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硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展 被引量：3
1
作者 王彩琳 高勇 张新 《电子器件》 EI CAS 2005年第4期945-948,957,共5页
综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管... 综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想,并给出了相应的工艺方案。 展开更多
关键词 硅直接键合 电力电子器件 集成门极换流晶闸管 集成门极双晶体管 MOS控制可关断晶闸管
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高压高速SOI-LIGBT的研制 被引量：2
2
作者 杨健 张正 +1 位作者 李肇基 李学宁 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期366-369,共4页
采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时间和正向转折电压的影响,并利用硅直接键合(SDB)技术研制出580V的阳极短路SOI-LIGBT。
关键词 横向绝缘棚 双极晶体管 智能功率IC SOI-LIGBT
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大功率硅-硅直接键合静电感应晶闸管的研制
3
作者 姜岩峰 黄庆安 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期416-419,共4页
文章提出了用硅硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力。对键合过程中硅硅界面进行了研究,提出了提高界面质量的工艺措施;同时,给出了控制栅阴极... 文章提出了用硅硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力。对键合过程中硅硅界面进行了研究,提出了提高界面质量的工艺措施;同时,给出了控制栅阴极击穿电压一致性的方法。对采用此方法制成的SITH的IV特性进行了测量,并给出了实际测试结果。 展开更多
关键词 硅-硅直接键合 静电感应晶闸管 电力器件
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