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溅射Ga_2O_3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法制备GaN薄膜
被引量：
1
1
作者
伊长虹
孙振翠
+3 位作者
刘玫
张庆刚
满宝元
薛成山
《山东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2007年第4期55-57,共3页
用溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法分别在硅和蓝宝石衬底上制备CaN薄膜,用X射线衍射图谱(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN薄膜的结构和形貌进行分析,结果表明,采用两种方法在两种衬底上均可制备出结晶较好的CaN薄膜,但硅衬底上...
用溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法分别在硅和蓝宝石衬底上制备CaN薄膜,用X射线衍射图谱(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN薄膜的结构和形貌进行分析,结果表明,采用两种方法在两种衬底上均可制备出结晶较好的CaN薄膜,但硅衬底上制备的GaN薄膜的晶粒明显大于在蓝宝石衬底上制备的GaN薄膜的晶粒,进一步表明硅基溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜晶化程度较高.
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关键词
溅射
ga
2
o
3
反应自组装
脉冲激光沉积(PLD)
CaN薄膜
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职称材料
题名
溅射Ga_2O_3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法制备GaN薄膜
被引量：
1
1
作者
伊长虹
孙振翠
刘玫
张庆刚
满宝元
薛成山
机构
山东交通学院数理学系
山东师范大学物理与电子科学学院
出处
《山东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2007年第4期55-57,共3页
基金
教育部科技重点基金资助项目(206093)
国家自然科学基金资助项目(10474059)
山东交通学院科研基金资助项目(Z200503)
文摘
用溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法分别在硅和蓝宝石衬底上制备CaN薄膜,用X射线衍射图谱(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN薄膜的结构和形貌进行分析,结果表明,采用两种方法在两种衬底上均可制备出结晶较好的CaN薄膜,但硅衬底上制备的GaN薄膜的晶粒明显大于在蓝宝石衬底上制备的GaN薄膜的晶粒,进一步表明硅基溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜晶化程度较高.
关键词
溅射
ga
2
o
3
反应自组装
脉冲激光沉积(PLD)
CaN薄膜
Keywords
CaN
thin
film
reactively
reconstructing
ga
2
o
3
films
sputtered
the
pulsed
laser
dep
o
siti
o
n
meth
o
d（PLD）
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溅射Ga_2O_3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法制备GaN薄膜
伊长虹
孙振翠
刘玫
张庆刚
满宝元
薛成山
《山东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2007
1
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