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硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性
1
作者
郑元芬
郭维廉
+7 位作者
张世林
张培宁
李树荣
郑云光
陈弘达
吴荣汉
林世鸣
芦秀玲
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第8期66-68,71,共4页
在本文中 ,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究 ,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究 .硅光电负阻器件包括有各种类型 ,本文主要对“λ”型双极光...
在本文中 ,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究 ,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究 .硅光电负阻器件包括有各种类型 ,本文主要对“λ”型双极光电负阻晶体管 (PLBT)
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关键词
硅光电负阻器件
PLBT
光双稳开关时间
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职称材料
题名
硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性
1
作者
郑元芬
郭维廉
张世林
张培宁
李树荣
郑云光
陈弘达
吴荣汉
林世鸣
芦秀玲
机构
天津大学电子信息工程学院
中国科学院半导体研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第8期66-68,71,共4页
基金
集成光电子学国家重点联合实验室!(中科院半导体所 )开放课题
国家自然科学基金!(No.698962 60 )
文摘
在本文中 ,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究 ,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究 .硅光电负阻器件包括有各种类型 ,本文主要对“λ”型双极光电负阻晶体管 (PLBT)
关键词
硅光电负阻器件
PLBT
光双稳开关时间
Keywords
silicon
photo
electronic
negative
resistance
device
photo
lambda
bipolar
transistor
(PLBT)
the
optical
bistability
switching
time
分类号
TN15 [电子电信—物理电子学]
TN32
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性
郑元芬
郭维廉
张世林
张培宁
李树荣
郑云光
陈弘达
吴荣汉
林世鸣
芦秀玲
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
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