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电子封装陶瓷基片材料的研究进展 被引量：40
1
作者 李婷婷 彭超群 +2 位作者 王日初 王小锋 刘兵 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1365-1374,共10页
总结微电子封装技术对封装基片材料性能的要求,论述Al2O3、AlN、BeO、SiC和Si3N4陶瓷基片材料的特点及其研究现状,其中AlN陶瓷基片的综合性能最好。分析轧膜、流延和凝胶注模薄片陶瓷成型工艺的优缺点,其中水基凝胶注模成型工艺适用性较... 总结微电子封装技术对封装基片材料性能的要求,论述Al2O3、AlN、BeO、SiC和Si3N4陶瓷基片材料的特点及其研究现状,其中AlN陶瓷基片的综合性能最好。分析轧膜、流延和凝胶注模薄片陶瓷成型工艺的优缺点,其中水基凝胶注模成型工艺适用性较强;指出陶瓷基片材料和薄片陶瓷成型工艺的发展趋势。 展开更多
关键词 电子封装材料 AL2O3陶瓷 ALN陶瓷 BeO陶瓷 SIC陶瓷 SI3N4陶瓷 流延成型 凝胶注模成型
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碳化硅致密陶瓷材料研究进展 被引量：30
2
作者 戴培赟 周平 +2 位作者 王泌宝 李晓丽 杨建锋 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期1-6,26,共7页
碳化硅材料以其优异的性能得到了越来越广泛的应用,通过简要介绍碳化硅致密陶瓷的制备方法及其性能和总结近年来国内外的研究进展,来展望碳化硅致密陶瓷材料的研究发展趋势。
关键词 碳化硅陶瓷 致密材料 陶瓷烧结
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碳化硅陶瓷的活化烧结与烧结助剂 被引量：21
3
作者 黄智恒 贾德昌 +1 位作者 杨治华 周玉 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2004年第1期103-107,共5页
综述了作为碳化硅陶瓷烧结助剂的热力学条件及液相烧结的有效条件,介绍了碳化硅陶瓷烧结助剂的研究进展.
关键词 碳化硅陶瓷 活化烧结 烧结助剂 热力学 自扩散系数 硼 铝
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电子束辐照聚碳硅烷热解合成 SiC 陶瓷材料──I . 空气中辐照产物的热解特性研究 被引量：22
4
作者 许云书 宋永才 +1 位作者 傅依备 黄瑞良 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期1-4,共4页
利用加速器产生的电子束（ＥＢ）在空气中辐照聚碳硅烷（ＰＣＳ），以使之形成交联结构，然后经高温热解转化成ＳｉＣ陶瓷。结果表明：在辐照产物中形成了ＳｉＣＳｉ以及ＳｉＯＳｉ等交联结构，热解温度以及热解陶瓷产率都随辐... 利用加速器产生的电子束（ＥＢ）在空气中辐照聚碳硅烷（ＰＣＳ），以使之形成交联结构，然后经高温热解转化成ＳｉＣ陶瓷。结果表明：在辐照产物中形成了ＳｉＣＳｉ以及ＳｉＯＳｉ等交联结构，热解温度以及热解陶瓷产率都随辐射吸收剂量增加而明显提高。通过ＴＧＩＲ联用分析技术，在热解产物中检测到了低分子量ＰＣＳ以及ＣＨ４等小分子化合物，在吸收剂量高于２．３ＭＧｙ时，ＰＣＳ主要通过析出ＣＨ４而热解成ＳｉＣ。 展开更多
关键词 聚碳硅烷 辐射处理 电子束 热解 碳化硅 陶瓷
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碳化硅陶瓷的超声振动辅助磨削 被引量：17
5
作者 刘立飞 张飞虎 刘民慧 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2229-2235,共7页
