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瞬态电压抑制二极管的建模及仿真
被引量：
3
1
作者
黄薇
罗启元
+2 位作者
蒋同全
汪洋
金湘亮
《太赫兹科学与电子信息学报》
2014年第6期927-931,936,共6页
基于0.5μm CMOS工艺,设计瞬态电压抑制(TVS)二极管。利用黑箱理论对该器件在高电压大电流下的反向工作特性建模,在Matlab数值模拟工具中利用所建模型仿真,获得了包含一次击穿、二次击穿(硬失效)点的反向I–U特性曲线;基于Silvaco TCAD...
基于0.5μm CMOS工艺,设计瞬态电压抑制(TVS)二极管。利用黑箱理论对该器件在高电压大电流下的反向工作特性建模,在Matlab数值模拟工具中利用所建模型仿真,获得了包含一次击穿、二次击穿(硬失效)点的反向I–U特性曲线;基于Silvaco TCAD工艺器件仿真平台,经DC仿真验证所建模型的准确性。仿真结果表明,2种方法获得的特性曲线基本吻合,本文所建数值模型能够预测TVS二极管瞬态电压抑制时的电特性。
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关键词
静电放电
TVS二极管
热源模型
计算机辅助设计仿真
二次击穿点
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职称材料
题名
瞬态电压抑制二极管的建模及仿真
被引量：
3
1
作者
黄薇
罗启元
蒋同全
汪洋
金湘亮
机构
湘潭大学物理与光电工程学院
出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
2014年第6期927-931,936,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61274043)
教育部科学技术研究重点基金资助项目(212125)
湘潭大学大学生创新基金资助项目
文摘
基于0.5μm CMOS工艺,设计瞬态电压抑制(TVS)二极管。利用黑箱理论对该器件在高电压大电流下的反向工作特性建模,在Matlab数值模拟工具中利用所建模型仿真,获得了包含一次击穿、二次击穿(硬失效)点的反向I–U特性曲线;基于Silvaco TCAD工艺器件仿真平台,经DC仿真验证所建模型的准确性。仿真结果表明,2种方法获得的特性曲线基本吻合,本文所建数值模型能够预测TVS二极管瞬态电压抑制时的电特性。
关键词
静电放电
TVS二极管
热源模型
计算机辅助设计仿真
二次击穿点
Keywords
electro-static
discharge
TVS
diode
heat
source
model
TCAD
simulation
secondary
breakdown
point
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
瞬态电压抑制二极管的建模及仿真
黄薇
罗启元
蒋同全
汪洋
金湘亮
《太赫兹科学与电子信息学报》
2014
3
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