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大功率半导体激光器发展及相关技术概述 被引量：48
1
作者 宁永强 陈泳屹 +7 位作者 张俊 宋悦 雷宇鑫 邱橙 梁磊 贾鹏 秦莉 王立军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期184-193,共10页
激光被称为"最快的刀"、"最准的尺"、"最亮的光",与原子能、计算机、半导体并称为20世纪新四大发明。大功率半导体激光器在工业加工、医疗美容、光纤通信、无人驾驶、智能机器人等方面有着广泛的应用。... 激光被称为"最快的刀"、"最准的尺"、"最亮的光",与原子能、计算机、半导体并称为20世纪新四大发明。大功率半导体激光器在工业加工、医疗美容、光纤通信、无人驾驶、智能机器人等方面有着广泛的应用。如何实现大功率半导体激光光源,一直以来都是国际的研究前沿和学科热点。为此,简述了大功率半导体激光器的发展历史,综述了大功率半导体激光器的共用技术,包括大功率芯片技术和大功率合束技术,并对大功率半导体激光的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 大功率 芯片技术 合束技术
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解析美国的半导体产业霸权:产业权力的政治经济学分析 被引量：44
2
作者 李巍 李玙译 《外交评论（外交学院学报）》 CSSCI 北大核心 2022年第1期22-58,I0002,I0003,共39页
20世纪中期,美国出于军工需要孕育产生了最早的半导体产业,并长期执世界之牛耳。从20世纪80年代开始,随着半导体技术逐渐向全球扩散,日本、韩国和中国台湾等东亚经济体先后在该领域崭露头角,半导体产业的全球发展格局也从"一枝独秀... 20世纪中期,美国出于军工需要孕育产生了最早的半导体产业,并长期执世界之牛耳。从20世纪80年代开始,随着半导体技术逐渐向全球扩散,日本、韩国和中国台湾等东亚经济体先后在该领域崭露头角,半导体产业的全球发展格局也从"一枝独秀"转变为"百花齐放"。然而,近年来美国在半导体领域对中国高科技企业尤其是对华为的强力打压表明,尽管半导体的产业分工已高度全球化,而且美国本土的半导体生产和制造也确实相对衰落,但美国在该产业仍拥有十分强悍的霸权地位,且主要体现在其产业控制力而非产业竞争力上。美国对中国发动的规模空前的"芯片战争",不仅对相关企业的发展产生了显著的负面影响,而且对整个中国信息与通讯产业的升级都构成了严重阻碍,彰显了美国巨大的产业权力。美国这种产业权力源于其对半导体产业在技术链、金融链和消费链三个方面所拥有的强大控制能力,这种产业控制力并没有因为其产业竞争力的衰退而有所减弱。它们具体分别体现为在产业链关键环节对核心技术和高端研发的控制,对主要半导体企业在融资渠道和股权结构方面的控制,以及作为世界最重要的半导体产品买家而形成的市场控制。技术控制、金融控制和市场控制,共同构成了美国半导体产业霸权的三个基石,确保美国在产业竞争力相对衰退的情况下仍具有强大的产业权力。这种建立在技术—资本—市场基础上的三维分析框架,也为中国半导体产业的逆势崛起与战略突围提供了一些对症下药的思路。 展开更多
关键词 半导体 产业权力 技术控制 金融控制 市场控制 芯片 政治经济学
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半导体激光器及其在军事领域的应用 被引量：15
3
作者 耿素杰 王琳 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期311-312,共2页
文中阐述了半导体激光器的研究进展情况,简要介绍了半导体激光器在激光测距,激光制导跟踪、激光瞄准告警,激光雷达和激光引信等军事领域的应用。
关键词 半导体激光器 激光测距 激光制导跟踪 激光瞄准告警 激光雷达 激光引信 军事应用
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太阳能半导体照明驱动技术研究 被引量：23
4
作者 陈维 沈辉 +1 位作者 王东海 邓幼俊 《照明工程学报》 2005年第3期7-10,共4页
结合太阳能光伏系统应用特点和大功率照明LED的驱动特性,对太阳能半导体照明驱动技术进行了研究,并研制了一种新的太阳能路灯控制器,不但能够实现对光伏系统中的蓄电池防过充、过放保护,而且还实现对LED光源的亮度可控调节。
