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转盘式萃取塔放大与结构设计
1
作者 傅洪祥 《石油化工设备》 CAS 2001年第B05期54-56,共3页
通过设计与生产实践 ,对转盘式萃取塔的几何相似放大与结构设计方面的理论与实践 。
关键词 萃取塔 转盘式 几何相似放大 结构设计
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钒(V)化合物在硫酸中的电化学行为研究 被引量：5
2
作者 刘洋 刘洪涛 夏熙 《电化学》 CAS CSCD 2002年第1期40-46,共7页
应用循环伏安法和旋转环盘电极法研究了H2 SO4 溶液中五价钒化合物 (NH4 VO3和V2 O5)的电化学行为 .由光滑Pt电极测得其CV图 ,两者的基本峰位和峰形都很相似 ,通常出现三个还原峰和三个氧化峰 ,但NH4 VO3多一个氧化峰 ,RRDE测定也出现... 应用循环伏安法和旋转环盘电极法研究了H2 SO4 溶液中五价钒化合物 (NH4 VO3和V2 O5)的电化学行为 .由光滑Pt电极测得其CV图 ,两者的基本峰位和峰形都很相似 ,通常出现三个还原峰和三个氧化峰 ,但NH4 VO3多一个氧化峰 ,RRDE测定也出现了四个氧化峰 ,本文分析了这些对应峰的反应 。 展开更多
关键词 循环伏安 旋转环盘电极 钒(V)化合物 电化学行为 铂电极 硫酸
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基于单分散逐液滴雾化法制备锡合金微细球形金属粉末 被引量：1
3
作者 董伟 孟瑶 +3 位作者 许富民 韩阳 王延洋 陈楷 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期124-131,共8页
提出了一种新型微细球形金属粉末的制备方法——单分散逐液滴雾化法。该方法将脉冲微孔喷射系统与离心雾化系统相结合,并对离心雾化系统进行重新设计,利用脉冲微孔喷射系统制备单分散液滴,再将液滴逐滴离心雾化,制得的粉末表面光滑、粒... 提出了一种新型微细球形金属粉末的制备方法——单分散逐液滴雾化法。该方法将脉冲微孔喷射系统与离心雾化系统相结合,并对离心雾化系统进行重新设计,利用脉冲微孔喷射系统制备单分散液滴,再将液滴逐滴离心雾化,制得的粉末表面光滑、粒度小、粒度分布窄、球形度高、无卫星粉。利用该方法制备微细Sn63Pb37,Sn0.3AgCu合金粉末,研究转盘加热处理、不同转盘材料(Cu、Ni、304不锈钢)对粉末制备的影响,分析粒径实验值与理论值的差别,讨论雾化过程中液膜的分裂模式。研究结果表明,转盘加热处理可以使得转盘液膜变薄,粉末粒度细化。转盘与金属材料间的润湿性越好,制备的粉末平均粒度越小,且实验值均小于理论值,铜转盘制备的粉末平均粒径最小为24.0μm。液膜分裂模式与润湿性相关,铜转盘显示滴状分裂,镍转盘显示膜状分裂,不锈钢转盘没有发生液膜分裂。 展开更多
关键词 单分散逐液滴雾化法 微细球形金属粉末 转盘材料 液膜分裂
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用大面积立式旋转盘MOVPE反应器生长Ⅲ族氮化物材料(英文)
4
作者 Ramer J Parekh R +2 位作者 Ronan B Loftus C Gurary A 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期95-98,共4页
为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器 ,其中的衬底片载盘直径为 32 5mm。每次沉积过程中 ,载盘上可以放置 2 1片 2英寸直径的衬底片... 为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器 ,其中的衬底片载盘直径为 32 5mm。每次沉积过程中 ,载盘上可以放置 2 1片 2英寸直径的衬底片。反应器的内壁通过水冷 ,其温度可保持在 5 0～ 6 0℃之间。衬底片可用电热丝加热 ,沉积中衬底载盘的旋转速度可达 1 0 0 0～ 1 5 0 0rpm。本文给出了用这种 32 5mmGaN生长系统生长的未掺杂GaN ,InGaN和 p GaN外延层的相关结果。这些结果表明 ,这种旋转盘的反应器是一种很适合大尺寸载盘的系统 ,完全满足Ⅲ族氮化物材料体系生长的要求。与在小反应器中生长的材料相比 ,用这种大反应器生长的材料具有相同的质量。这种 32 5mm的GaN反应器将使制备蓝光和绿光LED所用的Ⅲ族氮化外延材料的生产成本得到显著的降低。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物材料 MOVPE外延生长 立式旋转盘反应器
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电化学方法研究I_3^-和Ti^(3+)在铂上的异相催化
5
作者 肖少荣 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期45-48,共4页
用电化学方法研究了Ｉ－３和Ｔｉ３＋在还原铂表面上的电极反应，由此计算出Ｉ－３与Ｔｉ３＋在还原铂表面上的混合催化反应速率（νｍｉｘ）．当混合催化电位（Ｅｍｉｘ）位于极限电流区时，νｍｉｘ对［Ｔｉ３＋］为零级反应，对［Ｉ... 用电化学方法研究了Ｉ－３和Ｔｉ３＋在还原铂表面上的电极反应，由此计算出Ｉ－３与Ｔｉ３＋在还原铂表面上的混合催化反应速率（νｍｉｘ）．当混合催化电位（Ｅｍｉｘ）位于极限电流区时，νｍｉｘ对［Ｔｉ３＋］为零级反应，对［Ｉ－３］为一级反应，且正比于电极旋转速率的平方根，Ｈ＋浓度影响不大．由动力学方法研究的结果证实了电化学研究结果的正确性。 展开更多
关键词 电化学 动力学 铂催化剂 碘离子 钛离子 催化
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用大面积立式旋转盘MOVPE反应器生长Ⅲ族氮化物材料(英文)
6
作者 Ramer J Parekh R +2 位作者 Ronan B Loftus C Gurary A 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期95-98,共4页
为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器 ,其中的衬底片载盘直径为 32 5mm。每次沉积过程中 ,载盘上可以放置 2 1片 2英寸直径的衬底片... 为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器 ,其中的衬底片载盘直径为 32 5mm。每次沉积过程中 ,载盘上可以放置 2 1片 2英寸直径的衬底片。反应器的内壁通过水冷 ,其温度可保持在 5 0～ 6 0℃之间。衬底片可用电热丝加热 ,沉积中衬底载盘的旋转速度可达 1 0 0 0～ 1 5 0 0rpm。本文给出了用这种 32 5mmGaN生长系统生长的未掺杂GaN ,InGaN和 p GaN外延层的相关结果。这些结果表明 ,这种旋转盘的反应器是一种很适合大尺寸载盘的系统 ,完全满足Ⅲ族氮化物材料体系生长的要求。与在小反应器中生长的材料相比 ,用这种大反应器生长的材料具有相同的质量。这种 32 5mm的GaN反应器将使制备蓝光和绿光LED所用的Ⅲ族氮化外延材料的生产成本得到显著的降低。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物材料 MOVPE外延生长 立式旋转盘反应器
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