期刊文献+

二次检索

题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到37篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
硅基光电子学的最新进展 被引量:28
1
作者 王兴军 苏昭棠 周治平 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2015年第1期1-31,共31页
随着人们对信息容量、速度以及成本的迫切要求,低成本、高度集成的硅基光电子学蓬勃发展,成为光通信、高速计算机等领域的研究热点和非常有前景的关键技术.硅基光电子学是一种可以用硅基集成电路上的投资、设施、经验以及技术来设计、... 随着人们对信息容量、速度以及成本的迫切要求,低成本、高度集成的硅基光电子学蓬勃发展,成为光通信、高速计算机等领域的研究热点和非常有前景的关键技术.硅基光电子学是一种可以用硅基集成电路上的投资、设施、经验以及技术来设计、制造、封装光器件和光电集成电路,在集成度、可制造性和扩展性方面达到集成电路的水平,从而在成本、功耗、尺寸上取得突破的一种技术.最近几年,硅基光电子集成技术已经发展到了一个崭新的阶段,各个关键的硅基光电子器件都已经达到商用化的标准,部分性能甚至超过目前的商用器件,引起了产业界的广泛关注.本文从硅基光电子学的几个关键器件入手,包括波导、光栅、偏振分束器、混频器、滤波器、调制器、探测器和激光器,详细介绍了该方向的研究进展,特别是最近5年的重大突破;随后介绍了硅基光电子学在光互连、光通信、光传感、太阳能电池等几方面的重大应用;最后提出硅基光电子学未来发展方向和目前面临的主要挑战. 展开更多
关键词 硅基光电子学 硅基发光 硅基调制器 锗探测器 无源器件
原文传递
Progress in complementary metal–oxide–semiconductor silicon photonics and optoelectronic integrated circuits 被引量:8
2
作者 陈弘达 张赞 +2 位作者 黄北举 毛陆虹 张赞允 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2015年第12期1-13,共13页
Silicon photonics is an emerging competitive solution for next-generation scalable data communications in different application areas as high-speed data communication is constrained by electrical interconnects. Optica... Silicon photonics is an emerging competitive solution for next-generation scalable data communications in different application areas as high-speed data communication is constrained by electrical interconnects. Optical interconnects based on silicon photonics can be used in intra/inter-chip interconnects, board-to-board interconnects, short-reach communications in datacenters, supercomputers and long-haul optical transmissions. In this paper, we present an overview of recent progress in silicon optoelectronic devices and optoelectronic integrated circuits (OEICs) based on a complementary metal-oxide-semiconductor-compatible process, and focus on our research contributions. The silicon optoelectronic devices and OEICs show good characteristics, which are expected to benefit several application domains, including communication, sensing, computing and nonlinear systems. 展开更多