关键词 太阳能 半导体照明 驱动技术 光伏系统 路灯控制器
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碳化硅材料研究现状与应用展望 被引量：25
5
作者 王家鹏 贺东葛 赵婉云 《电子工业专用设备》 2018年第4期23-26,共4页
介绍了碳化硅材料的物理特性、加工工艺,展望了碳化硅材料的应用前景,提出了深入研究碳化硅材料的必要性以及紧迫感。
关键词 碳化硅 半导体材料 加工工艺 应用展望
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新型封装材料与大功率LED封装热管理 被引量：18
6
作者 田大垒 关荣锋 王杏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期5-7,19,共4页
高效散热封装材料的合理选择和有效使用是提高大功率LED(发光二极管)封装可靠性的重要环节。在分析封装系统热阻对LED性能的影响及对传统散热封装材料性能进行比较的基础上,阐述了金属芯印刷电路板材料、金属基绝缘板材料、陶瓷基板材... 高效散热封装材料的合理选择和有效使用是提高大功率LED(发光二极管)封装可靠性的重要环节。在分析封装系统热阻对LED性能的影响及对传统散热封装材料性能进行比较的基础上,阐述了金属芯印刷电路板材料、金属基绝缘板材料、陶瓷基板材料、导热界面材料和金属基复合材料结构特点、导热性能及其封装应用实例。指出了封装材料的研究重点和亟待解决的问题。 展开更多
关键词 半导体技术 大功率LED 综述 封装材料 热管理
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ITO薄膜的制备及其光电特性研究 被引量：14
7
作者 辛荣生 林钰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期39-41,共3页
采用直流磁控溅射法,分别用ITO陶瓷靶、In-Sn合金靶,在玻璃基片上镀膜。研究ITO透明导电膜其膜厚、靶材、溅射气压和溅射速率等工艺对光电特性的影响。结果表明,采用陶瓷靶镀膜要比合金靶效果好,膜厚70nm以上、溅射气压0.45Pa和溅射速率... 采用直流磁控溅射法,分别用ITO陶瓷靶、In-Sn合金靶,在玻璃基片上镀膜。研究ITO透明导电膜其膜厚、靶材、溅射气压和溅射速率等工艺对光电特性的影响。结果表明,采用陶瓷靶镀膜要比合金靶效果好,膜厚70nm以上、溅射气压0.45Pa和溅射速率23nm/min左右为最佳工艺条件,并得到了ITO薄膜电阻率1.8×10–4Ω.cm、可见光透过率80%以上。 展开更多
关键词 半导体技术 ITO膜 磁控溅射 电阻率 透光率
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Ga Al In掺杂ZnO电子结构的第一性原理计算 被引量：10
8
作者 张富春 邓周虎 +2 位作者 阎军锋 允江妮 张志勇 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期4-7,10,共5页
计算了Ga、Al、In掺杂ZnO体系电子结构,分析了掺杂对ZnO晶体的结构、能带、电子态密度、差分电荷分布的影响。所有计算,都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。计算结果表明:在导带底引入了大量由掺杂原子贡... 计算了Ga、Al、In掺杂ZnO体系电子结构,分析了掺杂对ZnO晶体的结构、能带、电子态密度、差分电荷分布的影响。所有计算,都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。计算结果表明:在导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子(Ga:2.57×1021cm–3;Al:2.58×1021cm–3;In:2.53×1021cm–3),明显提高了体系的电导率。同时,光学带隙展宽,且向低能方向漂移,可作为优良的透明导电薄膜材料。 展开更多
关键词 半导体技术 ZNO 第一性原理 电子结构 掺杂 透明导电薄膜
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半导体桥的研究进展与发展趋势 被引量：15
9
作者 张文超 张伟 +4 位作者 徐振相 秦志春 周彬 叶家海 田桂蓉 《爆破器材》 CAS 2009年第2期21-24,共4页
