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层)的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池性能的影响,通过C-V和C-F测试分析了不同氢处理时间和本征缓冲层氢稀释度对nc-Si∶H/c-Si界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化度的nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p型CZ晶体硅衬底上制备出转换效率为17·27%的n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si异质结电池. 展开更多
关键词 纳米晶硅 异质结 太阳能电池 热丝化学气相沉积(HWCVD)
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太阳能电池概述 被引量：10
18
作者 王慧 邵竹锋 《中国建材科技》 2008年第6期67-69,共3页
太阳能被列为清洁、高效能源而得到世界各国学者的重视,中国也不例外。国内目前的大量的太阳能电池企业极大地促进了国内太阳能电池技术的发展与成熟。基于光电效应,根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:硅基太阳能电池和多元化合物薄... 太阳能被列为清洁、高效能源而得到世界各国学者的重视,中国也不例外。国内目前的大量的太阳能电池企业极大地促进了国内太阳能电池技术的发展与成熟。基于光电效应,根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:硅基太阳能电池和多元化合物薄膜电池。随之研究的深入,多元化合物薄膜电池高光电转换效率且成本较低的优势必将成为太阳能电池市场的主导者。 展开更多
关键词 能源危机 硅基太阳能电池 多元化合物薄膜电池
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基于Matlab的图像处理技术识别硅太阳电池的缺陷 被引量：10
19
作者 柳效辉 徐林 +2 位作者 肖晨江 曹建明 肖娇 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期926-930,共5页
针对硅太阳电池缺陷的检测问题,利用非接触红外检测方法,通过CCD相机获取硅太阳电池的电致发光图像,利用Matlab软件对缺陷部位图像首先进行预处理,然后进行图像分割、特征提取和图像识别,最后判断检测的硅太阳电池的缺陷.结果表明,该方... 针对硅太阳电池缺陷的检测问题,利用非接触红外检测方法,通过CCD相机获取硅太阳电池的电致发光图像,利用Matlab软件对缺陷部位图像首先进行预处理,然后进行图像分割、特征提取和图像识别,最后判断检测的硅太阳电池的缺陷.结果表明,该方法能够有效识别硅太阳电池的缺陷. 展开更多
关键词 硅太阳电池 缺陷 图像处理 识别
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采用喇曼散射和光热偏转谱法研究微晶硅薄膜结构 被引量：9
20
作者 张晓丹 赵颖 +7 位作者 朱锋 魏长春 麦耀华 高艳涛 孙建 侯国付 耿新华 熊绍珍 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期167-170,共4页
采用VHF PECVD技术制备了不同结构的Si薄膜,用喇曼(Raman)散射光谱和光热偏转谱(PDS)分别对材料的结构进行了研究。结果表明:Si薄膜的结构随温度的升高、功率的增大及H稀释的加大逐渐由非晶转变为微晶,同喇曼谱相比,PDS也可粗略地估计... 采用VHF PECVD技术制备了不同结构的Si薄膜,用喇曼(Raman)散射光谱和光热偏转谱(PDS)分别对材料的结构进行了研究。结果表明:Si薄膜的结构随温度的升高、功率的增大及H稀释的加大逐渐由非晶转变为微晶,同喇曼谱相比,PDS也可粗略地估计材料的结构变化;即使是同一种材料,恒定光电导谱(CPM)和PDS的测试结果是不同的,PDS能更准确地反映材料的实际信息。综合PDS和喇曼谱的测试结果认为,制备出了高质量的微晶Si(μc Si)薄膜。 展开更多
关键词 喇曼散射 PDS 微晶硅薄膜 VHF-PECVD 光电导 偏转 高质量 光热 升高 CPM
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