期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应
被引量：
2
1
作者
李柳青
廖显伯
游志朴
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期1076-1078,共3页
本文报道a Si∶H本征膜及Pin二极管的 1MeV1 4× 10 15,4 2× 10 15,8 4× 10 15/cm2 电子幅照实验结果和退火行为 .测量了电子辐照对a Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响 ,以及a Si∶HPin二极管光伏特性和光谱响应随电子...
本文报道a Si∶H本征膜及Pin二极管的 1MeV1 4× 10 15,4 2× 10 15,8 4× 10 15/cm2 电子幅照实验结果和退火行为 .测量了电子辐照对a Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响 ,以及a Si∶HPin二极管光伏特性和光谱响应随电子辐照剂量的变化 .发现电子辐照在a Si∶H本征膜和二极管中引起严重的损伤 ,和二极管光谱响应的峰值“红移” .但未见饱和现象 ,还观测到明显的室温恢复现象 ;但高温退火处理后未能完全恢复 .本文对以上实验结果给出了合理的解释 .
展开更多
关键词
PIN二极管
电子辐照效应
非晶硅
下载PDF
职称材料
题名
非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应
被引量：
2
1
作者
李柳青
廖显伯
游志朴
机构
北京印刷学院基础部
中科院半导体所
四川联合大学物理系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期1076-1078,共3页
文摘
本文报道a Si∶H本征膜及Pin二极管的 1MeV1 4× 10 15,4 2× 10 15,8 4× 10 15/cm2 电子幅照实验结果和退火行为 .测量了电子辐照对a Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响 ,以及a Si∶HPin二极管光伏特性和光谱响应随电子辐照剂量的变化 .发现电子辐照在a Si∶H本征膜和二极管中引起严重的损伤 ,和二极管光谱响应的峰值“红移” .但未见饱和现象 ,还观测到明显的室温恢复现象 ;但高温退火处理后未能完全恢复 .本文对以上实验结果给出了合理的解释 .
关键词
PIN二极管
电子辐照效应
非晶硅
Keywords
intrinsic
a-Si~{!C~}H
films
pin
diodes
electron
irradiation
roon
temperature
recove
ring
high
temperature
annealling
redshifts
of
the
peak
value
of
the
optical
spec
tral
response
irradiation
induced-defects
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应
李柳青
廖显伯
游志朴
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