采用普通磨削方式和超声振动辅助磨削方式对无压烧结SiC材料进行了磨削工艺实验,对不同磨削方式下磨削参数对磨削力比、表面损伤及亚表面损伤的影响进行了对比研究,并分析了超声振动磨削作用机制。实验结果显示,该实验中SiC材料去除主... 采用普通磨削方式和超声振动辅助磨削方式对无压烧结SiC材料进行了磨削工艺实验,对不同磨削方式下磨削参数对磨削力比、表面损伤及亚表面损伤的影响进行了对比研究,并分析了超声振动磨削作用机制。实验结果显示,该实验中SiC材料去除主要以脆性去除为主,砂轮磨削力比随着磨削深度和进给速度的增加缓慢增加,随着主轴转速的增加略有减小;普通磨削时SiC工件亚表面损伤深度随着磨削深度、进给速度增加逐渐增加,而超声振动辅助磨削变化较小。与普通磨削相比,在相同的磨削参数下,超声振动辅助磨削的高频冲击使材料破碎断裂情况得到改善,且磨削力比减小近1/3,表面裂纹、SiC晶粒脱落、剥落等表面损伤较少,表面损伤层较浅,亚表面裂纹数量及深度都有较大程度降低,可以获得较为理想的表面质量。 展开更多
关键词 碳化硅陶瓷 超声振动辅助磨削 磨削力比 表面损伤 亚表面裂纹
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先驱体法制备连续SiC纤维的特性及其应用 被引量：13
6
作者 杨大祥 宋永才 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期64-69,共6页
连续SiC纤维是制备耐高温陶瓷基复合材料的基础和关键,目前应用最多的SiC纤维主要是通过先驱体转化法制得。它具有耐高温、抗氧化、高比强度和高比模量等特性,广泛的应用于航空、航天及军事等领域。由于连续SiC纤维的战略重要地位,国内... 连续SiC纤维是制备耐高温陶瓷基复合材料的基础和关键,目前应用最多的SiC纤维主要是通过先驱体转化法制得。它具有耐高温、抗氧化、高比强度和高比模量等特性,广泛的应用于航空、航天及军事等领域。由于连续SiC纤维的战略重要地位,国内外都呈现出研究和开发连续SiC纤维的热潮,新品种纤维不断出现,纤维性能不断提升,尤其是纤维耐高温性能和抗氧化性能得到了深入的研究和大幅度的提高,耐1900℃的烧结含铝碳化硅纤维抗拉强度达到2.5GPa,有着广阔的前景。 展开更多
关键词 先驱体法 聚碳硅烷 综述 SIC纤维 SIC陶瓷 复合材料 应用
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烧结温度对碳化硅陶瓷力学性能的影响 被引量：13
7
作者 吴澜尔 江涌 乔发鹏 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期58-60,共3页
采用硼、碳助剂无压烧结制备碳化硅陶瓷。针对烧结温度与碳化硅烧结体密度、抗弯强度以及硬度之间的关系进行了试验研究,并对不同温度下制备的烧结体进行了显微结构形貌观察和XRD图谱分析。结果表明,烧结温度在2190～2220℃范围内可以... 采用硼、碳助剂无压烧结制备碳化硅陶瓷。针对烧结温度与碳化硅烧结体密度、抗弯强度以及硬度之间的关系进行了试验研究,并对不同温度下制备的烧结体进行了显微结构形貌观察和XRD图谱分析。结果表明,烧结温度在2190～2220℃范围内可以制备密度高、力学性能好的碳化硅陶瓷。其相对密度超过96%;抗弯强度接近400MPa;维氏硬度23GPa以上。在试验温度范围内,密度与抗弯强度之间的关系近似为线性关系,密度越高抗弯强度和硬度性能越好。 展开更多
关键词 碳化硅陶瓷 烧结温度 显微结构 力学性能
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聚碳硅烷制备SiC陶瓷研究进展 被引量：10
8
作者 李可琢 张海军 +3 位作者 苑高千 张俊 李俊怡 张家莲 《耐火材料》 CAS 北大核心 2020年第3期260-265,共6页
综述了以聚碳硅烷为SiC陶瓷前驱体聚合物制备SiC纤维、SiC陶瓷及其复合材料的研究进展及存在的问题,并对聚碳硅烷制备SiC陶瓷材料的未来研究发展方向进行了展望。
关键词 聚碳硅烷 前驱体 SIC陶瓷
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常压烧结碳化硅陶瓷的力学性能与质量密度 被引量：5
9
作者 李文新 李文辉 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第2期80-82,共3页
通过烧结工艺试验和力学性能检测以及数据处理等试验方法,建立了力学性能与质量密度的数学关系式,并通过α相常压烧结碳化硅陶瓷为学性能与质量密度对应关系的试验研究,为实现烧结过程的计算机仿真奠定了试验数据和数学模型基础.
