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反应烧结技术制备铌镁酸铅压电陶瓷 被引量：2
1
作者 张晓泳 周科朝 +1 位作者 李志友 文佳 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1865-1870,共6页
采用反应烧结工艺制备铌镁酸铅陶瓷,研究不同Mg源反应物对陶瓷物相组成和微观结构的影响。结果表明,以MgO为反应物时,在升温过程中部分PbO未参与反应,即使在1 200℃保温4 h后仍会有Pb1.83Nb1.71Mg0.29O6.39焦绿石相残留,对晶粒生长及致... 采用反应烧结工艺制备铌镁酸铅陶瓷,研究不同Mg源反应物对陶瓷物相组成和微观结构的影响。结果表明,以MgO为反应物时,在升温过程中部分PbO未参与反应,即使在1 200℃保温4 h后仍会有Pb1.83Nb1.71Mg0.29O6.39焦绿石相残留,对晶粒生长及致密化进程起阻碍作用,难以在低温下实现高相对密度,基体晶粒在PbO熔化后通过溶解?析出机制形成近球状形貌。以(MgCO3)4.Mg(OH)2.5H2O为反应原料时,由其热分解所得的MgO具有更为细小的粒度和较高的反应活性,在850℃保温1 h即可充分反应获得单一钙钛矿物相,保温4 h后相对密度可达95%,晶粒形貌随温度升高从近球状演变成紧密排列的多面体。 展开更多
关键词 铌镁酸铅 压电陶瓷 反应烧结 镁源反应物
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反应烧结法制备Mg_4Nb_2O_9陶瓷及其微波介电性能的表征 被引量：2
2
作者 韩赵翔 刘鹏 +1 位作者 郭保春 晁波 《陕西师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期41-43,共3页
采用反应烧结法制备Mg4 Nb2 O9陶瓷，省去预烧阶段，优化了制备工艺，研究得到Mg4 Nb2 O9陶瓷样品的相组成、微观形貌以及微波介电性能随着烧结温度的变化关系．由 XRD检测到陶瓷在1200～1450℃均得到纯相的Mg4Nb2O9陶瓷，在1400℃烧结... 采用反应烧结法制备Mg4 Nb2 O9陶瓷，省去预烧阶段，优化了制备工艺，研究得到Mg4 Nb2 O9陶瓷样品的相组成、微观形貌以及微波介电性能随着烧结温度的变化关系．由 XRD检测到陶瓷在1200～1450℃均得到纯相的Mg4Nb2O9陶瓷，在1400℃烧结保温3 h所得陶瓷密度为4．13 g/cm3（相对密度94．25％），样品具有清晰的微观形貌，微波介电性能为：εr＝12．1，Q＆#215;f＝169000 GHz，τf＝-55．55＆#215;10-6℃-1． 展开更多
关键词 Mg4 Nb2 O9陶瓷 反应烧结法 微波介电性能
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F、K、Na对烧结固相反应影响的研究 被引量：13
3
作者 王艺慈 罗果萍 +2 位作者 柏京波 郝志忠 邬虎林 《钢铁》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期12-15,共4页
采用差热分析(DTA)与X射线衍射(XRD)相结合的方法,研究了高碱度烧结矿中F、K、Na对烧结固相反应开始温度与最初形成产物的影响规律,研究结果表明:烧结原料中F、K、Na的存在,促进了烧结固相反应过程中低熔点化合物硅酸钠、铁酸钠、枪晶... 采用差热分析(DTA)与X射线衍射(XRD)相结合的方法,研究了高碱度烧结矿中F、K、Na对烧结固相反应开始温度与最初形成产物的影响规律,研究结果表明:烧结原料中F、K、Na的存在,促进了烧结固相反应过程中低熔点化合物硅酸钠、铁酸钠、枪晶石的形成,固相反应过程中硅酸钠自702℃,铁酸钠自780℃,枪晶石自900℃开始合成,从而探明了F、K、Na在烧结固相反应过程中的行为规律。 展开更多
关键词 烧结固相反应 固相反应开始温度 最初形成产物
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神经网络-遗传算法优化反应烧结ZrO_2-SiC材料制备工艺 被引量：19
4
作者 阎加强 张培新 +2 位作者 伍卫琼 单松高 隋智通 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期937-940,共4页
应用人工神经网络对反应烧结ZrO2－SiC材料制备中工艺参数与原位SiC颗粒生成量的关系进行拟合和预测，并结合遗传算法优化出了最佳制备工艺．
关键词 神经网络 遗传算法 烧结 碳化硅 氧化锆
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三维打印结合反应烧结制备多孔氮化硅陶瓷 被引量：15
5
作者 翁作海 曾庆丰 +2 位作者 谢聪伟 彭军辉 张瑾 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期5-7,10,共4页
以硅粉(Si)为起始原料,糊精为粘结剂,采用三维打印(3DP)快速成型技术制备出多孔硅坯体,通过反应烧结得到高孔隙率的氮化硅(Si3N4)陶瓷。研究了反应烧结工艺对3DP多孔Si3N4陶瓷性能的影响。结果表明:3DP成型的硅坯体采用阶梯式升温机制,... 以硅粉(Si)为起始原料,糊精为粘结剂,采用三维打印(3DP)快速成型技术制备出多孔硅坯体,通过反应烧结得到高孔隙率的氮化硅(Si3N4)陶瓷。研究了反应烧结工艺对3DP多孔Si3N4陶瓷性能的影响。结果表明:3DP成型的硅坯体采用阶梯式升温机制,可得到抗弯强度为(5.1±0.3)MPa,孔隙率达(74.3±0.6)%的多孔Si3N4陶瓷。反应烧结后,样品的线收缩率小于2.0%。三维打印结合反应烧结法实现了复杂形状陶瓷构件的无模制造与净尺寸成型。 展开更多
关键词 三维打印 反应烧结 多孔氮化硅 孔隙率 净尺寸成型
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反应烧结碳化硅多相陶瓷制备方法研究进展 被引量：9
6
作者 郝寅雷 赵文兴 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2000年第4期86-89,共4页
介绍了反应烧结碳化硅制备过程及其烧结机理 ,对这种工艺的特点进行了概括总结 ,并对这种陶瓷制备技术的研究进展进行了评述 .
