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柔性基底AZO薄膜制备及其红外发射率身性能研究 被引量：1
1
作者 李静 王智勇 +4 位作者 何山 望咏林 武建华 陈洁 温培刚 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期293-297,共5页
利用反应磁控溅射,用不同掺杂比的锌铝合金靶材,在PI有机柔性基底表面制备了附着力良好、电阻率低的透明AZO薄膜,利用AFM,XRD、分光光度计、四电子探针等分析测试技术对AZO薄膜的形貌、结构、光电性能等进行了表征。并对性能良好的AZO... 利用反应磁控溅射,用不同掺杂比的锌铝合金靶材,在PI有机柔性基底表面制备了附着力良好、电阻率低的透明AZO薄膜,利用AFM,XRD、分光光度计、四电子探针等分析测试技术对AZO薄膜的形貌、结构、光电性能等进行了表征。并对性能良好的AZO薄膜在(3~5μm)和(8~14μm)两个大气窗口的红外发射率身性能进行了研究。 展开更多
关键词 AZO薄膜 反应磁控溅射 红外发射率
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射频磁控溅射SiO_2薄膜的制备与性能研究 被引量：11
2
作者 金桂 周继承 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期12-15,共4页
采用磁控射频反应溅射法在单晶硅片上制备了二氧化硅薄膜。研究了制备工艺对薄膜沉积速率、表面形貌、折射率和电击穿场强的影响。结果表明:薄膜的沉积速率随氧分压的增加先急剧减小,稍有增加后再缓慢减小,而随溅射功率的增加几乎呈线... 采用磁控射频反应溅射法在单晶硅片上制备了二氧化硅薄膜。研究了制备工艺对薄膜沉积速率、表面形貌、折射率和电击穿场强的影响。结果表明:薄膜的沉积速率随氧分压的增加先急剧减小,稍有增加后再缓慢减小,而随溅射功率的增加几乎呈线性增长;薄膜表面均匀,平均粗糙度分别为1.740 nm(100 W)和2.914 nm(300 W),有随溅射功率的增加而增加的趋势;薄膜的折射率随着溅射气氛中氧气含量的增加而增加,最后稳定于1.46不变;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先缓慢增加,然后缓慢减小,通过800℃/100 s的快速热处理,薄膜的电击穿场强明显升高。 展开更多
关键词 磁控射频反应溅射 电击穿场强 沉积速率 表面形貌
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反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究 被引量：7
3
作者 何乐年 徐进 王德苗 《真空》 CAS 北大核心 2001年第3期16-19,共4页
在氧气和氩气的混合气体中 ,在没有额外加热的条件下用反应射频 (RF)溅射硅靶制备了非晶氧化硅(a- Si O2 )薄膜 ,并测试分析了薄膜的结构和电特性与 O2 / Ar流量比的关系。当固定氩气流量 ,改变氧气流量时 ,薄膜沉积速率先急剧减少 ,再... 在氧气和氩气的混合气体中 ,在没有额外加热的条件下用反应射频 (RF)溅射硅靶制备了非晶氧化硅(a- Si O2 )薄膜 ,并测试分析了薄膜的结构和电特性与 O2 / Ar流量比的关系。当固定氩气流量 ,改变氧气流量时 ,薄膜沉积速率先急剧减少 ,再增大 ,然后又减少。当 O2 / Ar≥ 0 .0 75时 ,得到满足化学配比的氧化硅薄膜。并且 ,随着 O2 / Ar流量比的增大 ,薄膜的电阻、电场击穿强度都有所增大 ,而在 HF缓冲溶液 (BHF)中的腐蚀速率下降。所有的样品中无明显的 H- OH水分子的红外吸收峰。比较发现反应射频 (RF)磁控溅射法制备的a- Si O2 薄膜具有良好的致密性和绝缘性。 展开更多
关键词 反应RF磁控溅射 BHF腐蚀速度 电阻率 非晶氧化硅薄膜 制备 性能
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反应溅射制备非晶Al_2O_3薄膜的介电特性 被引量：7
4
作者 赵登涛 狄国庆 朱炎 《材料科学与工程》 CSCD 2000年第3期80-83,共4页
在氧气、氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射制备了厚度在 1 0 0到 1 0纳米的非晶氧化铝薄膜。通过 Al-Al2 O3 -Al电容器研究了此非晶薄膜的介电性质。
关键词 反应射频磁控溅射 介电性质 非晶 氧化铝薄膜
