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MgO掺杂铌酸钾钠基晶体材料的制备、结构及性能 被引量：2
1
作者 许亚萍 江民红 +3 位作者 李玲娜 李德东 李林 饶光辉 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期913-918,共6页
采用无籽固相晶体生长法制备MgO掺杂的K0.5Na0.5NbO3基无铅压电单晶。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和压电铁电测试仪等研究了MgO掺杂对K0.5Na0.5NbO3基晶体的生长、微结构和压电铁电性能的影响。结果表明:添加MgO后,仍可采用无籽固... 采用无籽固相晶体生长法制备MgO掺杂的K0.5Na0.5NbO3基无铅压电单晶。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和压电铁电测试仪等研究了MgO掺杂对K0.5Na0.5NbO3基晶体的生长、微结构和压电铁电性能的影响。结果表明:添加MgO后,仍可采用无籽固相晶体生长法制备出K0.5Na0.5NbO3基单晶;MgO的加入没有明显改变K0.5Na0.5NbO3基单晶的晶体结构,MgO溶入铌酸钾钠晶格形成了均匀的固溶体;适量MgO的添加有利于提高K0.5Na0.5NbO3基单晶的压电和铁电性能、降低介电损耗,当MgO的掺杂量为0.6%(质量分数)时,K0.5Na0.5NbO3基单晶的压电常数d33=203 pC/N,介电损耗tanδ=0.028,介电常数ε=221,矫顽电场Ec=7 kV/cm,剩余极化强度Pr=36.5μC/cm^2。 展开更多
关键词 铌酸钾钠 压电单晶 氧化镁掺杂 铁电压电性能 无籽固相晶体生长
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Ta、Mn共掺铌酸钾钠基压电单晶的无籽晶固相生长、结构和电学性能
2
作者 张钊伟 江民红 +4 位作者 李林 路欢 王维 程帅 饶光辉 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期2358-2365,共8页
采用无籽晶固相法制备Ta_(2)O_(5)、MnO_(2)掺杂的99.7K_(0.5)Na_(0.5)[Nb(1-x)Tax]O_(3)-0.3BaBiO_(3)无铅压电单晶,研究了Ta、Mn单掺杂和共掺杂对晶体生长、结构和性能的影响。结果表明:适量Ta和Mn共掺杂有利于晶体生长,当加入0.9%(... 采用无籽晶固相法制备Ta_(2)O_(5)、MnO_(2)掺杂的99.7K_(0.5)Na_(0.5)[Nb(1-x)Tax]O_(3)-0.3BaBiO_(3)无铅压电单晶,研究了Ta、Mn单掺杂和共掺杂对晶体生长、结构和性能的影响。结果表明:适量Ta和Mn共掺杂有利于晶体生长,当加入0.9%(摩尔分数)Ta和0.1%Mn时,单晶表面更为规则和致密,所获晶体最大尺寸可达30.0 mm×9.2 mm×2.6 mm。当固定0.1%Mn掺杂并改变Ta的掺杂量时,Ta掺杂量较高的单晶具有相对高的压电性能;当Ta和Mn分别掺杂为0.9%和0.1%时,所得单晶具有较高的剩余极化强度P_(r)和压电常数d_(33),分别为26.96μC/cm^(2)和227 pC/N。 展开更多
关键词 无籽晶固相法 铌酸钾钠 压电单晶 钽掺杂 锰掺杂
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