氮化硅介质薄膜内应力的实验研究 被引量：17

1

作者 于映 陈跃 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期51-54,共4页

研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力 ,通过改变薄膜沉积时的工艺参数 ,考察了反应气体流量比、沉积温度、射频功率密度等因素对氮化硅薄膜内应力的影响。在此基础上 ,对氮... 研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力 ,通过改变薄膜沉积时的工艺参数 ,考察了反应气体流量比、沉积温度、射频功率密度等因素对氮化硅薄膜内应力的影响。在此基础上 ,对氮化硅介质薄膜本征应力的形成机制进行了分析讨论。 展开更多

关键词 内应力 氮化硅薄膜 化学气相沉积 形成机制 介质薄膜 等离子体

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低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌 被引量：7

2

作者 刘学建 金承钰 +2 位作者 张俊计 黄智勇 黄莉萍 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期379-384,共6页

以三氯硅烷(TCS)和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅薄膜(SiNx)的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作总压力、反应温度、气体原料组成等工艺因素对SiNx薄膜沉积... 以三氯硅烷(TCS)和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅薄膜(SiNx)的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作总压力、反应温度、气体原料组成等工艺因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响.结果表明:随着工作压力的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,并产生一个峰值.随着原料气中NH3/TCS流量比值的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,随后逐步稳定.随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在830℃附近达到最大,随着反应温度的进一步升高,由于反应物的热分解反应迅速加剧,使得SiNx薄膜的沉积速率急剧降低.在730-830℃的温度范围内,沉积SiNx薄膜的反应表观活化能约为171kJ/mol.在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整.较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度. 展开更多

关键词 LPCVD 氮化硅薄膜 沉积速率 表面形貌 低压化学气相沉积 制备工艺

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氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究 被引量：4

3

作者 于映 陈抗生 《真空电子技术》 北大核心 1996年第2期16-18,共3页

采用ＰＥＣＶＤ法，反应温度为２５０℃，反应气体为ＮＨ３，ＳｉＨ４，在抛光硅片上沉积０．２～０．４μｍ厚的氮化硅薄膜。对这种Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光学性能和电学性能进行了测试，其光学折射率为１．８７５，电阻率及击穿场强分别为... 采用ＰＥＣＶＤ法，反应温度为２５０℃，反应气体为ＮＨ３，ＳｉＨ４，在抛光硅片上沉积０．２～０．４μｍ厚的氮化硅薄膜。对这种Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光学性能和电学性能进行了测试，其光学折射率为１．８７５，电阻率及击穿场强分别为８×１０１６Ω·ｃｍ及１×１０７Ｖ／ｃｍ，并用ＦＴＩＲ谱分析了薄膜的化学结构。 展开更多

关键词 氮化硅薄膜 PECVD

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PECVD氮化硅薄膜内应力试验研究 被引量：7

4

作者 杨景超 赵钢 +1 位作者 邬玉亭 许晓慧 《新技术新工艺》 2008年第1期77-80,共4页

研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的内应力。通过改变沉积工艺参数,研究了射频功率、反应气体流量比、载气体分压比和反应压强对氮化硅薄膜的内应力的影响,并且分析了氮化硅薄膜内应力的形成机制。制备出了应力只有-182.4MPa... 研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的内应力。通过改变沉积工艺参数,研究了射频功率、反应气体流量比、载气体分压比和反应压强对氮化硅薄膜的内应力的影响,并且分析了氮化硅薄膜内应力的形成机制。制备出了应力只有-182.4MPa的低应力氮化硅薄膜。 展开更多

关键词 氮化硅薄膜 内应力 PECVD

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PECVD法氮化硅薄膜制备工艺的研究 被引量：5

5

作者 汪文君 孙建洁 +1 位作者 朱赛宁 张世权 《电子与封装》 2013年第11期40-43,共4页

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在单晶硅衬底上制备了氮化硅薄膜,分别使用膜厚仪、椭圆偏振仪等手段对薄膜的厚度、折射率等参数进行了表征。研究了硅烷氨气流量比、极板间距等工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响,发现当硅烷氨气... 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在单晶硅衬底上制备了氮化硅薄膜,分别使用膜厚仪、椭圆偏振仪等手段对薄膜的厚度、折射率等参数进行了表征。研究了硅烷氨气流量比、极板间距等工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响,发现当硅烷氨气流量比增加时,薄膜厚度和折射率均随之增加,并发现退火工艺可以有效降低氮化硅薄膜的氢氟酸腐蚀速率。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相沉积法 氮化硅薄膜 硅烷氨气流量比 退火