关键词 silicon photonics silicon LED grating coupler silicon modulator optoelectronic integrated circuits
原文传递
片间光电融合技术分析
3
作者 孙佳琪 宋艳飞 王睿哲 《中国集成电路》 2024年第5期19-23,45,共6页
本文概述了片间光电融合技术发展现状及趋势。在5G、人工智能等应用场景驱动下,片间光互联成为实现芯片之间信息交互的重要方式之一。其中,硅基光电子技术和光电共封装技术发挥了重要作用。本文回顾了光电共封装技术以及激光器、硅基光... 本文概述了片间光电融合技术发展现状及趋势。在5G、人工智能等应用场景驱动下,片间光互联成为实现芯片之间信息交互的重要方式之一。其中,硅基光电子技术和光电共封装技术发挥了重要作用。本文回顾了光电共封装技术以及激光器、硅基光电探测器和硅基电光调制器发展现状和面临挑战,并结合硅基光电子产业情况提出相关建议,以期为推动我国集成电路产业向高质量发展提供参考和借鉴。 展开更多
关键词 硅基光电子 光电共封装 激光器 硅基光电探测器 硅基电光调制器
下载PDF
新型绝热微环谐腔型低功耗硅基调制器的设计 被引量:3
4
作者 杨真 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期885-888,共4页
为了改进绝热微环谐腔型的结构、降低谐振腔腔体损耗,采用了基于绝热过渡曲线的设计方法,提出了新型载流子注入/抽取结构,进行了理论分析和实验验证,取得了绝热微环谐振腔的谐振峰线宽、消光比及频率响应参量数据,比较了其与传统微环谐... 为了改进绝热微环谐腔型的结构、降低谐振腔腔体损耗,采用了基于绝热过渡曲线的设计方法,提出了新型载流子注入/抽取结构,进行了理论分析和实验验证,取得了绝热微环谐振腔的谐振峰线宽、消光比及频率响应参量数据,比较了其与传统微环谐振腔的损耗。结果表明,使用所设计的外半径为2μm的谐振腔的谐振峰线宽仅为普通微环谐振腔的29.5%,消光比为13.5d B,电阻电容限制带宽提高了4倍,10Gbit/s调制速率下能耗仅为5.1f J/bit。这一结果大幅改善了绝热微环谐振腔的频率响应特性,降低了功耗。对腔形和载流子注入/抽取结构的研究可以进一步改善绝热微环谐振腔的性能,推动低能耗器件研究的发展。 展开更多
关键词 光学设计 硅基调制器 绝热过渡曲线 谐振腔
下载PDF
基于硅光可调25 Gbit/s光发射组件的研究
5
作者 成璇璇 赵建宜 +6 位作者 肖希 李淼峰 王磊 张博 石川 胡蕾蕾 蔡敬 《光通信研究》 2021年第2期48-53,共6页
随着光通信技术的快速发展,光纤传输的容量呈几何式增长,对密集波分复用(DWDM)网络系统的管理和调度灵活性要求也在不断提高。波长可调模块可以满足网络管理灵活的要求,在波分复用(WDM)系统和5G网络中将会有广泛应用。而作为模块内的核... 随着光通信技术的快速发展,光纤传输的容量呈几何式增长,对密集波分复用(DWDM)网络系统的管理和调度灵活性要求也在不断提高。波长可调模块可以满足网络管理灵活的要求,在波分复用(WDM)系统和5G网络中将会有广泛应用。而作为模块内的核心元件,可调激光器的研究就显得尤为重要。文章介绍了一种可调激光器和硅光调制器芯片混合集成封装技术,利用一种胶合标准具的设计进行波长控制,节省了半导体制冷器,减小了封装尺寸。其制作的可调激光器件能满足ITU-96通道的波长输出,且满足100 G BASE-LR4国际标准的工作眼图要求。 展开更多
关键词 可调激光器 硅光调制器 混合集成 光发射组件
下载PDF
温度对多晶硅太阳电池性能影响的研究 被引量:12
6
作者 贺炜 郭爱娟 +1 位作者 孟凡英 冯仕猛 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期454-457,共4页
