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气体流量比对反应溅射Si_3N_4薄膜的影响
被引量：
2
1
作者
宋文燕
崔虎
《真空》
CAS
北大核心
2006年第5期23-25,共3页
利用射频磁控反应溅射法,以高纯S i为靶材,高纯N2气为反应气体,在S i衬底上制备出了S i3N4薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响。结果表明,薄膜的沉积速率主要与气体的流量比有关,随着气体流量比的增加,沉积速率下降,靶面的溅射由金...
利用射频磁控反应溅射法,以高纯S i为靶材,高纯N2气为反应气体,在S i衬底上制备出了S i3N4薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响。结果表明,薄膜的沉积速率主要与气体的流量比有关,随着气体流量比的增加,沉积速率下降,靶面的溅射由金属模式过渡到氮化物模式;薄膜中N/S i的原子比增加;红外吸收谱的S i-N键的振动峰向标准峰逼近。
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关键词
Si3N4薄膜
磁控反应溅射
气体流量比
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职称材料
题名
气体流量比对反应溅射Si_3N_4薄膜的影响
被引量：
2
1
作者
宋文燕
崔虎
机构
第二炮兵工程学院
出处
《真空》
CAS
北大核心
2006年第5期23-25,共3页
文摘
利用射频磁控反应溅射法,以高纯S i为靶材,高纯N2气为反应气体,在S i衬底上制备出了S i3N4薄膜,研究了气体流量比对薄膜质量的影响。结果表明,薄膜的沉积速率主要与气体的流量比有关,随着气体流量比的增加,沉积速率下降,靶面的溅射由金属模式过渡到氮化物模式;薄膜中N/S i的原子比增加;红外吸收谱的S i-N键的振动峰向标准峰逼近。
关键词
Si3N4薄膜
磁控反应溅射
气体流量比
Keywords
Si3N4
thin
films
reactive
magnetron
sputtering
ratio
of
gas
flowrate
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
气体流量比对反应溅射Si_3N_4薄膜的影响
宋文燕
崔虎
《真空》
CAS
北大核心
2006
2
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