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DC-PCVD法快速制备Si_3N_4薄膜 被引量：5

6

作者 周海 吴大兴 +1 位作者 杨川 高国庆 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期489-493,共5页

采用ＤＣＰＣＶＤ方法，控制工艺参数，在ＧＣｒ１５钢试样上获得４０μｍ厚的、以Ｓｉ３Ｎ４为主要成分的非晶态绝缘薄膜，沉积速率约为３７／ｓ。讨论了沉积速率高的原因。

关键词 直流等离子体 化学气相沉积 氮化硅薄膜 镀膜

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氮化硅支撑层薄膜的PECVD法制备及性能研究 被引量：4

7

作者 莫镜辉 刘黎明 +1 位作者 太云见 杨培志 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期804-807,共4页

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))上成功制备了用于非致冷红外焦平面阵列微桥结构支撑层的氮化硅薄膜。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)及原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的微观结构和... 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))上成功制备了用于非致冷红外焦平面阵列微桥结构支撑层的氮化硅薄膜。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)及原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的微观结构和表面形貌;分别采用台阶仪、薄膜应力分布测试仪和快速退火炉等手段测试了薄膜的厚度均匀性,应力大小和耐温性能等参数。结果表明,制备氮化硅薄膜为非晶态,含有少量的氢,主要表现为Si-N键合;薄膜表面平整、致密,厚度不均匀性小于5%,具有107Pa的较低压应力,耐温性能较好。 展开更多

关键词 氮化硅薄膜 PECVD 非致冷焦平面探测器 微桥结构支撑层

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p-Si TFT栅绝缘层用SiNx薄膜界面特性的研究 被引量：3

8

作者 张化福 袁玉珍 +1 位作者 臧永丽 祁康成 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期35-38,共4页

以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响。分析表明,沉积温度和射频功... 以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响。分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的Si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性。实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-Si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV.cm2),其界面特性达到了制备高质量p-SiTFT栅绝缘层的性能要求。 展开更多

关键词 TFT SiNx薄膜 界面特性

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富纳米硅氮化硅薄膜光致发光机制 被引量：1

9

作者 曾友华 郭亨群 《华侨大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2007年第2期147-150,共4页

对于富纳米硅氮化硅薄膜的光致发光,其电子-空穴对存在3类光激发-光发射过程.通过对富纳米硅氮化硅薄膜光致发光模型的数值模拟对比分析,提出富纳米硅氮化硅薄膜光致发光是量子限制模型和能隙态模型发光机制共同作用的结果.利用得到的结... 对于富纳米硅氮化硅薄膜的光致发光,其电子-空穴对存在3类光激发-光发射过程.通过对富纳米硅氮化硅薄膜光致发光模型的数值模拟对比分析,提出富纳米硅氮化硅薄膜光致发光是量子限制模型和能隙态模型发光机制共同作用的结果.利用得到的结论,讨论一些已报道的富纳米硅氮化硅薄膜光致发光实验结果. 展开更多

关键词 纳米硅 氮化硅薄膜 光致发光 发光机制

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用于微测辐射热计氮化硅薄膜特性与结构研究 被引量：1

10

作者 周东 许向东 +2 位作者 王志 王晓梅 蒋亚东 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期2782-2787,共6页

