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0.20μm双埋氧SOI NMOSFET的自热效应
1
作者
王国庆
张晋敏
+4 位作者
吴次南
谢泉
刘凡宇
李博
杨静琦
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第8期617-622,共6页
研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE)。通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响。仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道。重点研究了器件电压和环境...
研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE)。通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响。仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道。重点研究了器件电压和环境温度对SHE的影响,结果表明随着漏极和栅极电压的增加,器件体区晶格温度升高,SHE增强;随着环境温度的升高,退化电流降低,SHE减弱。此外,重点分析了背栅偏置电压对器件SHE的影响,研究发现负的背栅偏置电压对全耗尽绝缘体上硅和DSOI NMOSFET的SHE均表现出抑制效果,且DSOI NMOSFET的背栅展现出了更好的抑制效果。
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关键词
双埋氧绝缘层上硅(DSOI)
自热效应(
she
)
晶格温度
退化电流
背栅
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职称材料
基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法
2
作者
冯慧
安霞
+5 位作者
杨东
谭斐
黄良喜
武唯康
张兴
黄如
《中国科学：信息科学》
CSCD
2014年第7期912-919,共8页
自热效应SHE(self-heating effect)是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI(hot carrier injection)应力下会导致自热效应加剧,低估器件工作寿命,使得寿命预测不准.本文提出了一种基于直流HCI应力下的0.18μmPD-SOINM...
自热效应SHE(self-heating effect)是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI(hot carrier injection)应力下会导致自热效应加剧,低估器件工作寿命,使得寿命预测不准.本文提出了一种基于直流HCI应力下的0.18μmPD-SOINMOSFETs可靠性寿命预测方法.通过栅电阻法提取沟道中因自热效应产生的温度,采用自热修正后的衬底电流/漏电流比率模型预测PD-SOI NMOSFETs在正常工作电压下的寿命值,预测结果与未消除自热影响预测出的寿命值存在较大差异,说明自热修正在寿命预测中不可忽略,否则会低估器件的工作寿命.
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关键词
自热效应
热载流子注入效应
热电阻
SOI
寿命预测
原文传递
题名
0.20μm双埋氧SOI NMOSFET的自热效应
1
作者
王国庆
张晋敏
吴次南
谢泉
刘凡宇
李博
杨静琦
机构
贵州大学大数据与信息工程学院
中国科学院微电子研究所
中国航天科工二院未来实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第8期617-622,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61264004)
贵州省自然科学基金资助项目(黔科合基础[2018]1028)
+2 种基金
贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才[2015]4015)
贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目(黔人项目资助合同[2018]09)
贵州大学研究生重点课程(贵大研ZDKC[2015]026)。
文摘
研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE)。通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响。仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道。重点研究了器件电压和环境温度对SHE的影响,结果表明随着漏极和栅极电压的增加,器件体区晶格温度升高,SHE增强;随着环境温度的升高,退化电流降低,SHE减弱。此外,重点分析了背栅偏置电压对器件SHE的影响,研究发现负的背栅偏置电压对全耗尽绝缘体上硅和DSOI NMOSFET的SHE均表现出抑制效果,且DSOI NMOSFET的背栅展现出了更好的抑制效果。
关键词
双埋氧绝缘层上硅(DSOI)
自热效应(
she
)
晶格温度
退化电流
背栅
Keywords
double
silicon
on
insulator(DSOI)
self
-
heating
effect
(
she
)
lattice
temperature
degradation
current
back
gate
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法
2
作者
冯慧
安霞
杨东
谭斐
黄良喜
武唯康
张兴
黄如
机构
北京大学微电子研究所
出处
《中国科学：信息科学》
CSCD
2014年第7期912-919,共8页
基金
国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:2011CBA00601)
国家自然科学基金(批准号:60836004
+2 种基金
60806033
60925015)
国家科技重大专项(02专项)资助
文摘
自热效应SHE(self-heating effect)是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI(hot carrier injection)应力下会导致自热效应加剧,低估器件工作寿命,使得寿命预测不准.本文提出了一种基于直流HCI应力下的0.18μmPD-SOINMOSFETs可靠性寿命预测方法.通过栅电阻法提取沟道中因自热效应产生的温度,采用自热修正后的衬底电流/漏电流比率模型预测PD-SOI NMOSFETs在正常工作电压下的寿命值,预测结果与未消除自热影响预测出的寿命值存在较大差异,说明自热修正在寿命预测中不可忽略,否则会低估器件的工作寿命.
关键词
自热效应
热载流子注入效应
热电阻
SOI
寿命预测
Keywords
self
-
heating
effect
（
she
）,
hot
carrier
injection
（HCI）,
thermal
resistance,
SOI,
lifetime
prediction
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.20μm双埋氧SOI NMOSFET的自热效应
王国庆
张晋敏
吴次南
谢泉
刘凡宇
李博
杨静琦
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
2
基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法
冯慧
安霞
杨东
谭斐
黄良喜
武唯康
张兴
黄如
《中国科学：信息科学》
CSCD
2014
0
原文传递
已选择
0
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