文章系统地综述了半导体桥芯片的研究现状和半导体桥点火性能测试的研究进展,并对半导体桥的发展趋势以及应用前景进行了分析和展望,指出今后应当对反应式半导体桥和其它新型半导体桥的设计、制备及点火机理进行研究。
关键词 火工品 半导体桥 半导体技术 发展方向
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USB2.0接口IP核的开发与设计 被引量：5
10
作者 阮利华 王祥 +3 位作者 黄全平 周荣政 洪志良 蒋凤仙 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期173-177,共5页
介绍了一种基于USB2.0协议的设备接口的IP核设计.着重研究了USB2.0协议控制器、缓存控制器、工作模式控制等硬件数字电路的实现,该电路支持高速(480Mbps)和全速(12Mbps)传输.为了满足USB2.0高速的传输要求,减小硬件设计的复杂性和硬件开... 介绍了一种基于USB2.0协议的设备接口的IP核设计.着重研究了USB2.0协议控制器、缓存控制器、工作模式控制等硬件数字电路的实现,该电路支持高速(480Mbps)和全速(12Mbps)传输.为了满足USB2.0高速的传输要求,减小硬件设计的复杂性和硬件开销,整个系统采用硬件电路和MCU固件结合的方法进行设计,同时使用了不同传输方式缓冲区共用的双缓冲区缓存结构,因此电路具有实现简单,硬件开销小,传输速度较高等优点.设计的电路已经通过FPGA验证. 展开更多
关键词 USB2.0协议 缓存 USB2.0接口 硬件 固件 IP核设计 开销 FPGA验证 数字电路 传输方式
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一个1.5V低相位噪声的高频率LC压控振荡器的设计 被引量：9
11
作者 邬蓉 衣晓峰 +2 位作者 唐长文 苏彦锋 洪志良 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期166-172,共7页
介绍了一种适用于DCS 1800系统的压控振荡器的设计,中心频率为3.6GHz.分析并比较了三种降低相位噪声的方法并进行了仿真验证,然后阐述了3.6GHz压控振荡器器件尺寸的优化分析.采用电感电容滤波技术降低相位噪声,在偏离中心频率600kHz处,... 介绍了一种适用于DCS 1800系统的压控振荡器的设计,中心频率为3.6GHz.分析并比较了三种降低相位噪声的方法并进行了仿真验证,然后阐述了3.6GHz压控振荡器器件尺寸的优化分析.采用电感电容滤波技术降低相位噪声,在偏离中心频率600kHz处,仿真得到相位噪声为-117dBc/Hz,调谐范围达到26.7%.VCO电路在1.5V电压下工作,静态电流为6mA. 展开更多
关键词 半导体技术 压控振荡器 相位噪声 电感电容滤波技术 频率
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(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性质的影响 被引量：10
12
作者 陈洪存 王矜奉 +3 位作者 臧国忠 苏文斌 王春明 亓鹏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期27-29,共3页
研究了(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响。施主Nb离子的掺杂显著提高了压敏电阻的势垒高度,这与它能提供晶界势垒形成所必需的正电荷和负电荷直接相关。小半径离子Mg和Al易于处在ZnO的填隙位置,适量的掺杂也能提高晶界势... 研究了(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响。施主Nb离子的掺杂显著提高了压敏电阻的势垒高度,这与它能提供晶界势垒形成所必需的正电荷和负电荷直接相关。小半径离子Mg和Al易于处在ZnO的填隙位置,适量的掺杂也能提高晶界势垒高度,这与处在填隙位置的金属离子能提供正电荷和负电荷有关。而且填隙掺杂还能有效地改善陶瓷的致密度和均匀度,从而降低了ZnO压敏电阻漏电流、残压比和提高了非线性。(Nb,Mg,Al) 多元掺杂的ZnO压敏电阻的漏电流、残压比和非线性系数分别达到了 0.3 mA、V40kA/V1mA 2.5和a 110。 展开更多