关键词 烧结过程 常压烧结 质量密度 力学性能 碳化硅陶瓷 试验研究 计算机仿真 数学模型
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碳化硅陶瓷的冲蚀磨损机理 被引量：7
10
作者 张伟 蒋明学 廉晓庆 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期511-514,共4页
采用自主研发的冲蚀磨损试验机,以碳素钢为参照,对碳化硅陶瓷进行冲蚀磨损实验。通过控制冲蚀角度、冲蚀时间和粒子冲蚀速度,测定碳化硅陶瓷的冲蚀磨损量,并借助于SEM对冲蚀磨损后试样的显微结构进行观察。实验结果表明:碳化硅陶瓷体积... 采用自主研发的冲蚀磨损试验机,以碳素钢为参照,对碳化硅陶瓷进行冲蚀磨损实验。通过控制冲蚀角度、冲蚀时间和粒子冲蚀速度,测定碳化硅陶瓷的冲蚀磨损量,并借助于SEM对冲蚀磨损后试样的显微结构进行观察。实验结果表明:碳化硅陶瓷体积冲蚀率随角度增大而增大,在90°下达到最大;碳化硅陶瓷的冲蚀磨损机理为:在小角度下主要以切削磨损为主,在大角度下主要以脆性断裂为主。 展开更多
关键词 冲蚀磨损 碳化硅陶瓷 冲蚀角
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SiC陶瓷增韧的研究进展 被引量：5
11
作者 孟繁洁 阮国智 +1 位作者 张智慧 白宾 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第F11期425-427,共3页
碳化硅陶瓷以其优异的性能被广泛利用于各种领域,但其脆性限制了其性能的发挥,因此其增韧技术得到广泛研究并取得良好效果。综合评述了碳化硅陶瓷增韧机理和增韧方法的研究进展,包括晶须或纤维增韧、颗粒弥散增韧、表面改性技术增韧、... 碳化硅陶瓷以其优异的性能被广泛利用于各种领域,但其脆性限制了其性能的发挥,因此其增韧技术得到广泛研究并取得良好效果。综合评述了碳化硅陶瓷增韧机理和增韧方法的研究进展,包括晶须或纤维增韧、颗粒弥散增韧、表面改性技术增韧、自增韧、层状结构复合增韧的增韧机理和方法进。 展开更多
关键词 碳化硅陶瓷 增韧机理 增韧方法
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基于材料冲击特性的碳化硅超声磨削机理及亚表面损伤特征研究
12
作者 梁奉爽 吴明阳 刘立飞 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期75-85,共11页
碳化硅是空间光学元件理想材料之一,但其磨削亚表面会产生较严重的面损伤,影响光学元件生产效率、性能发挥及使用寿命。为了更好地控制碳化硅超声磨削亚表面损伤,开展了超声辅助磨削数值仿真和试验研究,建立磨粒的运动轨迹方程,研究加... 碳化硅是空间光学元件理想材料之一,但其磨削亚表面会产生较严重的面损伤,影响光学元件生产效率、性能发挥及使用寿命。为了更好地控制碳化硅超声磨削亚表面损伤,开展了超声辅助磨削数值仿真和试验研究,建立磨粒的运动轨迹方程,研究加工参数对运动学特性的影响规律,分析超声振动辅助对磨削过程材料去除的影响机理,讨论加工参数影响下的碳化硅超声磨削去除机理和亚表面损伤特征,建立亚表面损伤深度预测模型。结果表明,施加超声振动辅助后磨粒的运动学特性发生周期性变化,磨粒周期性地冲击工件;碳化硅在超声磨削过程中主要有三种去除方式:穿晶裂纹撕裂晶粒发生脆性断裂去除、晶界裂纹扩展至碳化硅表面导致单颗晶粒脱落以及晶界裂纹沿多颗晶粒的晶界扩展至碳化硅表面导致块状脱落;经验证,亚表面损伤深度模型预测精度较好,预测值与检测值的方差为0.219。 展开更多
关键词 碳化硅 超声振动辅助 磨削 亚表面损伤
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铁尾矿制备碳化硅多孔陶瓷材料及其性能研究
13
作者 关昀鹤 郑丽君 +1 位作者 罗旭东 牛舒楠 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第3期246-250,共5页