对商业用冶金级和太阳能级多晶硅太阳电池不同温度下的性能参数做了分析,验证了太阳能级硅电池的性能优势。实验结果表明,随着温度T的升高,开路电压V_(oc),最大输出功率P_m,转换效率η近似线性下降,短路电流I_(sc)近似线性上升,填充因... 对商业用冶金级和太阳能级多晶硅太阳电池不同温度下的性能参数做了分析,验证了太阳能级硅电池的性能优势。实验结果表明,随着温度T的升高,开路电压V_(oc),最大输出功率P_m,转换效率η近似线性下降,短路电流I_(sc)近似线性上升,填充因子FF的实验值和理论值变化趋势一致,当T>40℃时,FF随T升高明显下降。对开路电压V_(oc)随温度T升高的线性下降速率dV_(oc)/dT进行定量分析。dI_(sc)/dT变化量与dV_(oc)/dT相比可以忽略。 展开更多
关键词 太阳电池 多晶硅 组件 温度
下载PDF
All-silicon carrier accumulation modulator based on a lateral metal-oxide-semiconductor capacitor 被引量:7
7
作者 KAPIL DEBNATH DAVID J.THOMSON +9 位作者 WEIWEI ZHANG ALI Z.KHOKHAR CALLUM LITTLEJOHNS JAMES BYERS LORENZO MASTRONARDI MUHAMMAD K.HUSAIN KOUTA IBUKURO FREOERIC Y.GARDES GRAHAM T,REED SHINICHI SAITO 《Photonics Research》 SCIE EI 2018年第5期373-379,共7页
In silicon photonics, the carrier depletion scheme has been the most commonly used mechanism for demonstrat- ing high-speed electro-optic modulation. However, in terms of phase modulation efficiency, carrier- accumnla... In silicon photonics, the carrier depletion scheme has been the most commonly used mechanism for demonstrat- ing high-speed electro-optic modulation. However, in terms of phase modulation efficiency, carrier- accumnlation-based devices potentially offer almost an order of carrier depletion. Previously reported accumulation modulator magnitude improvement over those based on designs only considered vertical metal-oxide- semiconductor (MOS) capacitors, which imposes serious restrictions on the design flexibility and integratability with other photonic components. In this work, for the first time to our knowledge, we report experimental demonstration of an all-silicon accumulation phase modulator based on a lateral MOS capacitor. Using a Mach-Zehnder interferometer modulator with a 500-μm-long phase shifter, we demonstrate high-speed modulation up to 25 Gbit/s with a modulation efficiency (V πLπ) of 1.53 V·cm. 展开更多