氮化硅(SiNx∶H)薄膜通常用作微测辐射热计焦平面阵列的支撑层、绝缘或隔热层。通过射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备了富硅型(0.80≤x≤1.16)氮化硅薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外透射光谱(FTIR)分析了薄膜的微观... 氮化硅(SiNx∶H)薄膜通常用作微测辐射热计焦平面阵列的支撑层、绝缘或隔热层。通过射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备了富硅型(0.80≤x≤1.16)氮化硅薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外透射光谱(FTIR)分析了薄膜的微观结构。发现薄膜内部保存了Si3N4基本结构单元,除此之外,波数位于790,820和950 cm-1的Si-N键的伸缩振动峰分别对应为Si3-Si-N,N2-Si-H2,及H-Si-N3结构单元;运用曲率方法测量了不同硅烷(SiH4)流量条件下制备的氮化硅薄膜样品的残余应力,发现薄膜应力一般表现为张应力,但随着硅烷流量的增大,薄膜的张应力减小。理论分析发现,H-Si-N3结构单元使薄膜呈现张应力,而Si3-Si-N结构单元以及Si-Si键相对地表现为压应力。因此,通过优化制备工艺,获取理想的薄膜微观结构,能更理性地调控薄膜的残余应力。 展开更多

关键词 薄膜 微测辐射热计焦平面阵列 氮化硅薄膜 残余应力 微观结构 傅里叶红外透射光谱

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薄膜晶体管透明电极铟锡氧化物雾状不良的分析研究 被引量：1

11

作者 王守坤 郭总杰 +2 位作者 袁剑峰 林承武 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期355-360,共6页

对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究。通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析。结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致... 对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究。通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析。结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致严重的雾状不良发生和刻蚀工艺中的膜层下端过度刻蚀的问题。通过在透明电极ITO上面沉积微薄的过渡缓冲膜层,并优化界面等离子体处理条件,可以改善雾状不良。 展开更多

关键词 铟锡氧化物 薄雾不良 边缘场开关薄膜晶体管 等离子体化学气相沉积 氮化硅膜 透过率

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PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究 被引量：10

12

作者 张龙龙 周炳卿 +1 位作者 张林睿 高玉伟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期757-763,共7页

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对... 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微结构和晶化状况、光学特性等。实验结果表明,所沉积薄膜都为富硅的非晶氮化硅材料,改变射频功率、硅烷稀释度和衬底温度可以控制氮化硅薄膜中N元素的含量、光学带隙的大小和薄膜的折射率,并制备出最适宜富硅氮化硅薄膜,为进一步退火析出硅量子点奠定了基础。 展开更多

关键词 PECVD 富硅氮化硅薄膜 非晶结构 光学带隙

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基板支撑梢对TFT栅界面SiN_x和a-Si成膜特性的影响 被引量：6

13

作者 王守坤 孙亮 +3 位作者 郝昭慧 朱夏明 袁剑峰 林承武 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期613-617,共5页

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]... 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢;对氢化非晶硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域,氢含量高于非基板支撑梢。并对成膜影响的机理进行了分析讨论。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相沉积法 基撑梢 氮化硅膜 氢化非晶硅膜 傅里叶红外分析

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PECVD沉积氮化硅薄膜的透过率研究

14

作者 宋江婷 《科技创新导报》 2012年第32期13-15,17,共4页

研究了用PECVD薄膜沉积设备制作氮化硅薄膜的透过率。通过改变沉积工艺参数,研究了沉积温度、射频功率、SiH4流量和腔体压强对薄膜透过率曲线的影响,并分析影响原因。

关键词 氮化硅薄膜 透过率 PECVD

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基于多层叉指超微带电极阵列的葡萄糖传感器 被引量：5

15

作者 朱明智 蒋庄德 景蔚萱 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1509-1511,共3页

采用多层工艺和光刻方法在玻璃衬底上加工了亚微米级金叉指型超微带电极阵列(IDA),IDA电极的宽度为362 nm,电极表面位于沟槽内.实验表明,所加工的IDA电极可作为生物和化学传感器的一次性超微基体电极.采用电聚合的方法将葡萄糖氧化酶(G... 采用多层工艺和光刻方法在玻璃衬底上加工了亚微米级金叉指型超微带电极阵列(IDA),IDA电极的宽度为362 nm,电极表面位于沟槽内.实验表明,所加工的IDA电极可作为生物和化学传感器的一次性超微基体电极.采用电聚合的方法将葡萄糖氧化酶(GOD)和吡咯(PPy)固定于IDA电极,该修饰电极可作为葡萄糖传感器.采用该葡萄糖传感器对磷酸钾缓冲溶液(pH 7.0)中的葡萄糖浓度进行了比对测量,在2.0～7.0 mmol/L的浓度范围内,传感器的响应时间为10 s;灵敏度为14.6 nA/(mmol/L),相关系数为0.999. 展开更多