为了探究铁尾矿的再利用,以铁尾矿和无烟煤为原料,经碳热还原反应制备了碳化硅多孔陶瓷试样,研究了C与SiO_(2)物质的量比(C和SiO_(2)物质的量比分别为3∶1、4∶1、5∶1和6∶1)及热处理温度(1200、1300、1400和1500℃)对碳化硅多孔陶瓷... 为了探究铁尾矿的再利用,以铁尾矿和无烟煤为原料,经碳热还原反应制备了碳化硅多孔陶瓷试样,研究了C与SiO_(2)物质的量比(C和SiO_(2)物质的量比分别为3∶1、4∶1、5∶1和6∶1)及热处理温度(1200、1300、1400和1500℃)对碳化硅多孔陶瓷试样显微结构、力学性能和热导率的影响。结果表明:碳化硅多孔陶瓷主晶相为β-SiC,次晶相为Fe_(5)Si_(3)和Fe_(3)Si。随着热处理温度升高,C与SiO_(2)物质的量比增加,碳热还原反应越充分,β-SiC相含量逐渐增加,试样的体积密度和常温耐压强度降低,显气孔率增加,热导率降低。当热处理温度为1500℃,C与SiO_(2)物质的量比为6∶1时,试样的体积密度为1.25 g·cm^(-3),显气孔率为62.3%,常温耐压强度为35.0 MPa,800℃时热导率为0.150 W·m^(-1)·K^(-1),综合性能最佳。 展开更多
关键词 铁尾矿 无烟煤 碳化硅陶瓷 碳热还原 热导率
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碳化硅陶瓷在光伏领域的应用与研究
14
作者 李梦飞 马波 《中国高新科技》 2024年第11期103-105,共3页
随着太阳能光伏行业的发展,扩散炉、LPCVD炉成为生产太阳能电池片的主要设备,直接影响着太阳能电池片的性能。综合衡量产品性能和使用成本,碳化硅陶瓷材料在太阳能电池领域的应用均比石英材料更具有优势,碳化硅陶瓷材料应用于光伏行业,... 随着太阳能光伏行业的发展,扩散炉、LPCVD炉成为生产太阳能电池片的主要设备,直接影响着太阳能电池片的性能。综合衡量产品性能和使用成本,碳化硅陶瓷材料在太阳能电池领域的应用均比石英材料更具有优势,碳化硅陶瓷材料应用于光伏行业,对光伏企业减少辅材投资成本,提高产品质量和竞争力有着巨大的帮助。碳化硅陶瓷材料在光伏领域主要向着纯度更高、承载能力更强、装片量更高、成本更低的趋势发展。 展开更多
关键词 太阳能光伏 碳化硅陶瓷 电池设备 LPCVD
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用铝基钎料钎焊SiC陶瓷及其在SiC陶瓷表面浸润性的研究 被引量：5
15
作者 金朝阳 陈铮 +1 位作者 顾晓波 刘凯 《华东船舶工业学院学报》 EI 2001年第2期12-16,共5页
测定了在 10 -2 Pa真空度条件下Al- 2 8Cu - 5Si、Al - 10Si- 4Cu、Al- 12Si和Al -Si-Mg四种铝基钎料在反应烧结SiC陶瓷表面的润湿性 ,测定了用上述钎料钎焊SiC陶瓷的连接强度 ,探讨了润湿性和SiC陶瓷钎焊接头剪切强度的关系。结果表明 ... 测定了在 10 -2 Pa真空度条件下Al- 2 8Cu - 5Si、Al - 10Si- 4Cu、Al- 12Si和Al -Si-Mg四种铝基钎料在反应烧结SiC陶瓷表面的润湿性 ,测定了用上述钎料钎焊SiC陶瓷的连接强度 ,探讨了润湿性和SiC陶瓷钎焊接头剪切强度的关系。结果表明 :四种钎料润湿性和接头剪切强度均随温度的升高和保温时间的延长而明显改善 ,Al-Si-Mg钎料润湿性最好 ;采用Al- 10Si- 4Cu钎料在 1373K、保温6 0min的条件下 ,接头剪切强度最高 ,为 15 3MPa。 展开更多
关键词 铝基钎料 碳化硅陶瓷 浸润性 钎焊 连接强度
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碳化硅陶瓷脉冲激光加工改性表面特征研究
16
作者 刘伟 顾浩 +1 位作者 唐都波 刘顺 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期126-130,共5页
