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c向提拉法生长的四英寸蓝宝石单晶缺陷研究 被引量：7
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作者 彭方 张庆礼 +4 位作者 杨华军 王小飞 王迪 孙敦陆 殷绍唐 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期143-147,共5页
采用提拉法沿[0001]方向成功生长出了四英寸蓝宝石单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明晶体具有较好的晶格完整性。采用化学腐蚀法并借助光学显微镜观察了(0001)面的位错及形貌。研究了腐蚀温度、腐蚀时间、机械抛光和化学抛光对位错密度... 采用提拉法沿[0001]方向成功生长出了四英寸蓝宝石单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明晶体具有较好的晶格完整性。采用化学腐蚀法并借助光学显微镜观察了(0001)面的位错及形貌。研究了腐蚀温度、腐蚀时间、机械抛光和化学抛光对位错密度及形貌的影响。计算得到平均位错密度为6190 cm-2,优于一般提拉法生长的蓝宝石单晶。 展开更多
关键词 提拉法 c轴蓝宝石 摇摆曲线 位错
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