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反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗 被引量：8
5
作者 赵登涛 朱炎 狄国庆 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第4期300-303,共4页
在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3～ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的... 在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3～ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的介电损耗可以达到 0 4% ,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从 1 0 0Hz到 5MHz。 展开更多
关键词 反应射频磁控溅射 介电损耗 氧化铝薄膜
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(Zr,Al)N薄膜的微结构及性能研究 被引量：5
6
作者 葛云科 顾晓波 +1 位作者 喻利花 许俊华 《材料开发与应用》 CAS 2008年第1期21-25,37,共6页
采用射频磁控反应溅射在单晶Si（100）上沉积了一系列不同Al含量的（Zr,Al）N薄膜,利用能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）和微力学探针对薄膜的成分、结构、力学和抗氧化性能进行了表征。研究结果表明,当Al含量在0%～... 采用射频磁控反应溅射在单晶Si（100）上沉积了一系列不同Al含量的（Zr,Al）N薄膜,利用能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）和微力学探针对薄膜的成分、结构、力学和抗氧化性能进行了表征。研究结果表明,当Al含量在0%～20.31%（原子分数）之间时,薄膜是B1型（NaCl）单相结构;当Al含量为31.82%时,同时出现B1和B4型（ZnS）双相结构。当Al含量超过36.82%时,以B4结构为主。随着铝含量的增加,薄膜晶面间距减小,晶格常数变小。薄膜的力学性能测试表明,适当的Al含量可以提高薄膜的硬度。随着Al含量的增加,薄膜的抗氧化性能得到改善,对于B1型（Zr,Al）N薄膜,其结构稳定性也得到增强。 展开更多
关键词 (Zr Al)N薄膜 射频磁控反应溅射 结构变化 力学性能 抗氧化性
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AlN薄膜的制备与绝缘性能研究 被引量：4
7
作者 胡利民 周继承 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期17-20,共4页
利用射频反应磁控溅射在(100)Si衬底上沉积了AlN薄膜。通过AFM,XPS,C-V及抗电测试研究了薄膜的表面形貌、成分、介电常数及抗电强度,并研究了快速热退火(RTA)对薄膜性能的影响。通过不断地改进实验参数制备出的薄膜抗电强度为13—15 MV/... 利用射频反应磁控溅射在(100)Si衬底上沉积了AlN薄膜。通过AFM,XPS,C-V及抗电测试研究了薄膜的表面形貌、成分、介电常数及抗电强度,并研究了快速热退火(RTA)对薄膜性能的影响。通过不断地改进实验参数制备出的薄膜抗电强度为13—15 MV/cm,薄膜的相对介电常数为4.22,XPS测试与分析表明薄膜中不含Al单质,且Al2p的75.1 eV的峰值表明薄膜表面已被部分氧化;薄膜的退火分析表明1 000℃左右的退火温度有利于提高薄膜的抗电性能。 展开更多
关键词 射频反应磁控溅射 ALN薄膜 抗电强度 快速热退火
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直流反应磁控溅射制备a-C:H薄膜及其表面粗糙度研究 被引量：5
8
作者 张艳茹 杭凌侠 +1 位作者 郭峰 宁晓阳 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期92-94,121,共4页