采用脉冲激光对碳化硅陶瓷进行加工,通过单因素实验探究激光功率、扫描次数、光斑重叠率等激光工艺参数对工件改性表面特征的影响规律。实验结果表明,当激光功率较小时,工件表面形成周期性的起伏沟槽,且随机分布着破碎凹坑;当激光功率... 采用脉冲激光对碳化硅陶瓷进行加工,通过单因素实验探究激光功率、扫描次数、光斑重叠率等激光工艺参数对工件改性表面特征的影响规律。实验结果表明,当激光功率较小时,工件表面形成周期性的起伏沟槽,且随机分布着破碎凹坑;当激光功率逐渐增大时,工件表面逐渐出现崩裂的热致裂纹;表面粗糙度随激光功率的增大先减小后增大。当扫描次数较少时,工件表面结构较为浅薄、稀松;随着扫描次数的增加,工件表面形成的结构凹凸不平;表面粗糙度随扫描次数的增大先减小后增大。在低光斑重叠率条件下,工件表面沟槽较浅、整体表面起伏较小;当光斑重叠率逐渐增大时,表面沟槽逐渐变深,工件表面出现孔洞;表面粗糙度随光斑重叠率增大而增大。 展开更多
关键词 碳化硅陶瓷 脉冲激光 改性 表面形貌
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碳化硅陶瓷的激光改性磨削
17
作者 刘伟 顾浩 +1 位作者 唐都波 刘顺 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2024年第4期637-642,共6页
为了实现碳化硅陶瓷的高精加工,激光辐照被引入磨削加工中。本文以碳化硅陶瓷为研究对象,采用激光改性磨削工艺,利用激光辐照对碳化硅陶瓷进行改性处理,进而对碳化硅陶瓷进行磨削试验。与普通磨削进行比较,研究了碳化硅陶瓷试样的磨削... 为了实现碳化硅陶瓷的高精加工,激光辐照被引入磨削加工中。本文以碳化硅陶瓷为研究对象,采用激光改性磨削工艺,利用激光辐照对碳化硅陶瓷进行改性处理,进而对碳化硅陶瓷进行磨削试验。与普通磨削进行比较,研究了碳化硅陶瓷试样的磨削力、表面粗糙度、表面形貌和亚表面损伤。实验结果表明,与普通磨削相比,激光改性磨削可以有效降低法向磨削力、切向磨削力、表面粗糙度,最大下降幅度分别为33.91%、37.31%和33.14%。激光改性磨削促使SiC陶瓷在磨削过程中以塑性去除为主,磨削表面规则且光滑;工件亚表面微裂纹较少,亚表面损伤深度小;实现了大磨削深度的塑性去除,提高了SiC陶瓷的磨削质量。 展开更多
关键词 碳化硅陶瓷 激光改性磨削 磨削力 表面质量 塑性去除
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碳化硅-超高分子量聚乙烯纤维增强树脂基复合材料复合装甲板的抗穿甲弹侵彻性能及其损伤机制 被引量：5
18
作者 贾楠 焦亚男 +2 位作者 周庆 何业茂 陈利 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期4908-4917,共10页
以碳化硅陶瓷(SiC)作为面板材料,超高分子量聚乙烯纤维增强水性聚氨酯树脂基复合材料层压板(UHMWPE/WPU)作为背板材料,通过真空袋膜压工艺制备SiC-UHMWPE/WPU复合装甲板。基于弹道冲击试验研究复合装甲板的结构参数对其抗穿甲弹侵彻性... 以碳化硅陶瓷(SiC)作为面板材料,超高分子量聚乙烯纤维增强水性聚氨酯树脂基复合材料层压板(UHMWPE/WPU)作为背板材料,通过真空袋膜压工艺制备SiC-UHMWPE/WPU复合装甲板。基于弹道冲击试验研究复合装甲板的结构参数对其抗穿甲弹侵彻性能的影响,采用X射线计算机断层扫描(X-ray computed tomography,CT)技术,研究复合装甲板在53式7.62 mm穿甲弹以弹速为(808^(+7)_(-8))m/s进行多发弹道侵彻下的损伤模式。研究结果表明:SiC-UHMWPE/WPU复合装甲板的抗多发弹道侵彻能力随着UHMWPE/WPU厚度或SiC厚度的降低而逐渐下降,10 mm厚SiC+13 mm厚UHMWPE/WPU是试验中抗53式7.62 mm穿甲弹多发弹道侵彻的最佳工程应用结构;UHMWPE/WPU面密度的减少不仅影响UHMWPE/WPU的防护效率,其还通过降低对陶瓷面板的支撑作用,间接影响陶瓷的防护效率;弹道侵彻后的复合装甲板的损伤模式包括SiC碎裂、SiC与UHMWPE/WPU的界面破坏及UHMWPE/WPU的绝热剪切破坏、拉伸变形和分层破坏。 展开更多