关键词 All-silicon carrier accumulation modulator a lateral metal-oxide-semiconductor capacitor
原文传递
硅基微环调制器耦合状态对高速PAM4通信系统的性能影响分析
8
作者 秦军 谭峻雄 +5 位作者 孙瑜 吕俊德 朱可佳 李月琴 孙剑 缪旻 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第20期129-142,共14页
基于VPI Transmission Maker和Matlab搭建硅基微环调制器(Si-MRM)系统级模型,全面定量分析了Si-MRM在不同耦合状态以及耦合量下产生高速四电平脉冲幅度调制(PAM4)信号时的性能差异。仿真结果表明,当器件带宽足够支撑调制速率时,相较于... 基于VPI Transmission Maker和Matlab搭建硅基微环调制器(Si-MRM)系统级模型,全面定量分析了Si-MRM在不同耦合状态以及耦合量下产生高速四电平脉冲幅度调制(PAM4)信号时的性能差异。仿真结果表明,当器件带宽足够支撑调制速率时,相较于其他耦合状态,临界耦合状态可以获得更优的系统性能,此时在光场在腔内环绕一周的透过率a与自耦合系数t取值为0.71~0.83时可以获得最佳系统性能,并且当a(t)值从0.59逐渐变化到0.91时产生的信号的最大功率代价为4.2 dB。对于过耦合状态以及弱耦合状态,t值变化或者a值变化时均会导致系统性能劣化至接近临界耦合状态,只有t值相较于临界耦合取值有微小的变化(0.71~0.79)或者a值相较于临界耦合取值有微小的变化(0.71~0.79)时,才可以取得与临界耦合[a(t)值均为0.75]接近的系统性能;当器件带宽不足以支撑调制速率时,对于临界耦合状态,a(t)值增加到0.91时,器件带宽有效增大,系统性能得到显著提升。此时,对于过耦合状态,只有增大a值到0.83~0.91才可获得软判决门限阈值以下的误码率性能,并且此时系统性能优于临界耦合。但对于弱耦合状态,均不存在性能优于临界耦合的情况。本文工作对于定量评估Si-MRM因为加工、测试、网络部署等导致的耦合状态抖动进而产生的高速调制信号性能变化,以及基于MRM实现下一代800 Gbit/s和1.6 Tbit/s片级高速光互联具有指导意义。 展开更多
关键词 硅基光电子 硅基微环调制器 耦合状态 脉冲幅度调制
原文传递
光伏组件在标准气候条件下的发电性能预测 被引量:3
9
作者 周凯旋 刘海涛 +1 位作者 贺凯 杨磊 《山西电力》 2023年第4期51-55,共5页
概述了光伏组件在标准气候条件下的发电性能测试流程,利用6个标准气候区数据集对不同厂家晶硅组件进行模拟计算,研究分析了标准气候条件下光伏组件的能效。从标准气候条件下辐照度和环境温度分布、晶硅组件温度及能效等方面研究了组件... 概述了光伏组件在标准气候条件下的发电性能测试流程,利用6个标准气候区数据集对不同厂家晶硅组件进行模拟计算,研究分析了标准气候条件下光伏组件的能效。从标准气候条件下辐照度和环境温度分布、晶硅组件温度及能效等方面研究了组件温度及能效之间的关系,结果表明,在各标准气候条件下光伏组件能效与组件温度成反比的趋势。 展开更多
关键词 晶硅组件 组件发电量 组件能效
下载PDF
具有热不敏感低驱动电压特性的112 Gbit/s耦合调制型硅光微环调制器(特邀)
10
作者 刘阳 王乾圣 +5 位作者 周昊鹏 刘佳 张红广 陈代高 王磊 肖希 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第15期359-365,共7页
高速率、热不敏感、低驱动电压的硅光子调制器是宽带数据传输、低功耗、高集成密度和稳定运行的光互连系统中必不可缺的核心器件。本文提出并实验验证一种基于耦合调制机理的跑道型硅基微环电光调制器,在峰-峰驱动电压小于1.2 V的条件下... 高速率、热不敏感、低驱动电压的硅光子调制器是宽带数据传输、低功耗、高集成密度和稳定运行的光互连系统中必不可缺的核心器件。本文提出并实验验证一种基于耦合调制机理的跑道型硅基微环电光调制器,在峰-峰驱动电压小于1.2 V的条件下,实现112 Gbit/s四级脉冲幅度调制(PAM4)光信号传输。此外,使用氮化硅波导作为谐振腔的主要构成部分,调制器的温度敏感性小于2.5 pm/K,展现出良好的热稳定性,验证了在20℃到45℃温度范围内的112 Gbit/s PAM4信号传输。 展开更多