为研究含氢类金刚石(a-C:H)薄膜的制备及性能,充入含—CH3原子团的CH4气体,在不同CH4/Ar流量比条件下于N型硅基底上沉积a-C:H薄膜,并借助椭偏仪、非接触式白光干涉仪及激光波面干涉仪对薄膜的沉积速率及表面粗糙度进行测定。结果表明,... 为研究含氢类金刚石(a-C:H)薄膜的制备及性能,充入含—CH3原子团的CH4气体,在不同CH4/Ar流量比条件下于N型硅基底上沉积a-C:H薄膜,并借助椭偏仪、非接触式白光干涉仪及激光波面干涉仪对薄膜的沉积速率及表面粗糙度进行测定。结果表明,含氢碳源气体的加入提高了类金刚石薄膜的沉积速率,改善了表面平整度。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 含氢类金刚石薄膜 沉积速率 表面粗糙度
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中频双靶反应磁控溅射制备TiO_2膜的一些探索 被引量：3
9
作者 赵来 刘翔宇 +5 位作者 许生 范垂祯 高文波 陈旭 杨美芹 查良镇 《真空》 CAS 北大核心 2003年第1期17-20,共4页
具有高折射率的 Ti O2 膜在反射型液晶显示器的关键部件高反射率背板膜系的制备中起重要作用。本文使用国内首家在线中频双靶反应磁控溅射设备进行了制备 Ti O2 膜的探索 ,完成了相应的膜层测试与分析。实验结果表明双靶磁控反应溅射可... 具有高折射率的 Ti O2 膜在反射型液晶显示器的关键部件高反射率背板膜系的制备中起重要作用。本文使用国内首家在线中频双靶反应磁控溅射设备进行了制备 Ti O2 膜的探索 ,完成了相应的膜层测试与分析。实验结果表明双靶磁控反应溅射可以制备高折射率的 Ti O2 膜 ,实验还从折射率的角度证明中频双靶反应溅射与直流反应溅射的效果一致 。 展开更多
关键词 反射型液晶显示器 中频双靶反应磁控溅射 制备 TIO2膜 二氧化钛
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反应磁控溅射制备AZO薄膜相结构的演化及机理研究 被引量：3
10
作者 赵志明 丁宇 +4 位作者 田亚萍 张晓静 马二云 白力静 蒋百灵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期177-182,共6页
在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶Al(AZO)薄膜。采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构。结果表明:氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的AZO/Zn(AZO)... 在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶Al(AZO)薄膜。采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构。结果表明:氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的AZO/Zn(AZO)双层复合膜结构;氧气流量为3.5 sccm时,沉积形成了透明导电的AZO薄膜;氧气流量为5.0 sccm时,形成了透明不导电且含有纳米Al2O3颗粒的AZO薄膜;此外,AZO薄膜在400℃退火后,薄膜晶粒长大和(002)晶面方向择优生长更加明显以及高氧气流量沉积的AZO薄膜中的纳米Al2O3颗粒消失。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 AZO薄膜 Al2O3纳米颗粒
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反应射频磁控溅射制备高k氧化锆薄膜及介电性能的研究 被引量：3
11
作者 马春雨 李智 张庆瑜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期453-456,共4页
　在氧气和氩气的混合气体中,在O2/Ar混和气总流量固定的条件下,通过调节O2/Ar流量比,采用反应RF磁控溅射法制备了具有高介电常数的氧化锆薄膜。通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构、表... 　在氧气和氩气的混合气体中,在O2/Ar混和气总流量固定的条件下,通过调节O2/Ar流量比,采用反应RF磁控溅射法制备了具有高介电常数的氧化锆薄膜。通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构、表面平整度之间的关系,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的C V特性曲线。实验结果表明O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构有一定的关系。纯氧气氛下沉积的ZrO2薄膜基本上为纳米级的微晶,晶体结构为单斜结构(a=5.17、b=5.26、c=5.3、α=γ=90°,β=80.17°),在O2/Ar流量比为1∶4混合气氛下制备出了具有非晶结构的均质ZrO2薄膜;低的O2/Ar流量比下溅射得到的ZrO2薄膜样片,均方根粗糙度较低,表面平整度较好;在O2/Ar流量比为1∶4左右时,ZrO2薄膜的相对介电常数达到25。 展开更多