关键词 碳化硅陶瓷 超高分子量聚乙烯 复合装甲板 穿甲弹 计算机断层扫描(CT)分析 损伤机制
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碳化硅陶瓷超快激光双光束精密抛光技术研究
19
作者 肖海兵 张庆茂 +3 位作者 谭小军 周泳全 张卫 罗博伟 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期180-187,共8页
为了有效提高碳化硅陶瓷材料抛光精度,采用了一种红外脉冲和超快紫外皮秒激光双光束抛光碳化硅陶瓷技术。通过红外纳秒激光与超快紫外皮秒激光抛光碳化硅陶瓷材料激光双光束抛光方法,实验研究了激光功率、重复频率、扫描速率、离焦量等... 为了有效提高碳化硅陶瓷材料抛光精度,采用了一种红外脉冲和超快紫外皮秒激光双光束抛光碳化硅陶瓷技术。通过红外纳秒激光与超快紫外皮秒激光抛光碳化硅陶瓷材料激光双光束抛光方法,实验研究了激光功率、重复频率、扫描速率、离焦量等抛光工艺参数对抛光SiC表面质量的影响。结果表明,在激光功率24 W、扫描速率200 mm/s、激光重复频率500 kHz、离焦1 mm时,陶瓷表面粗糙度达到最优,激光双光束抛光和单光束抛光原始粗糙度碳化硅2.87μm分别下降至0.42μm和0.53μm;激光双光束抛光SiC陶瓷致密化,陶瓷表面呈现有规律的整齐排列,且碳化硅抛光表面的晶粒平均大小为1.48μm,表面力学性能得到改善。该研究为陶瓷等硬脆材料激光精密抛光提供了参考。 展开更多
关键词 激光技术 激光抛光 超快光学 激光双光束 碳化硅陶瓷 表面形貌
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电子束辐照聚碳硅烷热解合成 SiC陶瓷材料 Ⅱ.低分子量聚丁二烯对不熔化反应的敏化效应 被引量：5
20
作者 许云书 傅依备 +2 位作者 黄瑞良 孙颖 华德根 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期129-134,共6页
通 过溶液共 混的方法 将低分 子量聚丁 二烯（ Ｌ Ｍ Ｗ Ｐ Ｂ） 加 入聚碳硅 烷（ Ｐ Ｃ Ｓ） 中，用直 线加速器产 生的能 量为９０ Ｍｅ Ｖ 的电 子束 在 Ｈｅ 气氛 中 辐照， 然后 在 高温 下 热解 转 化为 Ｓｉ Ｃ 陶 ... 通 过溶液共 混的方法 将低分 子量聚丁 二烯（ Ｌ Ｍ Ｗ Ｐ Ｂ） 加 入聚碳硅 烷（ Ｐ Ｃ Ｓ） 中，用直 线加速器产 生的能 量为９０ Ｍｅ Ｖ 的电 子束 在 Ｈｅ 气氛 中 辐照， 然后 在 高温 下 热解 转 化为 Ｓｉ Ｃ 陶 瓷。结果表明 ：添加４８ ｗｔ ％ 的 Ｌ Ｍ Ｗ Ｐ Ｂ 即 能够有效 地将 Ｐ Ｃ Ｓ 的凝胶 化剂 量从 ５ Ｍ Ｇｙ 降 低至 ～０４ Ｍ Ｇｙ 。加有 Ｌ Ｍ Ｗ Ｐ Ｂ 的 Ｐ Ｃ Ｓ，其 辐照产物 的富里衰 变换红 外光谱（ Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ） 谱 与不含 Ｌ Ｍ Ｗ Ｐ Ｂ 者相 似。用气相色谱 法检测到 辐照过 程中有 Ｈ２ 和 Ｃ Ｈ４ 析出 。 Ｌ Ｍ Ｗ Ｐ Ｂ 对 辐照 产物 的 热解 反 应无 明显 影 响，用热重红外光 谱（ Ｔ Ｇ Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ） 联 用技术 和气相色 谱法 检 测到 热解 过 程中 同样 有 Ｃ Ｈ４ 和 大量 的 Ｈ２ 析出。在 Ｎ２ 气流中 ，将辐照 后的 Ｐ Ｃ Ｓ／ Ｌ Ｍ Ｗ Ｐ Ｂ 试样 升温 至 １２００ ‘ Ｃ，热 解 后得 到有 金 属光 泽 的 黑色产物， Ｘ 射线 衍射谱图 与元素 分析结果 表明该产 物为高 纯度的半 晶 Ｓｉ Ｃ 陶瓷 。 展开更多
关键词 聚碳硅烷 电子束 敏化剂 热解 碳化硅陶瓷
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