关键词 半导体技术 (Nb Mg Al)掺杂的ZnO压敏电阻 势垒 漏电流 残压比 非线性系数
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用于高速PLL的CMOS电荷泵电路 被引量：13
13
作者 王烜 来金梅 +1 位作者 孙承绶 章倩苓 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期929-934,共6页
提出了一种应用于高速锁相环中的新型CMOS电荷泵电路.电荷泵核心部分为一带有参考电压电路的双管开关型电路,并对运放构成的反馈回路进行了改进,降低了电荷泵输出电压的抖动.电路采用chartered 0.35 μm 3.3 V CMOS工艺实现,模拟结果表... 提出了一种应用于高速锁相环中的新型CMOS电荷泵电路.电荷泵核心部分为一带有参考电压电路的双管开关型电路,并对运放构成的反馈回路进行了改进,降低了电荷泵输出电压的抖动.电路采用chartered 0.35 μm 3.3 V CMOS工艺实现,模拟结果表明电流源输出电压在1～3 V区间变化,其输出电流基本无变化,上下电流的失配率小于0.6%,具有很高的匹配性.在3.3 V电源电压下,电荷泵输出电压的范围为0～3.1 V,具有宽摆幅和低抖动(约0.2 mV)等优点,能很好地满足高速锁相环的性能要求. 展开更多
关键词 半导体技术 电荷泵 锁相环 鉴频鉴相器 压控振荡器
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基于PSO-BP模型的扩散硅压力传感器温度补偿 被引量：14
14
作者 崔萌洁 卢文科 左锋 《中国测试》 CAS 北大核心 2019年第11期95-100,125,共7页
硅的电导率易受温度影响,导致扩散硅压力传感器的输出电压随温度变化产生漂移,需对该传感器进行温度补偿,针对该问题提出粒子群优化的BP神经网络算法(PSO-BP)。通过二维标定实验,利用温度传感器监测实验环境温度,得到扩散硅压力传感器... 硅的电导率易受温度影响,导致扩散硅压力传感器的输出电压随温度变化产生漂移,需对该传感器进行温度补偿,针对该问题提出粒子群优化的BP神经网络算法(PSO-BP)。通过二维标定实验,利用温度传感器监测实验环境温度,得到扩散硅压力传感器在不同工作温度下的输入输出特性曲线,建立PSO-BP模型。该模型利用粒子群算法全局寻优的能力为BP神经网络算法初始权值和阈值选取最优解,弥补传统BP神经网络初始值随机选取的弊端,克服容易局部陷入极值的缺陷。实验结果表明,经过PSO-BP模型补偿后的输出零位温度系数和灵敏度温度系数均减小一个数量级,证实该模型能够有效降低温度对扩散硅压力传感器的影响。 展开更多
关键词 半导体技术 压力传感器 温度补偿 粒子群算法 BP神经网络
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半导体制造中清洗技术的新动向 被引量：12
15
作者 许宝兴 《电子工业专用设备》 2005年第7期1-6,10,共7页
多年来习惯采用多槽浸渍式RCA清洗的半导体清洗领域里,正在兴起的是从多槽浸渍式向单片式处理转移。并出现了取代RCA法的新型清洗液与新的生产方法。正在开始对超临界流体清洗等下一代清洗技术的开发。概述这些半导体清洗技术的最新动向。
关键词 半导簿制造 清汔技术 墨圆
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BGA组装技术与工艺 被引量：11
16
作者 胡强 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期10-12,共3页
从BGA的封装形式、PCB的设计、焊膏印刷、贴片、回流焊接工艺等方面分析了BGA组装过程中应注意的问题及其预防措施。以常用的PBGA和CBGA为例,分析了两种不同封装形式BGA的结构特点和组装过程中应注意的问题,以焊膏Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2... 从BGA的封装形式、PCB的设计、焊膏印刷、贴片、回流焊接工艺等方面分析了BGA组装过程中应注意的问题及其预防措施。以常用的PBGA和CBGA为例,分析了两种不同封装形式BGA的结构特点和组装过程中应注意的问题,以焊膏Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2和Sn96.5Ag3.0Cu0.5为例,分析了传统的SnPb组装工艺和无铅组装工艺的特点,以提高BGA组装的质量。 展开更多