关键词 反应RF磁控溅射法 氧化锆薄膜 表面粗糙度 高介电常数
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氮气含量对反应射频磁控溅射制备CrN_x薄膜组织与性能的影响 被引量：3
12
作者 陈勇 李晖 +1 位作者 许洪斌 王松 《重庆理工大学学报（自然科学）》 CAS 2012年第12期21-25,共5页
采用反应射频磁控溅射法在40Cr基体上制备CrNx薄膜,研究了不同氮气含量对薄膜组织形貌、粗糙度、沉积厚度以及纳米硬度和弹性模量的影响。结果表明:采用反应射频磁控溅射法在不同氮气含量下,可制备得到厚度均匀、表面质量好的CrNx薄膜;... 采用反应射频磁控溅射法在40Cr基体上制备CrNx薄膜,研究了不同氮气含量对薄膜组织形貌、粗糙度、沉积厚度以及纳米硬度和弹性模量的影响。结果表明:采用反应射频磁控溅射法在不同氮气含量下,可制备得到厚度均匀、表面质量好的CrNx薄膜;随着氮气含量的增加,薄膜的表面光洁度先逐渐增大,氮气含量为20%时光洁度值最大为0.024μm,之后光洁度缓慢下降;薄膜的沉积厚度也随着氮气含量的增加而先增大后减小,氮气含量分别为20%和50%,薄膜厚度出现最大值8.7μm和最小值2.1μm;随着氮气含量的变化,当含量为20%时纳米硬度最大值为30.9 GPa,弹性模量为422.6 GPa。 展开更多
关键词 反应射频磁控溅射 CRNX薄膜 氮气含量 纳米硬度 弹性模量
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氮流量对采用独立钛靶制备的(Ti,Al)N薄膜结构与性能的影响 被引量：2
13
作者 黄晓辉 左秀荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期395-400,共6页
采用直流反应磁控溅射系统,选择独立Ti靶在3003AlMn合金表面在不同氮流量下制备(Ti,Al)N薄膜,采用扫描电镜、能谱分析、X射线衍射、极化曲线试验、磨损试验、薄膜厚度和显微硬度试验等手段表征了薄膜的沉积速率、化学成分、微结构和力... 采用直流反应磁控溅射系统,选择独立Ti靶在3003AlMn合金表面在不同氮流量下制备(Ti,Al)N薄膜,采用扫描电镜、能谱分析、X射线衍射、极化曲线试验、磨损试验、薄膜厚度和显微硬度试验等手段表征了薄膜的沉积速率、化学成分、微结构和力学性能。结果表明,以独立Ti靶在铝衬底表面可以直接生成晶粒尺寸细小与基底结合良好的(Ti,Al)N薄膜,同时可以增加铝合金的表面硬度,提高表面耐蚀性能及表面光泽度。氮流量对(Ti,Al)N薄膜影响显著,氮流量为7cm3/min时制备的(Ti,Al)N薄膜晶粒最细小、致密,小尺寸纳米化的晶粒对提高3003AlMn合金耐磨损性和耐蚀性最佳,但沉积速率低,硬度增幅小。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 3003AlMn合金 Ti靶 氮流量
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MgO/Au复合薄膜的反应射频磁控溅射法制备及表面形貌研究 被引量：2
14
作者 李亨 胡文波 +1 位作者 吴胜利 魏强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期842-846,共5页
采用反应射频磁控溅射法制备MgO/Au复合薄膜,并对使用Mg靶和Au靶共溅射、分步溅射方式以及在不同的衬底温度和Ar/O2气体流量比下制备的样品进行X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电子显微镜分析,研究了主要工艺参数对复合薄膜表面成分... 采用反应射频磁控溅射法制备MgO/Au复合薄膜,并对使用Mg靶和Au靶共溅射、分步溅射方式以及在不同的衬底温度和Ar/O2气体流量比下制备的样品进行X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电子显微镜分析,研究了主要工艺参数对复合薄膜表面成分和形貌的影响。结果表明,采用共溅射方式制备的复合薄膜中Au元素的含量偏高,薄膜表面有团聚生长的Au晶粒,而采用分步溅射法可以使复合薄膜中Au元素的摩尔百分比下降到7.30%。采用分步溅射制备复合薄膜时,较高的衬底温度有助于MgO晶粒的生长,当衬底温度为500℃,通入Ar气和O2气的流量分别为25和5 mL/min时,MgO晶粒尺寸达到了30-40 nm;MgO薄膜主要呈现出了（111）、（200）和（220）三种结晶取向,较高的Ar/O2气体流量比有利于（200）晶向的形成,而较低的Ar/O2气体流量比有利于（220）晶向的形成。 展开更多