关键词 光学器件 跑道型微环谐振器 马赫-曾德尔结构 硅光调制器
原文传递
用于马赫-曾德尔结构硅光调制器正交和最小偏置点锁定的无抖动技术 被引量:4
11
作者 喻杰奎 陈宏刚 +4 位作者 张博 程媛 罗勇 梁雪瑞 胡蕾蕾 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第20期152-160,共9页
提出了一种用于马赫-曾德尔结构(MZ)硅光调制器无抖动的正交(Quad)和最小(Null)偏置点锁定方案。该方案采用了一对差分的光电探测器(MPD)[与输出同向(inphase)的MPD和与输出相差180°(outerphase)的MPD]作为闭环控制信号反馈元件,... 提出了一种用于马赫-曾德尔结构(MZ)硅光调制器无抖动的正交(Quad)和最小(Null)偏置点锁定方案。该方案采用了一对差分的光电探测器(MPD)[与输出同向(inphase)的MPD和与输出相差180°(outerphase)的MPD]作为闭环控制信号反馈元件,将这一对差分MPD电流的比值记为归一化光电流,并基于该归一化光电流分别构造了相位偏置在90°的Quad点和180°的Null点的误差函数。对于Quad点锁定,误差函数为归一化比值光电流和差分MPD响应度比值的差值。对于Null点锁定,误差函数为归一化比值光电流相对于热光相移器热功率偏置点的一阶导数,并可通过二阶导数正负号来判定偏置功率的调节方向。从MZ硅光调制器的理论模型出发推导了算法的理论公式,并通过仿真对所提算法进行了验证,验证结果与数学推导公式的结论一致。最后,搭建了53 GBaud四电平脉冲幅度调制(PAM4)测试平台和53 GBaud二进制相移键控(BPSK)仿真平台验证了所提算法对MZ硅光调制器Quad点和Null点的锁定精度。 展开更多
关键词 光学器件 马赫-曾德尔结构 硅光调制器 自动偏压控制 差分光电探测器
原文传递
硅基调制器的最新研究进展(特邀)
12
作者 韩昌灏 王皓玉 +2 位作者 舒浩文 秦军 王兴军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第15期273-294,共22页
随着新一代信息技术的大规模应用,全球数据总量呈现指数式增长趋势,光通信凭借其大带宽、大容量、低损耗、低串扰等优势成为信息通信网络的重要组成部分。硅基光电子技术作为光电子集成技术的重要分支,是实现光通信小型化、多功能化的... 随着新一代信息技术的大规模应用,全球数据总量呈现指数式增长趋势,光通信凭借其大带宽、大容量、低损耗、低串扰等优势成为信息通信网络的重要组成部分。硅基光电子技术作为光电子集成技术的重要分支,是实现光通信小型化、多功能化的重要方法。在硅基光电子系统中,硅基调制器是完成信息传输与处理的核心功能单元。本文从硅基调制器的理论基础出发,综述硅基调制器的最新研究进展,按照材料体系的不同,分别对纯硅调制器与硅基异质材料调制器进行系统介绍,最后对该领域的未来发展进行详细讨论。 展开更多
关键词 集成光学 硅基调制器 光电子学 光通信 光互连
原文传递
光伏电站晶硅组件常见问题分析及优化管理建议 被引量:3
13
作者 张力夫 朱光辉 陈贶 《有色冶金节能》 2021年第2期51-54,共4页
经过调研大量光伏发电站可知,晶硅组件容易出现黑心、黑斑、黑团、隐裂、裂片等问题。组件常见问题的原因主要包括两方面,一是生产制造环节原材料品质不佳及生产制备工艺出现问题;二是建设安装环节施工人员的不规范操作。为了保证晶硅... 经过调研大量光伏发电站可知,晶硅组件容易出现黑心、黑斑、黑团、隐裂、裂片等问题。组件常见问题的原因主要包括两方面,一是生产制造环节原材料品质不佳及生产制备工艺出现问题;二是建设安装环节施工人员的不规范操作。为了保证晶硅组件的质量和电站稳定运行,应从生产制造和建设施工两方面对太阳能晶硅组件质量进行科学管理,不但要严格把控组件生产制造工艺,而且电站建设施工的组件交接、组件存放、施工安装等环节也要按照规范严格执行。 展开更多
关键词 光伏电站 晶硅组件 质量管理 科学管控 组件检测
下载PDF
基于增强型最大比例混合接收机的硅基调制器线性度补偿方法 被引量:1
14
作者 秦军 陶源盛 +5 位作者 金明 韩昌灏 Rahul Kumar Gangwar 李月琴 孙剑 缪旻 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第23期118-129,共12页
