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题名基于双凹型波导层的深紫外激光二极管辐射复合特性
被引量：1
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作者
许愿
魏士钦
张鹏飞
王瑶
王芳
刘玉怀
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机构
郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心
郑州大学传感器研究院
郑州唯独电子科技有限公司
郑州大学产业技术研究院有限公司
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出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2023年第15期244-249,共6页
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基金
国家重点研发计划(2016YFE0118400)
郑州市1125科技创新项目(ZZ2018-45)
宁波市重大科技创新专项(2019B10129)。
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文摘
本文提出利用双凹波导层来改善深紫外(DUV)激光二极管(LDs)的辐射复合特性。利用Crosslight软件对四种不同的波导层结构进行了仿真研究。结果表明,双凹下波导层的引入提高了空穴的有效势垒高度,有效地抑制了空穴从多量子阱(MQW)区的泄漏,增加了MQW区载流子的浓度。优化后的结构辐射复合率显著提升,具有更好的P-I特性和光学约束因子,为提高DUV LDs的性能提供了一个有效的解决方案。
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关键词
激光器与激光光学
深紫外激光二极管
ALGAN
上波导层
下波导层
辐射复合速率
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Keywords
laser and laser optics
deep ultraviolet laser diodes
AlGaN
upper waveguide layer
lower waveguide layer
radiation recombination rate
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分类号
O472
[理学—半导体物理]
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题名具有卓越光输出效率的GaN基LED模拟研究
被引量：2
- 2
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作者
黄晶
陈鹏
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机构
上饶职业技术学院
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出处
《灯与照明》
2021年第3期44-46,共3页
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文摘
通过对GaN基发光二极管(LED)的阻挡层和量子势垒结构的设计研究,发现具有锯齿形的电子阻挡层(EBL)和齿形InGaN/GaN势垒的GaN基发光二极管(LED)的光学性能显著提升。与传统的LED设计相比,由于锯齿形EBL和齿形InGaN/GaN势垒的GaN基LED具有高的电子阻挡势垒、低的空穴注入势垒和均匀的载流子分布,表现出卓越的辐射复合率和光输出功率。
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关键词
发光二极管
辐射复合率
光输出功率
量子阱
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Keywords
LED
radiation recombination rate
optical output power
quantum well
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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