关键词 反应射频磁控溅射 MgO复合薄膜 表面形貌 结晶取向
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Al_2O_3薄膜的发光性能及其结构研究 被引量：1
15
作者 储汉奇 李合琴 +2 位作者 聂竹华 都智 朱景超 《真空与低温》 2010年第2期90-94,共5页
以高纯铝为靶材,在不同氧氩比例下,采用直流反应磁控溅射法制备了Al2O3薄膜。用F-4500型荧光分光光度计测量其荧光光谱,观察到416 nm和438 nm处的光致发光发射谱(PL),是由于氧空位充当的色心所致,且随着氧氩比例的增加,峰的位置基本不变... 以高纯铝为靶材,在不同氧氩比例下,采用直流反应磁控溅射法制备了Al2O3薄膜。用F-4500型荧光分光光度计测量其荧光光谱,观察到416 nm和438 nm处的光致发光发射谱(PL),是由于氧空位充当的色心所致,且随着氧氩比例的增加,峰的位置基本不变,强度先上升后下降,这是由于氧氩比例的改变导致氧空位浓度变化引起的。通过对未退火及不同温度退火样品的XRD分析发现:室温沉积的Al2O3薄膜为非晶态,400℃退火开始有晶体出现,且退火温度越高,结晶性能越好。 展开更多
关键词 AL2O3薄膜 直流反应磁控溅射 氧氩比例 光致发光光谱 氧空位 XRD
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氧分压对RF磁控溅射ZrO_2薄膜生长特性的影响
16
作者 马春雨 李智 +1 位作者 李勇 张庆瑜 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第2期145-150,共6页
采用反应射频(RF)磁控溅射法在n型(100)单晶Si基片上沉积了ZrO_2薄膜,研究了氧分压与ZrO_2薄膜的表面粗糙度和沉积速率、SiO_2中间界层的厚度以及ZrO_2薄膜的折射率之间关系。结果表明:随着氧分压增高,薄膜的沉积速率降低,表面粗糙度线... 采用反应射频(RF)磁控溅射法在n型(100)单晶Si基片上沉积了ZrO_2薄膜,研究了氧分压与ZrO_2薄膜的表面粗糙度和沉积速率、SiO_2中间界层的厚度以及ZrO_2薄膜的折射率之间关系。结果表明:随着氧分压增高,薄膜的沉积速率降低,表面粗糙度线性地增加;在低的氧分压情况下,Si基片表面的本征SiO_2层的厚度增加幅度较小,在高的氧分压情况下,Si基片表面的本征SiO_2层的厚度有较大幅度地增加;在O_2/Ar混和气氛下,溅射沉积的ZrO_2薄膜的折射率受氧分压的影响不显著,而在纯氧气气氛环境下,ZrO_2薄膜的折射率明显偏低,薄膜的致密性变差。 展开更多
关键词 反应射频磁控溅射 ZRO2薄膜 沉积速率 表面粗糙度
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CLAM钢表面硬质薄膜的制备与性能研究
17
作者 储汉奇 李合琴 +1 位作者 都智 聂竹华 《真空》 CAS 北大核心 2011年第3期67-71,共5页
采用射频反应磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)不锈钢表面制备了单层A12O3、SiC、W薄膜以及SiC/A12O3、W/A12O3双层膜。对所制备的薄膜进行了XRD结构分析、AFM表面形貌测试和显微硬度测试。结果表明:单层SiC薄膜表面出现了部分脱落,... 采用射频反应磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)不锈钢表面制备了单层A12O3、SiC、W薄膜以及SiC/A12O3、W/A12O3双层膜。对所制备的薄膜进行了XRD结构分析、AFM表面形貌测试和显微硬度测试。结果表明:单层SiC薄膜表面出现了部分脱落,而SiC/A12O3双层膜表面完整光滑。W/A12O3双层薄膜表面平整光滑,均方根粗糙度为4.28 nm。W单层薄膜和W/A12O3双层薄膜经氩气中800℃退火2 h后硬度最高,分别达到了34.4 GPa和31.3 GPa。 展开更多
关键词 射频反应磁控溅射 CLAM钢 A12O3薄膜 SIC薄膜 W薄膜 SiC/A12O3双层膜 W/A12O3双层膜 显微硬度