硅基调制器具有体积小、功耗低、易集成等优势,但相较于铌酸锂调制器,线性度通常较差,从而限制了其在光载无线等通信系统中的性能。提出一种增强型最大比例混合接收机(EMRC-Rx),用以补偿硅基调制器对无源光接入网络带来的性能下降缺点。... 硅基调制器具有体积小、功耗低、易集成等优势,但相较于铌酸锂调制器,线性度通常较差,从而限制了其在光载无线等通信系统中的性能。提出一种增强型最大比例混合接收机(EMRC-Rx),用以补偿硅基调制器对无源光接入网络带来的性能下降缺点。EMRC-Rx综合利用直接检测机(DD-Rx)和轻相干检测机(Lite CO-Rx)的优势,借助两种接收方式的最大信噪比占比,可以显著提升接收机的灵敏度,进而解决硅基调制器低线性度导致的系统性能下降问题。实验结果表明,当误码率高于KP4-FEC阈值1.0×10^(-4)时,相较于DD-Rx和Lite CO-Rx,EMRC-Rx的接收灵敏度分别提升5.5 dB和8.8 dB,误差矢量幅度(EVM)分别提升32.5%和41.1%,系统性能明显得到改善。通过进一步与铌酸锂调制器进行对比发现,相比采用铌酸锂调制器的Lite CO-Rx和DD-Rx,基于硅基调制器的EMRC-Rx的接收灵敏度分别提升3.5 dB和7.9 dB,且可取得与铌酸锂调制器中MRC-Rx接近的系统性能,验证了EMRC-Rx对硅基调制器低线性度带入的性能劣化的补偿效果。本工作对在5G时代利用硅基调制器构建高可靠、低成本的光子集成接入网具有指导意义。 展开更多
关键词 硅基调制器 直接检测 轻相干检测 无源光接入网 调制器线性度
原文传递
集成式低倍聚光光伏组件模块开发 被引量:1
15
作者 刘大为 高虎 +1 位作者 彭文博 赵志国 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期709-715,共7页
提出一套集成式低倍聚光光伏组件光路的优化算法,并设计制作聚光比为2.2的晶体硅聚光电池模块,在标准光照条件(AM1.5)下,开路电压为0.69 V,短路电流密度为35 m A/cm^2,最大功率点效率约为14.2%。与使用相同电池材料制作的普通晶体硅模... 提出一套集成式低倍聚光光伏组件光路的优化算法,并设计制作聚光比为2.2的晶体硅聚光电池模块,在标准光照条件(AM1.5)下,开路电压为0.69 V,短路电流密度为35 m A/cm^2,最大功率点效率约为14.2%。与使用相同电池材料制作的普通晶体硅模块相比,效率可提高0.7%。相比普通晶体硅组件,该型组件可节约50%~60%的电池材料使用量。 展开更多
关键词 集成式低倍聚光光伏 晶体硅组件 光路设计 电池开发 I-V测试
下载PDF
硅基PN结型光波导有效折射率的定量分析
16
作者 孙圣现 陈柏松 +4 位作者 李雨轩 李盈祉 张蓝萱 陶敏 宋俊峰 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2021年第3期318-323,共6页
为解决脊型波导相位调制的有效折射率测量问题,提出一种3端口MZI(Mach-Zehnder Interferometer)结构,能定量测量并分析PN结(Positive-Negative junction)脊型硅光波导中,有效折射率的实部和虚部受偏置电压调制的相对变化,并给出多项式... 为解决脊型波导相位调制的有效折射率测量问题,提出一种3端口MZI(Mach-Zehnder Interferometer)结构,能定量测量并分析PN结(Positive-Negative junction)脊型硅光波导中,有效折射率的实部和虚部受偏置电压调制的相对变化,并给出多项式拟合方程。实验所得结果与拟合结果非常符合,最终可以得到脊型波导在相位调制过程中的特性。该测量方法简单易行,可应用于硅基光电子集成芯片当中,作为载流子调制特性定量检测器件。 展开更多
关键词 硅基光波导 载流子色散 高速硅基光电调制器 马赫-曾德尔调制器 相位调制
下载PDF
晶硅组件典型环境下服役性能与表面温度研究 被引量:1
17
作者 冯江涛 秦汉军 +2 位作者 姜川 邱敬钟 揭敢新 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期771-773,839,共4页