关键词 多层叉指超微带电极阵列 氮化硅薄膜 电聚合 葡萄糖传感器 电极阵列 微带 多层 葡萄糖氧化酶 化学传感器 葡萄糖浓度

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PECVD法沉积大尺寸氮化硅薄膜性能的研究 被引量：5

16

作者 胡毓龙 金哲山 +2 位作者 董杰 刘晓婷 霍建宾 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期188-192,共5页

采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在大尺寸玻璃基板上沉积氮化硅薄膜,对薄膜性能进行了研究,并从微观角度对所得结论进行了进一步分析与讨论。PECVD法在连续沉积氮化硅薄膜时,薄膜的厚度、沉积速率、均一性以及致密度会随镀膜... 采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在大尺寸玻璃基板上沉积氮化硅薄膜,对薄膜性能进行了研究,并从微观角度对所得结论进行了进一步分析与讨论。PECVD法在连续沉积氮化硅薄膜时,薄膜的厚度、沉积速率、均一性以及致密度会随镀膜基板数变化。结果表明,随镀膜基板数量的逐渐增加,氮化硅薄膜平均厚度呈上升趋势,均一性变好,薄膜致密度呈下降趋势。 展开更多

关键词 薄膜晶体管 化学气相沉积 氮化硅 均一度 致密度 膜厚

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用PECVD制备高抗腐蚀性能SiN_x薄膜的工艺研究 被引量：3

17

作者 刘瑞文 焦斌斌 +1 位作者 欧毅 陈大鹏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1907-1910,共4页

研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积(PECVD)生长工艺。通过X射线光电子能谱(XPS)、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的... 研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积(PECVD)生长工艺。通过X射线光电子能谱(XPS)、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的变化。制备出的氮化硅薄膜可在高温强碱溶液(70℃、33.3%KOH溶液)中支撑12h而无明显变化,并实现自支撑全镂空薄膜。 展开更多

关键词 等离子增强化学气相淀积(PECVD) SiNx薄膜 湿法腐蚀

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管式PECVD氮化硅薄膜不同退火环境的工艺研究 被引量：3

18

作者 郭丽 武纹平 陈丽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期231-234,共4页

研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响,测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明,多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气,并确定当退火温度在450℃、退火时间20 ... 研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响,测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明,多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气,并确定当退火温度在450℃、退火时间20 min时,工艺参数最佳。当温度过高过低均不利于膜厚的增加也不利于形成良好的欧姆接触,且此时光电转换效率较差。折射率的变化却不同,其最大值是在低温下达到的,此时氮气环境更有利于高折射率的获得。此外,还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。 展开更多

关键词 氮化硅薄膜 管式PECVD 真空 退火

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PECVD工艺中氮化硅薄膜龟裂研究 被引量：2

19

作者 徐衡 林洪春 唐冬 《微处理机》 2014年第4期21-23,共3页

PE氮化硅薄膜优异的物理、化学性能使其在半导体分立器件、IC电路中常被用作绝缘层、钝化层而使用。然而,氮化硅龟裂问题是影响其作为钝化层使用的阻碍因素,因此,科学的氮化硅工艺条件对其薄膜质量的影响非常关键。给出了等离子体化学... PE氮化硅薄膜优异的物理、化学性能使其在半导体分立器件、IC电路中常被用作绝缘层、钝化层而使用。然而,氮化硅龟裂问题是影响其作为钝化层使用的阻碍因素,因此,科学的氮化硅工艺条件对其薄膜质量的影响非常关键。给出了等离子体化学气相淀积(PECVD)氮化硅薄膜技术的原理,通过实验验证,确定了诱发氮化硅龟裂现象的原因,优化工艺条件,确定了PECVD氮化硅的最佳工艺条件,杜绝了龟裂现象对氮化硅作为钝化层使用的影响。 展开更多

关键词 等离子体化学气相淀积 氮化硅薄膜 龟裂 钝化

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光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅰ)光化学气相淀积氧化硅的工艺研究 被引量：1

20

作者 汪师俊 蔡琪玉 沈天慧 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第2期46-48,共3页

文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。

关键词 气相淀积 氮化硅 薄膜

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