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直流反应磁控溅射制备二氧化钛薄膜的光催化性研究 被引量：32
18
作者 董昊 张永熙 +5 位作者 杨锡良 沈杰陈 华仙 蒋益明 顾元壮 章壮健 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2000年第4期252-255,260,共5页
在磁控溅射器中用钛板作阴极 ,采用直流反应磁控溅射在玻璃基板上制备二氧化钛薄膜 ,溅射气体为氧、氩混合气体 ,O2 与Ar比例为 1∶2 ,溅射总气压范围为 0 5～ 6 65Pa ,溅射时基板温度范围为 1 0 0～ 40 0℃ ,薄膜厚度范围为 1 4 0～ 1... 在磁控溅射器中用钛板作阴极 ,采用直流反应磁控溅射在玻璃基板上制备二氧化钛薄膜 ,溅射气体为氧、氩混合气体 ,O2 与Ar比例为 1∶2 ,溅射总气压范围为 0 5～ 6 65Pa ,溅射时基板温度范围为 1 0 0～ 40 0℃ ,薄膜厚度范围为 1 4 0～ 1 1 0 0nm。XRD结果显示薄膜具有纯锐钛矿结构或锐钛矿和金红石的混合结构。在高的基板温度和适宜的溅射总气压下制备的薄膜以及厚度较厚的薄膜在紫外光照射后 。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 光催化性 二氧化钛薄膜 制备
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反应磁控溅射的进展 被引量：29
19
作者 茅昕辉 陈国平 蔡炳初 《真空》 CAS 北大核心 2001年第4期1-7,共7页
反应磁控溅射被广泛应用于制备化合物薄膜。本文分析了反应磁控溅射中迟滞效应、靶中毒与打火现象 ,讨论了提高反应磁控溅射沉积速率、抑制靶面打火与保持溅射过程稳定性的途径。在阐述了近年来反应磁控溅射最新研发进展的基础上 ,介绍... 反应磁控溅射被广泛应用于制备化合物薄膜。本文分析了反应磁控溅射中迟滞效应、靶中毒与打火现象 ,讨论了提高反应磁控溅射沉积速率、抑制靶面打火与保持溅射过程稳定性的途径。在阐述了近年来反应磁控溅射最新研发进展的基础上 ,介绍了中频溅射在减反膜。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 中频溅射 脉冲溅射 化合物薄膜 迟滞效应 制备 打火 抑制途径 靶中毒
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磁控溅射ZnO薄膜的成核机制及表面形貌演化动力学研究 被引量：21
20
作者 刘志文 谷建峰 +1 位作者 孙成伟 张庆瑜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期1965-1973,共9页
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌随沉积时间的演化.通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为.研究发现,ZnO在基片表面... 利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌随沉积时间的演化.通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为.研究发现,ZnO在基片表面的成核过程可分为初期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段.对于Si(100)基片,三个成核阶段的生长指数分别为β1=1·04,β2=0·25±0·01,β3=0·74;对于Si(111)基片,β1=0·51,β2=0·08±0·02,β3=0·63.在初期成核阶段,ZnO薄膜的成核密度可能与Si基片表面的本征缺陷有关,薄膜的生长过程除扩散效应影响以外,还可能存在着比较强的晶粒择优生长和晶格错配应力粗化机制.在低速率成核阶段,薄膜的生长行为主要受沉积速率所支配,而扩散效应的影响相对弱化,错配应力得以进一步释放.在二次成核阶段,载能粒子对基片表面的轰击是导致ZnO薄膜再次成核的重要原因,同时阴影效应也可能对薄膜的生长有一定的影响.在薄膜生长后期的稳定生长阶段,薄膜的表面粗糙度明显降低,具有典型的柱状晶生长特征. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 磁控溅射 生长动力学 成核机制
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