研究了单晶硅和多晶硅光伏组件在广州、海南琼海和拉萨等典型环境条件下工作16个月后的外观、关键性能变化及表面温度分布规律。结果表明,所有单晶硅组件Pmax出现衰减,最大衰减幅度达到-8.9%,功率衰减源自电池片的短路、破片等缺陷;辐... 研究了单晶硅和多晶硅光伏组件在广州、海南琼海和拉萨等典型环境条件下工作16个月后的外观、关键性能变化及表面温度分布规律。结果表明,所有单晶硅组件Pmax出现衰减,最大衰减幅度达到-8.9%,功率衰减源自电池片的短路、破片等缺陷;辐照量和大气温度对晶硅组件表面温度有显著影响,其中辐照量与组件表面温度成线性分布;接线盒是组件表面所有温度区域中最高处,在试验期间辐照量最大日和大气温度最高日的中午(12:00左右)达到最高值,50℃以上温度累积时间达3 h左右。 展开更多
关键词 晶硅组件 服役环境 功率衰减 表面温度
下载PDF
晶硅太阳能组件性能分析与常见问题 被引量:1
18
作者 朱琼 张力夫 《有色冶金节能》 2017年第4期51-54,共4页
随着我国光伏电站发展建设规模的增大,部分光伏电站中光伏组件产品质量问题也逐渐突显。其中光伏组件寿命能否达到25年,成为了投资者关注的重要因素。笔者经过大量光伏发电站调研和分析发现,光伏组件功率下降的原因主要是组件质量问题... 随着我国光伏电站发展建设规模的增大,部分光伏电站中光伏组件产品质量问题也逐渐突显。其中光伏组件寿命能否达到25年,成为了投资者关注的重要因素。笔者经过大量光伏发电站调研和分析发现,光伏组件功率下降的原因主要是组件质量问题和光伏系统设计或运行环境等问题。因此,为了保证光伏电站稳定运行,不但需要严格管控制造工艺,同时在施工和运营过程中也要严格执行运行维护规范。 展开更多
关键词 光伏电站 晶硅组件 性能 质量 运行维护
下载PDF
400G FR4硅光收发模块的研究
19
作者 宋泽国 尹小杰 +1 位作者 刘智 郝沁汾 《微电子学与计算机》 2023年第11期72-79,共8页
随着5G、人工智能的大规模应用,数据中心使用的光模块也相应朝着高速率和低成本方向发展.根据上述需求,介绍了一种400G FR4硅光收发模块设计方案,研发了相应的核心光子器件,该模块使用硅基电光调制器来实现高速率的光信号调制,搭配波分... 随着5G、人工智能的大规模应用,数据中心使用的光模块也相应朝着高速率和低成本方向发展.根据上述需求,介绍了一种400G FR4硅光收发模块设计方案,研发了相应的核心光子器件,该模块使用硅基电光调制器来实现高速率的光信号调制,搭配波分复用解复用器进一步提高模块的整体传输速率,并通过测试验证了器件的性能满足设计要求.采用板上芯片封装(Chip-On-Board,COB)技术,通过对模块光路部分开发设计,激光器到调制器的耦合效率可以达到−2.1 dB,实现了各光电器件之间的低损耗耦合,为400G光模块的设计和实现提供参考. 展开更多
关键词 光通信 400G光模块 硅基调制器 波分复用 板上芯片封装
下载PDF
SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的数值分析
20
作者 冯露露 冯松 +2 位作者 胡祥建 王迪 陈梦林 《西安工业大学学报》 CAS 2022年第4期408-413,共6页
针对电光调制器的调制效率低造成调制器的驱动电压较高的问题。文中基于等离子色散效应理论,利用计算机辅助设计模拟方法,设计了一种SiGe/Si异质结PIN顶注入硅基电光调制器,分析了不同结构尺寸、掺杂浓度下折射率变化、吸收系数变化和... 针对电光调制器的调制效率低造成调制器的驱动电压较高的问题。文中基于等离子色散效应理论,利用计算机辅助设计模拟方法,设计了一种SiGe/Si异质结PIN顶注入硅基电光调制器,分析了不同结构尺寸、掺杂浓度下折射率变化、吸收系数变化和衰减等影响。研究结果表明:该器件有效增大了折射率变化和吸收系数变化,增强了电光调制器的等离子体色散效应,提高了硅基调制器的调制效率。SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的20dB衰减所需的驱动电压从1.24V降到0.99V,其调制效率约为硅基调制器的1.25倍,SiGe/Si异质结可以有效增强等离子体色散效应,提高电光调制器的调制效率,改善电光调制器的性能。 展开更多
关键词 电光调制器 硅基调制器 等离子体色散效应 SIGE/SI异质结
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部