关键词 半导体技术 BGA 综述 封装 PCB 无铅 回流焊接 温度曲线
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中国半导体产业的技术追赶路径--基于领先企业的经验对比研究 被引量：12
17
作者 刘碧莹 任声策 《科技管理研究》 CSSCI 北大核心 2020年第11期82-90,共9页
从半导体产业特征入手,结合英特尔和三星电子的成功经验,即长期研发投入和基础研究;大量核心基础专利积累;开放的全球合作网络以及平台生态优势,探讨中国半导体技术创新之路。中国半导体产业后发企业居多,国际龙头企业建立的平台优势很... 从半导体产业特征入手,结合英特尔和三星电子的成功经验,即长期研发投入和基础研究;大量核心基础专利积累;开放的全球合作网络以及平台生态优势,探讨中国半导体技术创新之路。中国半导体产业后发企业居多,国际龙头企业建立的平台优势很难打破,但仍存在追赶机会,需要:(1)持续加强研发投入,积累基础研究成果;(2)捕捉技术突破机会,布局可进入细分领域专利;(3)构建产业生态支撑体系,打造半导体企业生态圈。 展开更多
关键词 半导体产业 技术创新 平台生态 细分市场 基础研究
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半导体用高纯钨靶材的制备技术与应用 被引量：11
18
作者 魏修宇 《硬质合金》 CAS 2017年第5期353-359,共7页
难熔金属钨及钨合金由于具有高温稳定性好、电子迁移抗力高以及电子发射系数高等优点,在半导体大规模集成电路制造过程中有着广泛的应用。本文对半导体用高纯钨及钨合金靶材的应用领域、性能要求以及制备方法进行了详细的分析,并对其发... 难熔金属钨及钨合金由于具有高温稳定性好、电子迁移抗力高以及电子发射系数高等优点,在半导体大规模集成电路制造过程中有着广泛的应用。本文对半导体用高纯钨及钨合金靶材的应用领域、性能要求以及制备方法进行了详细的分析,并对其发展趋势进行了展望。高纯钨及钨合金靶材主要用于制造半导体集成电路的栅电极、连接布线、扩散阻挡层等,对材料的纯度、杂质元素含量、致密度、晶粒尺寸及晶粒组织均匀性等方面都有着极高的要求。高纯钨及钨合金靶材主要采用热压、热等静压等方式来制备,采用中频烧结+压力加工的方式可以制备出高纯度、高致密度的钨靶材,但晶粒尺寸及晶粒组织均匀性控制方面,与热等静压制备的钨靶仍有一定的差距。 展开更多
关键词 半导体 高纯钨靶材 制备技术 应用
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有害气体检测传感器技术研究现状及进展 被引量：6
19
作者 杨希军 《化工管理》 2023年第29期131-134,共4页
对有毒有害气体进行检测是保护人员生命健康、国家及个人财产安全、生产及生活环境等的重要手段,是包括石油化工、煤矿生产、市政设施、环境保护等多个行业的日常重要工作项目。对于不同有毒有害气体,要根据其危害作用的物理、化学特性... 对有毒有害气体进行检测是保护人员生命健康、国家及个人财产安全、生产及生活环境等的重要手段,是包括石油化工、煤矿生产、市政设施、环境保护等多个行业的日常重要工作项目。对于不同有毒有害气体,要根据其危害作用的物理、化学特性,选择与之原理相对应的各类传感器技术实施检测,同时还需关注成本、精度等要求。现阶段在实际生产现场中普遍应用的气体检测技术,基本采用催化燃烧式、电化学、半导体、光离子化等体积小、实用性强的气体传感器。文章全面分析不同传感器技术的特点及未来的发展前景。 展开更多
关键词 半导体传感器 有害气体 传感器技术 有害检测
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发光二极管的研究现状与发展趋势 被引量：6
20
作者 罗海荣 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期299-303,共5页
Ⅱ－Ⅳ族、Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体是制作显示器件的重要材料，随着制作工艺日趋成熟，发光二极管已广泛地应用于国民经济各部门。本文主要介绍了国内外发光二极管的研究现状和发展趋势。
关键词 半导体器件 半导体技术 发光二极管
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