关键词 反应烧结 制备方法 碳化硅多相陶瓷
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反应烧结碳化硅高温性能的研究进展 被引量：9
7
作者 董博 余超 +3 位作者 邓承继 祝洪喜 丁军 朱青友 《耐火材料》 CAS 北大核心 2022年第1期75-81,共7页
反应烧结碳化硅具有优良的力学性能、抗侵蚀性能和抗氧化性能等优点,是一种高致密度、低成本和净尺寸成型的材料。但由于反应烧结法的特殊工艺,反应烧结碳化硅中常含有较多游离硅,严重损害了材料的高温性能。主要阐述了反应烧结碳化硅... 反应烧结碳化硅具有优良的力学性能、抗侵蚀性能和抗氧化性能等优点,是一种高致密度、低成本和净尺寸成型的材料。但由于反应烧结法的特殊工艺,反应烧结碳化硅中常含有较多游离硅,严重损害了材料的高温性能。主要阐述了反应烧结碳化硅高温力学性能、抗氧化性能、导热性能和抗热震性能的研究现状,并总结了近年来降低游离硅含量、提高反应烧结碳化硅力学性能的主要措施,包括优化材料制备工艺、引入补强增韧相。并展望了反应烧结碳化硅未来的研究方向。 展开更多
关键词 反应烧结 碳化硅 游离硅 高温性能 制备工艺 碳密度 补强增韧相
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退火工艺对0.9Al_2O_3-0.1TiO_2微波介质陶瓷性能与结构的影响 被引量：3
8
作者 陈涛 王哲飞 +3 位作者 黄宝玉 王丽熙 付振晓 张其土 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期415-419,共5页
采用反应烧结法制备0.9Al2O3-0.1Ti O2微波介质陶瓷,研究了退火时间,退火气氛对其物相组成、显微结构、微波介电性能的影响。结果表明:经过退火后,第二相Al2Ti O5分解,陶瓷的表面规整,致密度高;延长退火时间以及合适的退火气氛可以有效... 采用反应烧结法制备0.9Al2O3-0.1Ti O2微波介质陶瓷,研究了退火时间,退火气氛对其物相组成、显微结构、微波介电性能的影响。结果表明:经过退火后,第二相Al2Ti O5分解,陶瓷的表面规整,致密度高;延长退火时间以及合适的退火气氛可以有效地提高0.9Al2O3-0.1Ti O2陶瓷的Q×f值。在空气气氛下,1350℃烧结4 h,氧气气氛下1100℃退火20 h的0.9Al2O3-0.1Ti O2微波介质陶瓷具备优异的介电性能:εr=12.50,Q×f=79812 GHz,τf=0.13 ppm/℃。 展开更多
关键词 0.9Al_2O3-0.1TiO_2 反应烧结 退火工艺 微波介质陶瓷
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锆英石多孔陶瓷烧结助剂的研究 被引量：1
9
作者 张文丽 沈毅 +1 位作者 陈加庚 李如春 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期37-38,42,共3页
研究了加入各种反应烧结助剂对锆英石质多孔陶瓷反应烧结过程的影响。试验结果表明,以NaF作为反应烧结助剂可改变锆英石质材料的反应烧结机理,促进了其反应烧结过程。在1150°×2h的烧成条件下可获得具有较高强度的锆英石质多... 研究了加入各种反应烧结助剂对锆英石质多孔陶瓷反应烧结过程的影响。试验结果表明,以NaF作为反应烧结助剂可改变锆英石质材料的反应烧结机理,促进了其反应烧结过程。在1150°×2h的烧成条件下可获得具有较高强度的锆英石质多孔陶瓷。 展开更多
关键词 锆英石 多孔陶瓷 烧结 助剂
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用Ni＋Ti粉坯热压反应烧结连接SiC
10
作者 张利 李树杰 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期167-170,共4页
用Ni＋Ti粉坯作为焊料，采用热压反应烧结连接法连接SiC陶瓷，研究了焊接温度、保温时间、连接压力和压坯厚度对试样连接强度的影响规律。在本文所述试验范围内，确定的最佳工艺为：连接温度1100℃，保温时间20min，焊接压力12．7MPa，... 用Ni＋Ti粉坯作为焊料，采用热压反应烧结连接法连接SiC陶瓷，研究了焊接温度、保温时间、连接压力和压坯厚度对试样连接强度的影响规律。在本文所述试验范围内，确定的最佳工艺为：连接温度1100℃，保温时间20min，焊接压力12．7MPa，焊料压坯厚度0．3mm，所得连接件的相对抗弯强度为53％。微观结构和XRD物相分析表明：在Ni＋Ti粉坯与sic陶瓷接合界面处，发生了元素的互扩散和界面反应，在适当的工艺条件下，接头界面具有在NiTi、Ni3C、Ni16Ti6Si7混合物的基体中弥散分布TiC相的微观组织，借助于主要基体相NiTi的韧性和与母材SiC晶格匹配良好的TiC可以实现有效的界面结合。 展开更多
关键词 热压反应烧结连接 SIC 连接工艺 界面反应
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