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硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性
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作者 郑元芬 郭维廉 +7 位作者 张世林 张培宁 李树荣 郑云光 陈弘达 吴荣汉 林世鸣 芦秀玲 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期66-68,71,共4页
在本文中 ,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究 ,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究 .硅光电负阻器件包括有各种类型 ,本文主要对“λ”型双极光... 在本文中 ,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究 ,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究 .硅光电负阻器件包括有各种类型 ,本文主要对“λ”型双极光电负阻晶体管 (PLBT) 展开更多
关键词 硅光电负阻器件 PLBT 光双稳开关时间
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