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基于电学法对二维多芯片组件的热阻矩阵研究 被引量：1
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作者 汪张超 刘安 吕红杰 《电子质量》 2021年第7期112-116,共5页
高密度组装导致MCM芯片间热耦合效应增加,结温增加来自芯片自发热和热耦合效应。该文以调宽功放的多个功率管为研究对象,关注多芯片的热耦合效应,基于电学方法确定热阻矩阵,通过理论计算获得芯片稳态工作温度。并通过红外热像试验验证... 高密度组装导致MCM芯片间热耦合效应增加,结温增加来自芯片自发热和热耦合效应。该文以调宽功放的多个功率管为研究对象,关注多芯片的热耦合效应,基于电学方法确定热阻矩阵,通过理论计算获得芯片稳态工作温度。并通过红外热像试验验证模型计算的结果。基于热阻矩阵模型分析不同条件下的芯片温升。 展开更多
关键词 多芯片组件 热阻矩阵 半导体技术 VDMOS
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