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脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管纵向寄生效应开启机制分析
1
作者
李俊霖
李瑞宾
+2 位作者
丁李利
陈伟
刘岩
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期195-202,共8页
金属氧化物场效应晶体管作为大规模数字电路的基本单元,其内部的寄生效应一直以来被认为是影响集成电路在脉冲γ射线辐射环境中发生扰动、翻转以及闩锁的重要因素.为研究脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管内部纵向寄生效应的开...
金属氧化物场效应晶体管作为大规模数字电路的基本单元,其内部的寄生效应一直以来被认为是影响集成电路在脉冲γ射线辐射环境中发生扰动、翻转以及闩锁的重要因素.为研究脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管内部纵向寄生效应的开启机制,通过TCAD构建了40,90以及180 nm 3种不同工艺节点的NMOS晶体管进行瞬时电离辐射效应仿真,得到了纵向寄生三极管电流增益随工艺节点的变化趋势、纵向寄生三极管的开启条件及其对NMOS晶体管工作状态的影响.结果表明:1)脉冲γ射线在辐射瞬时诱发NMOS晶体管内部阱电势抬升是导致纵向寄生三极管开启的主要原因;2)当纵向寄生三极管导通时,NMOS晶体管内部会产生强烈的二次光电流影响晶体管的工作状态;3)NMOS晶体管内部纵向寄生三极管的电流增益随工艺节点的减小而减小.研究结果可为电子器件的瞬时电离辐射效应机理研究提供理论依据.
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关键词
瞬时电离辐射效应
寄生效应
阱电势抬升
二次光电流
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职称材料
题名
脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管纵向寄生效应开启机制分析
1
作者
李俊霖
李瑞宾
丁李利
陈伟
刘岩
机构
西北核技术研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期195-202,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:11835006)资助的课题。
文摘
金属氧化物场效应晶体管作为大规模数字电路的基本单元,其内部的寄生效应一直以来被认为是影响集成电路在脉冲γ射线辐射环境中发生扰动、翻转以及闩锁的重要因素.为研究脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管内部纵向寄生效应的开启机制,通过TCAD构建了40,90以及180 nm 3种不同工艺节点的NMOS晶体管进行瞬时电离辐射效应仿真,得到了纵向寄生三极管电流增益随工艺节点的变化趋势、纵向寄生三极管的开启条件及其对NMOS晶体管工作状态的影响.结果表明:1)脉冲γ射线在辐射瞬时诱发NMOS晶体管内部阱电势抬升是导致纵向寄生三极管开启的主要原因;2)当纵向寄生三极管导通时,NMOS晶体管内部会产生强烈的二次光电流影响晶体管的工作状态;3)NMOS晶体管内部纵向寄生三极管的电流增益随工艺节点的减小而减小.研究结果可为电子器件的瞬时电离辐射效应机理研究提供理论依据.
关键词
瞬时电离辐射效应
寄生效应
阱电势抬升
二次光电流
Keywords
transient
ionizing
radiation
effect
parasitic
effect
rise
of
well
potential
secondary
photocurrent
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管纵向寄生效应开启机制分析
李俊霖
李瑞宾
丁李利
陈伟
刘岩
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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