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题名带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计
被引量：5
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作者
张滨
李富强
杨柳
魏洪涛
方园
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期499-503,共5页
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文摘
采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）电路,6bit数控衰减器由6个衰减基本态级联组成。版图经过合理优化后,最终的MMIC芯片尺寸为2.4mm×1.3mm。测试结果表明,在12~18GHz,芯片可以实现最大衰减量为31.5dB,步进为0.5dB的衰减量控制。衰减64态均方根误差小于0.6dB,附加相移-2°~2.5°,插入损耗小于6.1dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。
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关键词
微波单片集成电路(MMIC)
数字驱动
数控衰减器
直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)
均方根(rms)误差
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Keywords
monolithic microwave integrated circuit（MMIC）
digital driver
digital attenuator
direct coupled field-effect transistor logic（DCFL）
root mean square（rms） error
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN715
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题名2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片
被引量：11
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作者
刘志军
陈凤霞
高学邦
崔玉兴
吴洪江
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期254-258,共5页
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文摘
在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端减少为6个,晶体管—晶体管逻辑电路(TTL)电平控制,并行输入控制信号。电路测试结果为:插入损耗≤4.5 dB,开关时间≤15 ns,输入输出驻波比≤1.4∶1,均方根衰减误差(全态)≤0.7 dB,静态功耗为2.0 mA@-5 V,芯片尺寸为2.6 mm×1.6 mm×0.1 mm。在GaAs PHEMT衬底上实现了数字驱动和数控衰减等功能的集成,控制电平兼容应用系统电平,应用更简单,可靠性更高。
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关键词
增强
耗尽型
均方根衰减误差
TTL
数控衰减器
赝配高电子迁移率晶体管
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Keywords
enhancement/depletion （E/D）
root mean square （rms）attenuate error
transistor-transistor logic （TYL）
digital attenuator
pseadomorphic high electron mobility （PHEMT）
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分类号
TN492
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN715
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